TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛
产品概述
I
D
(A)
V
DS
(V)
–20
r
DS （ ON）
(W)
0.65 @ V
GS
= –4.5 V
0.85 @ V
GS
= –2.5 V
TP0101T
–0.6
–0.5
TP0101TS
–1.0
–0.9
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 0.45
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 32纳秒
2.5 V或更低的操作
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆
D
电池供电系统， DC / DC转换器
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关，手机，寻呼机
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
1
3
S
2
D
标识代码：
TP0101T ： POwll
TP0101TS ： PSwll
w
=周典
l
=批次追踪
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
b
_
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
功耗
b
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
TP0101T
–20
"8
–0.6
–0.48
–3
–0.6
0.35
0.22
-55到150
TP0101TS
c
–20
"8
–1.0
–0.8
–3
–1.0
1.0
0.65
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
热阻，结到环境
b
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
。铜引线框架。
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
符号
R
thJA
TP0101T
357
TP0101TS
c
125
单位
° C / W
11-1
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –50
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
I
D（上）
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –2.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –0.6 A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –0.5 A
V
DS
= -5 V，I
D
= –0.6 A
I
S
= -0.6 A，V
GS
= 0 V
–2.5
–0.5
0.45
0.69
1300
–0.9
–1.2
0.65
0.85
W
mS
V
A
–20
–0.5
–26
–0.9
–1.5
"100
–1
–10
mA
m
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= –6 V, V
GS
=–4.5 V
I
D
^
–0.6 A
2020
180
720
110
80
30
pF
3000
pC
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
V
DD
= -6 V ，R
L
= 12
W
I
D
^
-0.6 A，V
根
= –4.5 V
R
G
= 6
W
7
25
19
9
12
35
ns
30
15
VPLJ01
打开-O FF时间
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
–6
输出特性
–2.0
传输特性
T
A
= –55_C
–5
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= –5 V
–4.5 V
I
D
- 漏极电流（ A）
–4 V
–1.5
25_C
125_C
–1.0
–4
–3.5 V
–3 V
–3
–2
–2.5 V
–2 V
–1.5 V
–0.5, 1 V
–0.5
–1
0
0
–1
–2
–3
–4
0.0
0.0
– 0.5
–1.0
–1.5
– 2.0
– 2.5
– 3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
–4
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
350
300
–3
- 电容（pF ）
250
200
150
电容
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
–2
V
GS
= –2.5 V
–1
C
国际空间站
100
C
OSS
50
C
RSS
V
GS
= –4.5 V
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0
–3
–6
–9
– 12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
–7
–6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–5
–4
–3
–2
–1
0
0
600
V
DS
= –6 V
I
D
= –0.5 A
栅极电荷
1.7
导通电阻与结温
1.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –0.5 A
1.3
1.1
0.9
1200
1800
2400
3000
0.7
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
–10
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
2.5
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 50_C
–1
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.5
– 0.1
T
J
= 25_C
1.0
I
D
= –0.5 A
0.5
–0.01
0.0
– 0.5
–1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.34
10
单脉冲功率
0.24
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
I
D
= –50
mA
0.14
8
6
0.04
4
T
A
= 25_C
单脉冲
–0.06
2
–0.16
–50
0
0
50
100
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
100
T
J
=结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
规格比较
Vishay Siliconix公司
TP0101K与TP0101T
描述：
包装：
引脚输出：
P通道， 20 -V （D -S ）的MOSFET ，低阈值
SOT-23
相同
型号替换：
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1 -E3
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1的
业绩概要：
该TP0101K是一个技术升级与ESD保护原来的TP0101T 。 ESD保护二极管的门
增加门 - 体泄漏;否则，存在关于性能几乎没有变化。
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
TP0101K
TP0101T
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
＆放大器;牛逼
英镑
R
thJA
-20
+8
-0.58
-0.46
-2
-0.3
0.35
0.22
-55到150
357
-20
+8
-0.6
-0.48
-3
-0.6
0.35
0.22
-55到150
357
W
°C
° C / W
A
V
规格（T
J
= 25
O
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-1.2
I
D（上）
-0.5
0.42
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
Rg
0.64
1300
-0.9
1400
300
250
150
25
30
55
38
-1.2
2200
0.65
0.85
-0.5
-0.7
-1.0
+5000
-1
-2.5
-0.5
0.45
0.69
1300
-0.9
2020
180
720
NS
7
25
19
9
-1.2
3000
nC
12
35
30
15
ns
0.65
0.85
A
S
V
-0.5
-0.9
-1.5
+100
-1
V
nA
A
符号
民
TP0101K
典型值
最大
民
TP0101T
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关
a
开启时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
35
45
85
60
打开-O FF时间
NS表示没有原始数据表中指定
文档编号74071
11-May-05
www.vishay.com
规格比较
Vishay Siliconix公司
TP0101K与TP0101T
描述：
包装：
引脚输出：
P通道， 20 -V （D -S ）的MOSFET ，低阈值
SOT-23
相同
型号替换：
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1 -E3
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1的
业绩概要：
该TP0101K是一个技术升级与ESD保护原来的TP0101T 。 ESD保护二极管的门
增加门 - 体泄漏;否则，存在关于性能几乎没有变化。
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
TP0101K
TP0101T
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
＆放大器;牛逼
英镑
R
thJA
-20
+8
-0.58
-0.46
-2
-0.3
0.35
0.22
-55到150
357
-20
+8
-0.6
-0.48
-3
-0.6
0.35
0.22
-55到150
357
W
°C
° C / W
A
V
规格（T
J
= 25
O
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-1.2
I
D（上）
-0.5
0.42
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
Rg
0.64
1300
-0.9
1400
300
250
150
25
30
55
38
-1.2
2200
0.65
0.85
-0.5
-0.7
-1.0
+5000
-1
-2.5
-0.5
0.45
0.69
1300
-0.9
2020
180
720
NS
7
25
19
9
-1.2
3000
nC
12
35
30
15
ns
0.65
0.85
A
S
V
-0.5
-0.9
-1.5
+100
-1
V
nA
A
符号
民
TP0101K
典型值
最大
民
TP0101T
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关
a
开启时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
35
45
85
60
打开-O FF时间
NS表示没有原始数据表中指定
文档编号74071
11-May-05
www.vishay.com
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛
产品概述
I
D
(A)
V
DS
(V)
–20
r
DS （ ON）
(W)
0.65 @ V
GS
= –4.5 V
0.85 @ V
GS
= –2.5 V
TP0101T
–0.6
–0.5
TP0101TS
–1.0
–0.9
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 0.45
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 32纳秒
2.5 V或更低的操作
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆
D
电池供电系统， DC / DC转换器
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关，手机，寻呼机
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
1
3
S
2
D
标识代码：
TP0101T ： POwll
TP0101TS ： PSwll
w
=周典
l
=批次追踪
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
b
_
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
功耗
b
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
TP0101T
–20
"8
–0.6
–0.48
–3
–0.6
0.35
0.22
-55到150
TP0101TS
c
–20
"8
–1.0
–0.8
–3
–1.0
1.0
0.65
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
热阻，结到环境
b
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
。铜引线框架。
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
符号
R
thJA
TP0101T
357
TP0101TS
c
125
单位
° C / W
11-1
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –50
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
I
D（上）
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –2.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –0.6 A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –0.5 A
V
DS
= -5 V，I
D
= –0.6 A
I
S
= -0.6 A，V
GS
= 0 V
–2.5
–0.5
0.45
0.69
1300
–0.9
–1.2
0.65
0.85
W
mS
V
A
–20
–0.5
–26
–0.9
–1.5
"100
–1
–10
mA
m
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= –6 V, V
GS
=–4.5 V
I
D
^
–0.6 A
2020
180
720
110
80
30
pF
3000
pC
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
V
DD
= -6 V ，R
L
= 12
W
I
D
^
-0.6 A，V
根
= –4.5 V
R
G
= 6
W
7
25
19
9
12
35
ns
30
15
VPLJ01
打开-O FF时间
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
–6
输出特性
–2.0
传输特性
T
A
= –55_C
–5
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= –5 V
–4.5 V
I
D
- 漏极电流（ A）
–4 V
–1.5
25_C
125_C
–1.0
–4
–3.5 V
–3 V
–3
–2
–2.5 V
–2 V
–1.5 V
–0.5, 1 V
–0.5
–1
0
0
–1
–2
–3
–4
0.0
0.0
– 0.5
–1.0
–1.5
– 2.0
– 2.5
– 3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
–4
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
350
300
–3
- 电容（pF ）
250
200
150
电容
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
–2
V
GS
= –2.5 V
–1
C
国际空间站
100
C
OSS
50
C
RSS
V
GS
= –4.5 V
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0
–3
–6
–9
– 12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
–7
–6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–5
–4
–3
–2
–1
0
0
600
V
DS
= –6 V
I
D
= –0.5 A
栅极电荷
1.7
导通电阻与结温
1.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –0.5 A
1.3
1.1
0.9
1200
1800
2400
3000
0.7
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
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11-3
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
–10
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
2.5
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 50_C
–1
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.5
– 0.1
T
J
= 25_C
1.0
I
D
= –0.5 A
0.5
–0.01
0.0
– 0.5
–1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.34
10
单脉冲功率
0.24
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
I
D
= –50
mA
0.14
8
6
0.04
4
T
A
= 25_C
单脉冲
–0.06
2
–0.16
–50
0
0
50
100
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
100
T
J
=结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
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11-4
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛
产品概述
I
D
(A)
V
DS
(V)
–20
r
DS （ ON）
(W)
0.65 @ V
GS
= –4.5 V
0.85 @ V
GS
= –2.5 V
TP0101T
–0.6
–0.5
TP0101TS
–1.0
–0.9
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 0.45
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 32纳秒
2.5 V或更低的操作
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆
D
电池供电系统， DC / DC转换器
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关，手机，寻呼机
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
1
3
S
2
D
标识代码：
TP0101T ： POwll
TP0101TS ： PSwll
w
=周典
l
=批次追踪
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
b
_
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
功耗
b
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
TP0101T
–20
"8
–0.6
–0.48
–3
–0.6
0.35
0.22
-55到150
TP0101TS
c
–20
"8
–1.0
–0.8
–3
–1.0
1.0
0.65
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
热阻，结到环境
b
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
。铜引线框架。
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
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符号
R
thJA
TP0101T
357
TP0101TS
c
125
单位
° C / W
11-1
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –50
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
I
D（上）
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –2.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –0.6 A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –0.5 A
V
DS
= -5 V，I
D
= –0.6 A
I
S
= -0.6 A，V
GS
= 0 V
–2.5
–0.5
0.45
0.69
1300
–0.9
–1.2
0.65
0.85
W
mS
V
A
–20
–0.5
–26
–0.9
–1.5
"100
–1
–10
mA
m
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= –6 V, V
GS
=–4.5 V
I
D
^
–0.6 A
2020
180
720
110
80
30
pF
3000
pC
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
V
DD
= -6 V ，R
L
= 12
W
I
D
^
-0.6 A，V
根
= –4.5 V
R
G
= 6
W
7
25
19
9
12
35
ns
30
15
VPLJ01
打开-O FF时间
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11-2
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
–6
输出特性
–2.0
传输特性
T
A
= –55_C
–5
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= –5 V
–4.5 V
I
D
- 漏极电流（ A）
–4 V
–1.5
25_C
125_C
–1.0
–4
–3.5 V
–3 V
–3
–2
–2.5 V
–2 V
–1.5 V
–0.5, 1 V
–0.5
–1
0
0
–1
–2
–3
–4
0.0
0.0
– 0.5
–1.0
–1.5
– 2.0
– 2.5
– 3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
–4
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
350
300
–3
- 电容（pF ）
250
200
150
电容
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
–2
V
GS
= –2.5 V
–1
C
国际空间站
100
C
OSS
50
C
RSS
V
GS
= –4.5 V
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0
–3
–6
–9
– 12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
–7
–6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–5
–4
–3
–2
–1
0
0
600
V
DS
= –6 V
I
D
= –0.5 A
栅极电荷
1.7
导通电阻与结温
1.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –0.5 A
1.3
1.1
0.9
1200
1800
2400
3000
0.7
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70229
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
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TP0101T/TS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
–10
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
2.5
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 50_C
–1
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.5
– 0.1
T
J
= 25_C
1.0
I
D
= –0.5 A
0.5
–0.01
0.0
– 0.5
–1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.34
10
单脉冲功率
0.24
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
I
D
= –50
mA
0.14
8
6
0.04
4
T
A
= 25_C
单脉冲
–0.06
2
–0.16
–50
0
0
50
100
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
100
T
J
=结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
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