【T4系列双向可控硅4ASA2无缓冲器 &逻辑电平表1 ：主要特点符号IT（ RMS ）VDR】,IC型号T410-800B-TR,T410-800B-TR PDF资料,T410-800B-TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

T4系列

双向可控硅4A

无缓冲器 &逻辑电平

表1 ：主要特点

符号

T（ RMS ）

DRM

RRM

GT （Q

)

价值

600至800

5至35

单位

A1 A2

描述

基于ST的无缓冲器/逻辑电平技

术提供高换向性能，

该

系列适用于交流电感的使用

负载。

他们建议使用应用程序

通用电动机，电磁阀....如厨房

辅助设备，电动工具，洗碗机， ...

可在一个完全绝缘封装， T4 ...-

... W版本符合UL标准（参考文献。

E81734).

DPAK

(T4-B)

IPAK

(T4-H)

TO-220AB

(T4-T)

ISOWATT220AB

(T4-W)

表2 ：订购代码

产品型号

T405-xxxB

T405-xxxB-TR

T405-xxxH

T405-xxxT

T405-xxxW

T410-xxxB

T410-xxxB-TR

T410-xxxH

T4105-xxxT

T410-xxxW

T435-xxxB

T435-xxxB-TR

T435-xxxH

T435-xxxT

T435-xxxW

记号

见页表8

第9页

2006年1月

启示录7

1/10

T4系列

表3 ：绝对最大额定值

符号

T（ RMS ）

参数

RMS通态电流（全正弦波

波）

IPAK / DPAK /

TO-220AB

= 110°C

价值

5.1

= 125°C

- 40 + 150

- 40至+ 125

单位

ISOWATT220AB牛逼

= 105°C

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

A / μs的

°C

TSM

的di / dt

G（ AV ）

英镑

不重复浪涌峰值通态F = 50赫兹

电流（完整周期，T

初始= 25 ° C） F = 60 Hz的

为融合吨价

对国家崛起的临界电流率

我租

= 2×我

, t

≤

100纳秒

栅极峰值电流

平均门功耗

存储结温范围

工作结温范围

= 10毫秒

F = 120赫兹

= 20 s

表4 ：电气特性

= 25 ° C，除非另有规定编）

符号

(1)

(2)

的dV / dt （2）

测试条件

= 12 V R

= 30

= V

DRM

= 3.3 k

= 125°C

= 100毫安

= 1.2 I

= 67 %V

DRM

门打开

= 125°C

（的dV / dt ） c = 0.1 V / μs的

（ di / dt的）C （ 2 ）（的dV / dt ） c = 10 V / μs的

无缓冲

= 125°C

分钟。

I - III

象限

I - II - III

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

1.8

0.9

T405

T410

1.3

0.2

T435

单位

2.7

2.0

400

2.5

V / μs的

A / MS

注1 ：

我最小

被guaranted在我5％

马克斯。

注2 ：

为A2的两极参考A1 。

2/10

T4系列

表5 ：静态特性

符号

(2)

DRM

RRM

= 5.5 A

测试条件

= 380 s

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

马克斯。

价值

1.56

0.89

120

单位

阈值电压

动态电阻

DRM

= V

RRM

注1 ：

我最小

被guaranted在我5％

马克斯。

注2 ：

为A2的两极参考A1 。

表6 ：热阻

符号

日（J -C ）

结到外壳（ AC）

S = 0.5厘米

号（j -a）的

结到环境

参数

IPAK / DPAK / TO- 220AB

ISOWATT220AB

DPAK

TO- 220AB / ISOWATT220AB

IPAK

选项卡下的S =铜表面。

价值

2.6

4.0

100

单位

° C / W

3/10

T4系列

图1 ：最大功耗与

RMS通态电流（全周期）

P（ W）的

3.5

4.5

4.0

TO- 220AB / DPAK / IPAK

图2 ： RMS通态电流对案件

温度（全周期）

T（ RMS ）

(A)

3.0

2.5

2.0

ISOWATT220AB

1.5

1.0

T（ RMS ）

(A)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

0.5

0.0

(°C)

100

125

图3 ： RMS通态电流与环境

温度（印刷电路板FR4，铜

厚度为35μm ）（全循环）

T（ RMS ）

(A)

2.0

1.8

1.6

DPAK

(S=0.5CM

)

图4 ：热的相对变化

阻抗与脉冲持续时间

K = [Z

]

1E+0

日（J -C ）

ISOWATT220AB

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

DPAK / IPAK

TO- 220AB / DPAK / IPAK

号（j -a）的

1E-1

TO- 220AB / ISOWATT220AB

(°C)

100

125

(s)

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

5E+2

图5 ：通态特性（最大

值）

(A)

30.0

马克斯。

= 0.90V

= 120 m

图6 ：通态电流与浪涌峰值

周期数

TSM

(A)

t=20ms

10.0

= T

马克斯。

不重复

initial=25°C

重复

=110°C

一个周期

1.0

= 25°C.

(V)

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

周期数

100

1000

4/10

T4系列

图7 ：通态不重复浪涌峰值

电流的正弦脉冲宽度t

＆ LT ; 10毫秒

和我对应的值

TSM

（A ），我T（A S）

500

initial=25°C

di / dt的限制：

50A/s

TSM

图8 ：门极触发的相对变化

当前，保持电流和电流闭锁

对结点温度（典型值）的

] / I

=25°C]

2.5

2.0

100

1.5

＆放大器;我

1.0

0.5

（女士）

0.01

0.10

1.00

10.00

(°C)

0.0

-40

-20

100

120

140

图9：爆击率的相对变化

下降主要与当前（的dV / dt ）的c

（典型值）

（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0.1

1.0

10.0

100.0

T405

T410

T435

图10：爆击率的相对变化

减少主电流与结

温度

（ di / dt的）C [T

] / （ di / dt的）C [T

指定]

（的dV / dt ）C （V / μs）内

(°C)

100

125

图11 ： DPAK封装热阻结到

环境与选项卡下的铜表面（印

电路板FR4 ，铜厚度： 35微米）

号（j -a）的

（ ° C / W）

100

S（平方厘米）

5/10

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