TS27M2C,I,M
精密低功耗
CMOS双运算放大器
s
低功耗：
150A/op
s
输出电压摆幅
地
s
出色的相位保证金
容性负载
s
稳定的低失调电压
s
三个输入失调电压
SELECTIONS
描述
这些器件是低成本，低功耗的双能操作
设计成与单个操作憩放大器
或双电源供电。这些运算放大器使用
在ST的硅栅CMOS工艺允许的EX-
cellent消耗速度比。这些系列
非常适合于低功耗应用。
三功耗可允许
有永远是最好的消耗速度比：
N
DIP8
（塑料包装）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
u
I
CC
= 10μA /放大器： TS27L2 （非常低的功率）
u
I
CC
= 150μA /放大器： TS27M2 （低功耗）
u
I
CC
= 1毫安/ AMP ： TS272 （标准）
这些CMOS放大器具有非常高的输入im-
pedance和极低的输入电流。该
主要的优势与JFET器件是非常
低输入电流，温度漂移（参见图 -
茜2）。
订货编号
包
产品型号
温度范围
N
TS27M2C/AC/BC
0°C, +70°C
TS27M2I/AI/BI
-40°C, +125°C
TS27M2M/AM/BM
-55°C, +125°C
例如：
TS27M2ACN
D
P
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
-
4-V
CC
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
+
8-V
CC
2001年11月
1/9
TS27M2C,I,M
框图
V
CC
当前
来源
xI
输入
迪FF erential
第二
舞台
产量
舞台
产量
V
CC
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CC+
V
id
V
i
I
o
I
in
T
OPER
T
英镑
参数
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电流为V
CC+
≥
15V
输入电流
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至+70
TS27M2C/AC/BC
TS27M2I / AI / BI TS27M2M / AM / BM
18
±18
-0.3至18
±30
±5
-40到+125
-65到+150
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
1.所有值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅度绝不能超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC+
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围
参数
价值
3至16
0到V
CC+
- 1.5
单位
V
V
2/9
TS27M2C,I,M
精密低功耗
CMOS双运算放大器
s
低功耗：
150A/op
s
输出电压摆幅
地
s
出色的相位保证金
容性负载
s
稳定的低失调电压
s
三个输入失调电压
SELECTIONS
描述
这些器件是低成本，低功耗的双能操作
设计成与单个操作憩放大器
或双电源供电。这些运算放大器使用
在ST的硅栅CMOS工艺允许的EX-
cellent消耗速度比。这些系列
非常适合于低功耗应用。
三功耗可允许
有永远是最好的消耗速度比：
N
DIP8
（塑料包装）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
u
I
CC
= 10μA /放大器： TS27L2 （非常低的功率）
u
I
CC
= 150μA /放大器： TS27M2 （低功耗）
u
I
CC
= 1毫安/ AMP ： TS272 （标准）
这些CMOS放大器具有非常高的输入im-
pedance和极低的输入电流。该
主要的优势与JFET器件是非常
低输入电流，温度漂移（参见图 -
茜2）。
订货编号
包
产品型号
温度范围
N
TS27M2C/AC/BC
0°C, +70°C
TS27M2I/AI/BI
-40°C, +125°C
TS27M2M/AM/BM
-55°C, +125°C
例如：
TS27M2ACN
D
P
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
4 - V
CC
-
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
8 - V
CC
+
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
引脚连接
（ TOP VIEW ）
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
2001年11月
1/9
TS27M2C,I,M
框图
V
CC
当前
来源
xI
输入
迪FF erential
第二
舞台
产量
舞台
产量
V
CC
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CC+
V
id
V
i
I
o
I
in
T
OPER
T
英镑
参数
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电流为V
CC+
≥
15V
输入电流
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至+70
TS27M2C/AC/BC
TS27M2I / AI / BI TS27M2M / AM / BM
18
±18
-0.3至18
±30
±5
-40到+125
-65到+150
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
1.所有值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅度绝不能超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC+
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围
参数
价值
3至16
0到V
CC+
- 1.5
单位
V
V
2/9
TS27M2C,I,M
精密低功耗
CMOS双运算放大器
s
低功耗：
150A/op
s
输出电压摆幅
地
s
出色的相位保证金
容性负载
s
稳定的低失调电压
s
三个输入失调电压
SELECTIONS
描述
这些器件是低成本，低功耗的双能操作
设计成与单个操作憩放大器
或双电源供电。这些运算放大器使用
在ST的硅栅CMOS工艺允许的EX-
cellent消耗速度比。这些系列
非常适合于低功耗应用。
三功耗可允许
有永远是最好的消耗速度比：
N
DIP8
（塑料包装）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
u
I
CC
= 10μA /放大器： TS27L2 （非常低的功率）
u
I
CC
= 150μA /放大器： TS27M2 （低功耗）
u
I
CC
= 1毫安/ AMP ： TS272 （标准）
这些CMOS放大器具有非常高的输入im-
pedance和极低的输入电流。该
主要的优势与JFET器件是非常
低输入电流，温度漂移（参见图 -
茜2）。
订货编号
包
产品型号
温度范围
N
TS27M2C/AC/BC
0°C, +70°C
TS27M2I/AI/BI
-40°C, +125°C
TS27M2M/AM/BM
-55°C, +125°C
例如：
TS27M2ACN
D
P
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
-
4-V
CC
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
+
8-V
CC
2001年11月
1/9
TS27M2C,I,M
框图
V
CC
当前
来源
xI
输入
迪FF erential
第二
舞台
产量
舞台
产量
V
CC
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CC+
V
id
V
i
I
o
I
in
T
OPER
T
英镑
参数
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电流为V
CC+
≥
15V
输入电流
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至+70
TS27M2C/AC/BC
TS27M2I / AI / BI TS27M2M / AM / BM
18
±18
-0.3至18
±30
±5
-40到+125
-65到+150
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
1.所有值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅度绝不能超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC+
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围
参数
价值
3至16
0到V
CC+
- 1.5
单位
V
V
2/9
TS27M2 ， TS27M2A ， TS27M2B
低功耗CMOS双运算放大器
特点
■
■
■
■
■
■
宽电源电压范围： 3 16 V
超低功耗： 150 μA / OP （典型值）
输出电压摆幅地
对容性负载出色的相位裕度
增益带宽积： 1 MHz时典型值
比奥向下至2mV最大值。 （ B版）
N
DIP8
（塑料包装）
描述
该TS27x2系列是低成本和低功耗
设计工作的双运算放大器
与高压单电源或双电源。这些
运算放大器使用ST硅栅
CMOS工艺，提供了极好的
消耗速度比由于三种不同
功耗，非常适用于低
消费应用：
I
CC
= 10 μA /放大器： TS27L2 （非常低的功率） ，
I
CC
= 150 μA /放大器： TS27M2 （低功率）和
I
CC
= 1毫安/安培： TS272 （高速）
该器件还提供了一个非常高的输入
阻抗和极低的输入电流。
相比于JFET器件的主要优点
是非常低的输入电流温度漂移
（图
3).
D
SO-8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
引脚连接（顶视图）
Out1
In1-
In1+
V
CC-
1
2
3
4
_
+
_
+
8
7
6
5
V
CC+
Out2
In2-
In2+
2009年8月
文档编号2306第2版
1/14
www.st.com
14
绝对最大额定值和运行条件
TS27M2 ， TS27M2A ， TS27M2B
1
绝对最大额定值和运行条件
表1中。
符号
V
CC+
VID
V
i
I
o
I
in
R
thja(4)(5)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
电源电压
(1)
差分输入电压
(2)
输入电压
(3)
输出电流为V
CC+
≥
15V
输入电流
SO-8
DIP8
TSSOP8
存储温度范围
最高结温
HBM ：人体模型
(6)
TS27M2x/Ax/Bx
18
±18
-0.3至18
±30
±5
125
85
120
-65到+150
150
500
100
1.5
单位
V
V
V
mA
mA
° C / W
°C
°C
V
V
kV
ESD
MM ：机器型号
(7)
CDM ：带电器件模型
(8)
1.所有值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅值不得超过正的幅值
电源电压。
5. R
th
为典型值。
6.人体模型：一个100pF的电容器被充电至指定的电压时，则通过一排
两个引脚器件之间1.5kΩ的电阻。这是所有情侣的连接引脚进行组合
而另一管脚浮动。
7.机器型号： 200 pF的电容充电至额定电压，然后直接排放之间
两个引脚器件无需外部串联电阻（内部电阻< 5
Ω).
这是所有情侣做的
连接引脚的组合，而其他引脚悬空。
8.带电器件模型：所有引脚和封装都一起加入到指定的电压，然后
直接排放到地面只通过一个销。这样做是为了所有的引脚。
表2中。
符号
V
CC+
V
ICM
豪饮者
工作条件
价值
参数
TS27M2C/AC/BC
电源电压
共模输入电压
范围
经营自由空气温度
范围
0至+70
TS27M2I/AI/BI
3至16
0到V
CC+
- 1.5
-40到+125
-55到+125
TS27M2M/AM/BM
V
V
°C
单位
2/14
文档编号2306第2版
TS27M2 ， TS27M2A ， TS27M2B
图1 。
绝对最大额定值和运行条件
简化原理图（ 1/2 TS27M2 ）
产量
T
16
T
3
T
15
T
10
T
11
T
12
T
8
T
6
R1
T
2
输入
C1
T
7
V
CC
T
5
T
1
T
27
输入
T
4
T
9
T
13
T
23
T
14
T
28
T
22
T
29
T
26
R
2
T
25
T
24
T
17
T
18
T
19
文档编号2306第2版
T
20
T
21
V
CC
3/14
电气特性
TS27M2 ， TS27M2A ， TS27M2B
2
表3中。
电气特性
在V电气特性
CC
+ = +10 V, V
CC
- = 0 V ，T
AMB
= +25° C
（除非另有规定编）
TS27M2xC
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
符号
TS27M2xI
TS27M2xM
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
直流性能
输入失调电压
V
O
= 1.4 V, V
ic
= 0 V
V
io
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
TS27M2
TS27M2A
TS27M2B
TS27M2
TS27M2A
TS27M2B
1.1
0.9
0.25
10
5
2
12
6.5
3
10
5
2
12
6.5
3.5
1.1
0.9
0.25
mV
DV
io
I
io
输入失调电压漂移
输入失调电流
(1)
V
ic
= 5 V, V
O
= 5 V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输入偏置电流
(1)
V
ic
= 5 V, V
O
= 5 V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
高电平输出电压
V
id
= 100 mV的河
L
= 100 lΩ
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
低电平输出电压
V
id
= -100 mV的
大信号电压增益
V
iC
= 5 V ，R
L
= 100 kΩ的，V
o
= 1 V至6 V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
共模抑制比
V
iC
= 1 V至7.4 V ，V
o
= 1.4 V
电源电压抑制比
V
CC+
= 5 V至10 V ，V
o
= 1.4 V
电源电流（每个放大器）
A
v
= 1，无负载，V
o
= 5 V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输出短路电流
V
o
= 0 V, V
id
= 100 mV的
输出灌电流
V
o
= V
CC
, V
id
= -100 mV的
45
34
30
20
65
60
8.7
8.6
2
1
100
1
150
8.9
8.7
8.5
50
50
30
10
65
60
200
250
2
1
200
1
300
8.9
μV/°C
pA
I
ib
pA
V
OH
V
V
OL
50
50
mV
A
vd
V / MV
CMR
SVR
80
80
150
80
80
150
200
300
dB
dB
I
CC
A
I
o
I
SINK
60
45
60
45
mA
mA
4/14
文档编号2306第2版
TS27M2 ， TS27M2A ， TS27M2B
表3中。
电气特性
在V电气特性
CC
+ = +10 V, V
CC
- = 0 V ，T
AMB
= +25° C
（除非另有说明） （续）
TS27M2xC
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
符号
TS27M2xI
TS27M2xM
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
AC性能
英镑
增益带宽积
A
v
= 40分贝，R
L
= 100 kΩ的，C
L
= 100 pF的，
f
in
= 100千赫
压摆率在单位增益
R
L
= 100 kΩ的
L
= 100 pF的，V
i
= 3到7V的
,
相位裕度为单位增益
A
v
= 40分贝，R
L
= 100 kΩ的
L
= 100 pF的
,
过冲因子
等效输入噪声电压
F = 1千赫，R
s
= 100
Ω
声道分离
0.5
1
0.5
1
兆赫
SR
φm
K
OV
e
n
V
o1
/V
o2
0.3
0.6
45
30
38
120
0.3
0.6
45
30
38
120
V / μs的
度
%
nV
-----------
-
Hz
dB
1.最高值，包括工业性试验不可避免的误差。
文档编号2306第2版
5/14
QQ：2881677436 复制
