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TS271C,I,M
可编程CMOS
单路运算放大器
.
.
.
.
.
.
.
NULL OFFSET能力(由外部
补偿)
动态特性
可调我
SET
消耗电流及动态
参数比较稳定有关
的高压电源
变化
输出电压摆幅
非常大的I
SET
范围
稳定的低失调电压
三个输入失调电压
SELECTIONS
N
DIP8
(塑料包装)
D
SO8
(塑料Micropackage )
描述
该TS271是一款低成本,低功耗,单操作
tional放大器,可用于单操作或
订购代码
产品型号
TS271C/AC/BC
TS271I/AI/BI
TS271M/AM/BM
例如:
TS271ACN
温度
范围
0 C, +70 C
-40 C, +125 C
-55 C, +125 C
o
o
o
o
o
o
N
q
q
q
D
q
q
q
双电源供电。该运算放大器使用
SGS - THOMSON硅栅CMOS工艺giv-
荷兰国际集团是一个很好的消耗速度比。这
放大器非常适合于低功耗
应用程序。
该电源与外部编程
电阻器之间连接引脚8和4,允许
选择最佳消费变速比和
电源电流可根据被最小化
需要的速度。此设备被指定为
下面我
SET
当前值: 1.5μA , 25μA , 130μA 。
此CMOS放大器具有很高的输入阻抗
ANCE和极低的输入电流。主要
优势与JFET器件是非常低的
输入电流的漂移随温度(参见图3) 。
引脚连接
( TOP VIEW )
1
2
3
4
-
+
8
7
6
5
1 - 偏移空1
2 - 反相输入
3 - 非反相输入
4 - V
CC
-
5 - 偏移空2
6 - 输出
7 -V
+
CC
8 -I
SET
1997年10月
1/15
TS271C,I,M
框图
V
CC
产量
舞台
输入
迪FF erential
第二
舞台
产量
V
CC
NULL OFFSET
E
ISET
输入
E
输入
最大额定值
符号
V
CC
V
id
V
i
I
O
I
in
T
OPER
+
参数
电源电压 - (注1 )
差分输入电压 - (注2 )
输入电压 - (注3)
输出电流为
输入电流
工作自由空气的温度范围内
TS271C/AC/BC
TS271I/AI/BI
TS271M/AM/BM
V
CC+
15V
价值
18
±18
-0.3至18
±30
±5
0至+70
-40到+125
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
o
C
T
英镑
存储温度范围
o
C
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅度绝不能超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC
+
参数
电源电压
共模输入电压范围
价值
3至16
0到V
CC
- 1.5
+
单位
V
V
V
ICM
2/15
V
CC
原理图
T27
T10
T5
T6
T26
T28
T8
T1
R1
T11
T12
T2
输入+
T15
输入 -
C1
T7
设定电流
C2
产量
T3
T4
T16
T13
T9
T14
T29
偏移空1
偏移空2
V
CC
TS271C,I,M
3/15
TS271C,I,M
失调电压零电路
偏置电阻
V
CC
V
CC
5
1
8
25k
V
CC
R
SET
V
O
V
O
R
SET
R
SET
V
CC
V
CC
偏移补偿保证
TS271BCX (我
SET
> 25μA ) , TS271ACX (我
SET
> 90μA )
R
SET
连接到
R
SET
连接到
V
CC-
(R
SET
值:请参阅
Fig.1)
图1:
R
SET
连接到V
CC-
.
V
V
R
SET
CC
CC
= +3V
= +5V
V
V
CC
CC
= +10V
= +16V
10M
1M
100k
0. 1
A
10k
1
A
1 0
A
1 0 0
A
I
SET
4/15
TS271C,I,M
因为我电气特性
SET
= 1.5A
V
CC+
= +10V, V
CC-
= 0V ,T
AMB
= 25
o
C(除非另有说明)
符号
V
io
参数
输入失调电压
V
O
= 1.4V, V
ic
= 0V TS271C / I / M
TS271AC/AI/AM
TS271BC/BI/BM
T
分钟。
T
AMB
T
马克斯。
TS271C/I/M
TS271AC/AI/AM
TS271BC/BI/BM
DV
io
I
io
输入失调电压漂移
输入失调电流 - (注1 )
V
ic
= 5V, V
o
= 5V
T
.
T
AMB
T
最大
.
输入偏置电流 - (注1 )
V
ic
= 5V, V
o
= 5V
T
.
T
AMB
T
最大
.
高电平输出电压
V
id
= 100mV的,R
L
= 1M
T
.
T
AMB
T
最大
.
低电平输出电压(V
id
= -100mV )
大信号电压增益
V
o
= 1V至6V ,R
L
= 1MΩ ,V
ic
= 5V
T
.
T
AMB
T
最大
.
增益带宽积(A
v
= 40分贝,
R
L
= 1MΩ ,C
L
= 100pF的,女
in
= 10kHz时)
共模抑制比
V
o
= 1.4V, V
ic
= 1V至7.4V
电源电压抑制比
+
V
CC
= 5V至10V ,V
o
= 1.4V
电源电流
A
v
= 1,无负载,V
o
= 5V
T
.
T
AMB
T
马克斯。
输出短路电流
V
id
= 100mV的,V
o
= 0V
输出灌电流
V
id
= -100mV ,V
o
= V
CC
摆率在单位增益
R
L
= 1MΩ ,C
L
= 100pF电容,V
i
= 3 7V
相位裕度为单位增益
A
v
= 40分贝,R
L
= 1M
C
L
= 10pF的
C
L
= 100pF的
过冲因子
C
L
= 10pF的
C
L
= 100pF的
e
n
等效输入噪声电压
F = 1kHz时,R
S
= 100
40
70
68
40
70
68
nV
Hz
60
60
30
20
100
8.8
8.7
0.7
1
100
1
150
9
50
30
20
100
兆赫
0.1
80
80
10
15
17
60
60
0.1
dB
80
dB
80
10
15
18
A
8.8
8.6
9
50
mV
V / MV
1
300
V
TS271C/AC/BC
分钟。
典型值。
1.1
0.9
0.25
马克斯。
10
5
2
12
6.5
3
0.7
1
200
pA
TS271I/AI/BI
TS271M/AM/BM
分钟。
典型值。
1.1
0.9
0.25
马克斯。
mV
10
5
2
12
6.5
3.5
V/
o
C
pA
单位
I
ib
V
OH
V
OL
A
vd
英镑
CMR
SVR
I
CC
I
o
I
SINK
SR
m
mA
60
45
0.04
60
mA
45
V / μs的
0.04
35
10
35
10
%
K
ov
注意:
1.最大价值,包括工业性试验不可避免的误差。
5/15
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