TS5A23157

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................................................................................................................................................................

SCDS165D - 2004年5月 - 修订2008年5月

双10 Ω SPDT模拟开关

1

特点

规定先开后合式开关

低通态电阻（ 10

)

控制输入5V容限

低电荷注入

出色的导通电阻匹配

低总谐波失真

1.8 V至5.5 V单电源供电

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD性能测试每JESD 22

- 2000 -V人体模型

（ A114 -B ， II级）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DGS包装

（ TOP VIEW ）

IN1

NO1

GND

NO2

IN2

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

COM1

NC1

V

+

NC2

COM2

RSE套餐

（ TOP VIEW ）

COM1

IN1

NO1

GND

NO2

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

NC1

V+

NC2

COM2

应用

采样保持电路

电池供电设备

音频和视频信号路由

通信电路

IN2

描述/订购信息

该TS5A23157是双单刀双掷（SPDT）模拟开关设计成操作从1.65 V至

5.5 V.该设备可以处理的数字信号和模拟信号。信号至5.5 V （峰值）可以传输

任一方向。

订购信息

T

A

-40 ° C至85°C

(1)

(2)

(3)

QFN - RSE

包

(1) (2)

VSSOP （ MSOP - 10 ） - DGS

磁带和卷轴

磁带和卷轴

订购型号

TS5A23157DGSR

TS5A23157RSER

顶部端标记

(3)

JBR

JB_

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

RSE ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

功能表

输入NC TO COM ， NO TO COM ，

IN

COM到NC COM为NO

L

H

ON

关闭

关闭

ON

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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特点综述

CON组fi guration

信道数

导通电阻（R

on

)

导通电阻匹配

通道之间（ ΔR

on

)

导通电阻平坦度

(r

对（平）

)

导通/关断时间（t

ON

/t

关闭

)

先开后合作时间（t

BBM

)

电荷注入（Q

C

)

带宽（ BW ）

截止隔离（奥西奥）

串扰9XTALK ）

总谐波失真网卡失真（ THD ）

漏电流

(I

COM （关闭）

/I

NC （关闭）

)

封装选项

2 ： 1多路复用器/多路解复用器

(2

×

SPDT ）

2

10

0.15

4

5.7纳秒/ 3.8纳秒

0.5纳秒

7 PC

220兆赫

-65分贝在10 MHz

-66分贝在10 MHz

0.01%

±1

A

10针DGS和RSE

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

V

+

V

NC

V

NO

V

COM

I

I / OK

I

NC

I

NO

I

COM

V

IN

I

IK

电源电压范围

(2)

最大

6.5

V

+

+ 0.5

±50

±50

单位

V

V

mA

mA

V

mA

mA

° C / W

°C

–0.5

–0.5

V

NC

, V

NO

, V

COM

＆ LT ; 0或V

NC

, V

NO

,

V

COM

＆ GT ; V

+

V

NC

, V

NO

, V

COM

= 0至V

+

–0.5

V

IN

＆ LT ; 0

DGS包装

RSE套餐

–65

模拟电压范围

(2) (3) (4)

模拟端口二极管电流

ON状态的开关电流

数字输入电压范围

(2) (3)

数字输入钳位电流

连续电流通过V

+

或GND

6.5

–50

±100

56.5

243

150

θ

JA

T

英镑

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

封装的热阻抗

(5)

存储温度范围

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压都是相对于地，除非另有规定。

如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

这个值被限制为5.5 V，最大。

封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

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电气特性，用于5 V电源

V

+

= 4.5 V至5.5 V ，T

A

= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通状态电阻

导通状态电阻

之间的匹配

频道

导通状态电阻

平整度

NC ， NO

断漏电流

NC ， NO

泄漏电流

COM

泄漏电流

V

COM

,

V

NO

, V

NC

r

on

Δr

on

r

对（平）

I

NC （关闭）

,

I

否（关）

I

数控（ON）的

,

I

编号为（ON）的

I

COM（上）

0

≤

V

NO

或V

NC

≤

V

+

,

I

COM

= -30毫安，

V

NO

或V

NC

= 3.15 V,

I

COM

= -30毫安，

0

≤

V

NO

或V

NC

≤

V

+

,

I

COM

= -30毫安，

V

NC

或V

NO

= 0至V

+

,

V

COM

= 0至V

+

,

V

NC

或V

NO

= 0至V

+

,

V

COM

=开，

V

NC

或V

NO

=开，

V

COM

= 0至V

+

,

开机，

SEE

图10

开机，

SEE

图10

开机，

SEE

图10

关闭，

SEE

图11

开机，

SEE

图11

开机，

SEE

图11

满

25°C

25°C

25°C

满

25°C

满

25°C

满

4.5 V

4.5 V

4.5 V

5.5 V

5.5 V

5.5 V

–1

–1

–0.1

–1

–0.1

–1

V

+

×

0.7

V

+

×

0.3

5.5 V

–1

–1

0.05

1

1

0.15

4

0.05

1

1

0.1

1

0.1

1

0

V

+

10

V

A

A

A

符号

测试条件

T

A

V

+

最小值典型值

(1)

最大

单位

数字输入（ IN12 ， IN2 ）

(2)

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入漏电流

(1)

(2)

V

IH

V

IL

I

IH

, I

IL

V

IN

= 5.5 V或0

满

满

25°C

满

V

V

A

T

A

= 25°C

该设备的所有未使用的数字输入必须在V +或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

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3

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5 V电源电气特性（续）

V

+

= 4.5 V至5.5 V ，T

A

= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）

参数

动态

开启时间

t

ON

V

NC

= GND和V

NO

= V

+

R

L

= 500

,

or

C

L

= 50 pF的，

V

NC

= V

+

和V

NO

= GND ，见

图13

V

NC

= GND和V

NO

= V

+

R

L

= 500

,

or

C

L

= 50 pF的，

V

NC

= V

+

和V

NO

= GND ，见

图13

V

NC

= V

NO

= V

+

/2,

R

L

= 50

,

V

NC

= V

NO

= V

+

/2,

R

L

= 50

,

V

NC

或V

NO

= V

+

或GND ，

V

NC

或V

NO

= V

+

或GND ，

V

COM

= V

+

或GND ，

V

IN

= V

+

或GND ，

R

L

= 50

,

R

L

= 50

,

F = 10MHz时，

R

L

= 50

,

F = 10MHz时，

R

L

= 600

,

C

L

= 50 pF的，

C

L

= 35 pF的，

SEE

图14

SEE

图18

关闭，

SEE

图12

开机，

SEE

图12

开机，

SEE

图12

SEE

图12

开机，

SEE

图15

关闭，

SEE

图16

开机，

SEE

图17

F = 600 Hz至

20 kHz时，

SEE

图19

满

4.5 V至

5.5 V

4.5 V至

5.5 V

4.5 V至

5.5 V

5V

5V

5V

5V

5V

4.5 V

4.5 V

4.5 V

4.5 V

1.7

5.7

ns

符号

测试条件

T

A

V

+

最小值典型值

(1)

最大

单位

打开-O FF时间

突破前先

时间

电荷注入

NC ， NO

关断电容

NC ， NO

在电容

COM

在电容

数字输入

电容

带宽

关断隔离

相声

总谐波

失真

供应

正电源

当前

改变

电源电流

t

关闭

t

BBM

Q

C

C

NC （关闭）

,

C

否（关）

C

数控（ON）的

,

C

编号为（ON）的

C

COM（上）

C

IN

BW

O

ISO

X

TALK

THD

满

满

25°C

25°C

25°C

25°C

25°C

25°C

25°C

25°C

25°C

0.8

0.5

7

5.5

17.5

17.5

2.8

220

–65

–66

0.01

3.8

ns

ns

pC

pF

pF

pF

pF

兆赫

dB

dB

%

I

+

ΔI

+

V

IN

= V

+

或GND ，

V

IN

= V

+

– 0.6 V

开启或

关闭

25°C

满

满

5.5 V

5.5 V

1

10

500

A

A

4

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电气特性的3.3 V电源

V

+

= 3 V至3.6 V ，T

A

= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通状态电阻

导通状态电阻

之间的匹配

频道

导通状态电阻

平整度

NC ， NO

断漏电流

NC ， NO

泄漏电流

COM

泄漏电流

V

COM

,

V

NO

, V

NC

r

on

Δr

on

r

对（平）

I

NC （关闭）

,

I

否（关）

I

数控（ON）的

,

I

编号为（ON）的

I

COM（上）

0

≤

V

NO

或V

NC

≤

V

+

,

I

COM

= -24毫安，

V

NO

或V

NC

= 2.1 V,

I

COM

= -24毫安，

0

≤

V

NO

或V

NC

≤

V

+

,

I

COM

= -24毫安，

V

NC

或V

NO

= 0至V

+

,

V

COM

= 0至V

+

,

V

NC

或V

NO

= 0至V

+

,

V

COM

=开，

V

NC

或V

NO

=开，

V

COM

= 0至V

+

,

开机，

SEE

图10

开机，

SEE

图10

开机，

SEE

图12

关闭，

SEE

图11

开机，

SEE

图11

开机，

SEE

图11

满

25°C

25°C

25°C

满

25°C

满

25°C

满

3V

3V

3V

3.6 V

3.6 V

3.6 V

–1

–1

–0.1

–1

–0.1

–1

V

+

×

0.7

V

+

×

0.3

3.6 V

–1

–1

0.05

1

1

0.2

9

0.05

1

1

0.1

1

0.1

1

0

V

+

18

V

A

A

A

符号

测试条件

T

A

V

+

最小值典型值

(1)

最大

单位

数字输入（ IN12 ， IN2 ）

(2)

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入漏电流

动态

开启时间

t

ON

V

NC

= GND和V

NO

= V

+

or

V

NC

= V

+

和V

NO

= GND ，

V

NC

= GND和V

NO

= V

+

or

V

NC

= V

+

和V

NO

= GND ，

V

NC

= V

NO

= V

+

/2,

R

L

= 50

,

R

L

= 50

,

CL = 0.1 nF的，

R

L

= 50

,

开机，

R

L

= 50

,

F = 10MHz时，

R

L

= 50

,

F = 10MHz时，

R

L

= 600

,

C

L

= 50 pF的，

R

L

= 500

,

C

L

= 50 pF的，

SEE

图13

R

L

= 500

,

C

L

= 50 pF的，

SEE

图13

C

L

= 35 pF的，

SEE

图14

SEE

图18

SEE

图15

关闭，

SEE

图16

开机，

SEE

图17

F = 600 Hz至

20 kHz时，

SEE

图19

满

3 V至

3.6 V

3 V至

3.6 V

3 V至

3.6 V

3.3 V

3V

3V

3V

3V

2.5

7.6

ns

V

IH

V

IL

I

IH

, I

IL

V

IN

= 5.5 V或0

满

满

25°C

满

V

V

A

打开-O FF时间

突破前先

时间

电荷注入

带宽

关断隔离

相声

总谐波

失真

供应

正电源

当前

改变

电源电流

(1)

(2)

t

关闭

t

BBM

Q

C

BW

O

ISO

X

TALK

THD

满

满

25°C

25°C

25°C

25°C

25°C

1.5

0.5

3

220

–65

–66

0.015

5.3

ns

ns

pC

兆赫

dB

dB

%

I

+

ΔI

+

V

IN

= V

+

或GND ，

V

IN

= V

+

– 0.6 V

开启或关闭

25°C

满

满

3.6 V

3.6 V

1

10

500

A

A

T

A

= 25°C

该设备的所有未使用的数字输入必须在V +或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

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