TK22E10N1
MOSFET的
硅的N沟道MOS (U- MOS -H)
TK22E10N1
1.应用
开关稳压器
2.特点
(1)
(2)
(3)
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 11.5毫欧(典型值)(V
GS
= 10 V)
低漏电流:I
DSS
= 10
A
(最大值) (Ⅴ
DS
= 100 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.3 mA)的
3.包装和内部电路
1 :门
2 :漏极(散热器)
3 :源
TO-220
25
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T = 1毫秒)
(T
c
= 25)
(注3)
(T
c
= 25)
(注1 )
(注1,2 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
100
±20
52
22
102
72
48
22
150
-55到150
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2012-01-20
Rev.1.0
TK22E10N1
6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
(注4 )
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= -20 V
V
DS
= 10 V,I
D
- 0.3毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 11 A
民
100
65
2.0
典型值。
11.5
最大
±0.1
10
4.0
13.8
m
V
单位
A
注释4 :如果反偏压栅极和源极之间施加电压,该器件进入V
( BR ) DSX
模式。注意,漏极
源击穿电压被降低在这种模式下。
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
栅极电阻
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
r
g
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1
测试条件
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
民
典型值。
1800
18
310
2.0
11
27
11
38
最大
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
门开关充电
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
Q
SW
测试条件
V
DD
≈
80 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 22 A
民
典型值。
28
8.7
8.1
12
最大
单位
nC
3
2012-01-20
Rev.1.0