TS12A4516 , TS12A4517
,
www.ti.com
.................................................................................................................................................
SCDS236B - 2006年12月 - 修订2009年4月
双电源,低导通电阻SPST CMOS模拟开关
1
特点
± 1 V至± 6 V双电源供电
指定的导通电阻:
– 25
最大±5 V电源
– 35
最大为± 3.3 V电源
– 47
最大为± 1.8 V电源
规定的低关断漏电流:
- 5 nA的在25℃下
- 10 nA的在85℃下
指定的低导通漏电流:
- 5 nA的在25℃下
- 10 nA的在85℃下
低电荷注入: 13 PC( ± 5 V电源)
开关速度快:
t
ON
= 85纳秒,T
关闭
= 50纳秒( ± 5 V电源)
突破前先操作(T
ON
& GT ;吨
关闭
)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2500 -V人体模型( A114 -F )
- 1000 -V带电器件模型( C101 -C )
- 250 -V机型号( A115 -A )
描述/订购信息
该TS12A4516 / TS12A4517是单极/单掷( SPST ) ,低电压,双电源CMOS模拟
开关,具有极低的开关导通电阻。该TS12A4516是常开(NO ) 。该TS12A4517是
常闭( NC ) 。
这些CMOS开关可以在± 1 V和± 6 V [ ( 2 V <双电源(连续运行V
+
– V
–
) <
12 V] 。每个交换机可以处理轨到轨模拟信号。关断泄漏电流最大仅为5 nA的在25℃下
或10 nA的在85℃ 。
对于引脚兼容的配件单相供电使用,请参阅TS12A4514 / TS12A4515 。
订购信息
T
A
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SOP ( SOT - 23 ) - DBV
SOIC - D
SOP ( SOT - 23 ) - DBV
(1)
(2)
包
(1) (2)
1500卷
2500卷
3000卷
1500卷
2500卷
3000卷
订购型号
TS12A4516D
TS12A4516DR
TS12A4516DBVR
TS12A4517D
TS12A4517DR
TS12A4517DBVR
顶部端标记
YD516
9CL_
YD517
9CM_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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TS12A4516 , TS12A4517
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销刀豆网络gurations
TS12A4516
包
( TOP VIEW )
TS12A4517
包
( TOP VIEW )
TS12A4516
DBV包装
( TOP VIEW )
TS12A4517
DBV包装
( TOP VIEW )
COM
1
北卡罗来纳州
2
北卡罗来纳州
3
V
+
4
8
7
6
5
NO
V
–
IN
北卡罗来纳州
COM
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
+
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
–
COM
NO
1
5
V
+
COM
NC
V
–
1
5
V
+
2
2
IN
北卡罗来纳州
V
–
3
4
IN
3
4
IN
输入
低
高
开关状态
TS12A4516
关闭
ON
TS12A4517
ON
关闭
北卡罗来纳州=没有内部连接
NC =常闭
NO =常开
绝对最低和最高等级
(1) (2)
参考电压为0 V
民
V
+
V
NC
V
NO
V
COM
V
IN
电源电压范围
模拟电压范围
(3)
逻辑输入范围
连续电流到任何终端
峰值电流,编号或COM (脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
每个方法3015.7 ESD
连续功率耗散(T
A
= 70°C)
T
A
T
英镑
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
(1)
(2)
(3)
8引脚SOIC (减免5.88毫瓦/°C, 70°C以上)
5引脚SOT23-5 (减免7.1毫瓦/°C, 70°C以上)
–40
–65
–0.3
V
–
–0.3
V
–
–0.3
最大
13
V
+
+ 0.3
V
+
+ 0.3
±20
±30
>2000
471
571
85
150
300
单位
V
V
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
电压超过V
+
或GND上的任何信号端子通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大电流
投资评级。
2
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电气特性为± 5 V电源
(1)
V
+
= 4.5 V至5.5 V ,V
–
= -4.5 V到-5.5 V,T
A
= -40 ℃至85 ℃(除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO , NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入( IN)
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
(4)
NO , NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
V
–
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
I
–
V
IN
= 0 V或V
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
25°C
满
–70
–80
70
80
A
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否(关)
,
C
NC (关闭)
C
COM (关闭)
C
COM(上)
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的,V
NO
= 0 V,
R
S
= 0
,
SEE
图1
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 1兆赫
R
L
= 600
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 20千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–13
5.5
5.5
16
1.5
464
–83
0.07
28
58
75
85
45
50
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
V
+
– 1.5
V
–
V
+
– 3.5
0.010
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 4.5 V, V
–
= –4.5 V,
V
COM
= 3.5 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 4.5 V, V
–
= –4.5 V,
V
COM
= –3.5 V, 0 V, 3.5 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 5.5 V, V
–
= –5.5 V,
V
COM
= 4.5 V,
V
NO
或V
NC
= –4.5 V
V
+
= 5.5 V, V
–
= –5.5 V,
V
COM
= –4.5 V,
V
NO
或V
NC
= 4.5 V
V
+
= 5.5 V, V
–
= –5.5 V,
V
COM
= 5.5 V,
V
NO
或V
NC
=打开
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1.2
V
–
12
V
+
20
25
2.5
3
5
10
5
10
5
10
nA
nA
nA
V
符号
测试条件
T
A
最小值典型值
(2)
最大
单位
r
对(平)
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100%测试,并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定,未经生产测试
版权所有2006-2009 ,德州仪器
提交文档反馈
3
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电气特性为± 3.3 V电源
(1)
V
+
= 3.0 V至3.6 V ,V
–
= -3.0 V至-3.6 ,T
A
= -40 ℃至85 ℃(除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO , NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入( IN)
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
(4)
NO , NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
V
–
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
I
–
V
IN
= 0 V或V
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
25°C
满
–40
45
40
45
A
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
COM (关闭)
C
COM(上)
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的,V
NO
= 0 V,
R
S
= 0
,
SEE
图1
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 600
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 20千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–7.5
5.5
5.5
16
1.5
464
–83
0.10
37
65
85
95
60
70
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
V
+
– 1.5
V
–
V
+
– 3.5
0.01
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 3.0 V, V
–
= –3.0 V,
V
COM
= 3 V,
I
COM
= 20毫安
V
COM
= –2 V, 0 V, 2 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 3.6 V, V
–
= –3.6 V,
V
COM
= 3 V,
V
NO
或V
NC
= –3 V
V
+
= 3.6 V, V
–
= –3.6 V,
V
COM
= –3 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
V
+
= 3.6 V, V
–
= –3.6 V,
V
COM
= 3.6 V,
V
NO
或V
NC
=打开
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1.5
V
–
17
V
+
25
35
3
4
5
10
5
10
5
10
nA
nA
nA
V
符号
测试条件
T
A
民
典型值
(2)
最大
单位
r
对(平)
I
NO (关闭) ,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100%测试,并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定,未经生产测试
4
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,
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SCDS236B - 2006年12月 - 修订2009年4月
电气特性为± 1.8 V电源
(1)
V
+
= 1.65 V至1.95 V ,V
–
= -1.65 V至-1.95 V,T
A
= -40 ℃至85 ℃(除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO , NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入( IN)
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
(4)
打开-O FF时间
(4)
电荷注入
(4)
NO , NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
V
–
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
I
–
V
IN
= 0 V或V
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
25°C
满
–20
–30
20
30
A
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否(关)
,
C
NC (关闭)
C
COM (关闭)
C
COM(上)
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的,看
图1
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 1兆赫
R
L
= 600
,
C
L
= 50 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 20千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–3.5
6
6
14.5
1.5
464
–83
0.37
95
90
120
150
150
200
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
V
+
– 1.5
V
–
V
+
– 3.5
0.01
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 1.65 V, V
–
= –1.65 V,
V
COM
= 0 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 1.65 V, V
–
= –1.65 V,
V
COM
= –1.8 V, 0 V, 1.5 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 1.95 V, V
–
= –1.95 V,
V
COM
= 1.65 V,
V
NO
或V
NC
= –1.65 V
V
+
= 1.95 V, V
–
= –1.95 V,
V
COM
= –1.65 V,
V
NO
或V
NC
= 1.65 V
V
+
= 1.95 V, V
–
= –1.95 V,
V
COM
= 1.95 V,
V
NO
或V
NC
=打开
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
9
V
–
28
V
+
40
47
13
15
5
10
5
10
5
10
nA
nA
nA
V
符号
测试条件
T
A
民
典型值
(2)
最大
单位
r
对(平)
I
NO (关闭) ,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100%测试,并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定,未经生产测试
版权所有2006-2009 ,德州仪器
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TS12A4516 , TS12A4517
,
www.ti.com
.................................................................................................................................................
SCDS236B - 2006年12月 - 修订2009年4月
双电源,低导通电阻SPST CMOS模拟开关
1
特点
± 1 V至± 6 V双电源供电
指定的导通电阻:
– 25
最大±5 V电源
– 35
最大为± 3.3 V电源
– 47
最大为± 1.8 V电源
规定的低关断漏电流:
- 5 nA的在25℃下
- 10 nA的在85℃下
指定的低导通漏电流:
- 5 nA的在25℃下
- 10 nA的在85℃下
低电荷注入: 13 PC( ± 5 V电源)
开关速度快:
t
ON
= 85纳秒,T
关闭
= 50纳秒( ± 5 V电源)
突破前先操作(T
ON
& GT ;吨
关闭
)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2500 -V人体模型( A114 -F )
- 1000 -V带电器件模型( C101 -C )
- 250 -V机型号( A115 -A )
描述/订购信息
该TS12A4516 / TS12A4517是单极/单掷( SPST ) ,低电压,双电源CMOS模拟
开关,具有极低的开关导通电阻。该TS12A4516是常开(NO ) 。该TS12A4517是
常闭( NC ) 。
这些CMOS开关可以在± 1 V和± 6 V [ ( 2 V <双电源(连续运行V
+
– V
–
) <
12 V] 。每个交换机可以处理轨到轨模拟信号。关断泄漏电流最大仅为5 nA的在25℃下
或10 nA的在85℃ 。
对于引脚兼容的配件单相供电使用,请参阅TS12A4514 / TS12A4515 。
订购信息
T
A
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SOP ( SOT - 23 ) - DBV
SOIC - D
SOP ( SOT - 23 ) - DBV
(1)
(2)
包
(1) (2)
1500卷
2500卷
3000卷
1500卷
2500卷
3000卷
订购型号
TS12A4516D
TS12A4516DR
TS12A4516DBVR
TS12A4517D
TS12A4517DR
TS12A4517DBVR
顶部端标记
YD516
9CL_
YD517
9CM_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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TS12A4516 , TS12A4517
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SCDS236B - 2006年12月 - 修订2009年4月
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销刀豆网络gurations
TS12A4516
包
( TOP VIEW )
TS12A4517
包
( TOP VIEW )
TS12A4516
DBV包装
( TOP VIEW )
TS12A4517
DBV包装
( TOP VIEW )
COM
1
北卡罗来纳州
2
北卡罗来纳州
3
V
+
4
8
7
6
5
NO
V
–
IN
北卡罗来纳州
COM
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
+
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
–
COM
NO
1
5
V
+
COM
NC
V
–
1
5
V
+
2
2
IN
北卡罗来纳州
V
–
3
4
IN
3
4
IN
输入
低
高
开关状态
TS12A4516
关闭
ON
TS12A4517
ON
关闭
北卡罗来纳州=没有内部连接
NC =常闭
NO =常开
绝对最低和最高等级
(1) (2)
参考电压为0 V
民
V
+
V
NC
V
NO
V
COM
V
IN
电源电压范围
模拟电压范围
(3)
逻辑输入范围
连续电流到任何终端
峰值电流,编号或COM (脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
每个方法3015.7 ESD
连续功率耗散(T
A
= 70°C)
T
A
T
英镑
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
(1)
(2)
(3)
8引脚SOIC (减免5.88毫瓦/°C, 70°C以上)
5引脚SOT23-5 (减免7.1毫瓦/°C, 70°C以上)
–40
–65
–0.3
V
–
–0.3
V
–
–0.3
最大
13
V
+
+ 0.3
V
+
+ 0.3
±20
±30
>2000
471
571
85
150
300
单位
V
V
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
电压超过V
+
或GND上的任何信号端子通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大电流
投资评级。
2
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电气特性为± 5 V电源
(1)
V
+
= 4.5 V至5.5 V ,V
–
= -4.5 V到-5.5 V,T
A
= -40 ℃至85 ℃(除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO , NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入( IN)
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
(4)
NO , NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
V
–
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
I
–
V
IN
= 0 V或V
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
25°C
满
–70
–80
70
80
A
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否(关)
,
C
NC (关闭)
C
COM (关闭)
C
COM(上)
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的,V
NO
= 0 V,
R
S
= 0
,
SEE
图1
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 1兆赫
R
L
= 600
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 20千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–13
5.5
5.5
16
1.5
464
–83
0.07
28
58
75
85
45
50
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
V
+
– 1.5
V
–
V
+
– 3.5
0.010
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 4.5 V, V
–
= –4.5 V,
V
COM
= 3.5 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 4.5 V, V
–
= –4.5 V,
V
COM
= –3.5 V, 0 V, 3.5 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 5.5 V, V
–
= –5.5 V,
V
COM
= 4.5 V,
V
NO
或V
NC
= –4.5 V
V
+
= 5.5 V, V
–
= –5.5 V,
V
COM
= –4.5 V,
V
NO
或V
NC
= 4.5 V
V
+
= 5.5 V, V
–
= –5.5 V,
V
COM
= 5.5 V,
V
NO
或V
NC
=打开
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1.2
V
–
12
V
+
20
25
2.5
3
5
10
5
10
5
10
nA
nA
nA
V
符号
测试条件
T
A
最小值典型值
(2)
最大
单位
r
对(平)
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100%测试,并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定,未经生产测试
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电气特性为± 3.3 V电源
(1)
V
+
= 3.0 V至3.6 V ,V
–
= -3.0 V至-3.6 ,T
A
= -40 ℃至85 ℃(除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO , NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入( IN)
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
(4)
NO , NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
V
–
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
I
–
V
IN
= 0 V或V
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
25°C
满
–40
45
40
45
A
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
COM (关闭)
C
COM(上)
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的,V
NO
= 0 V,
R
S
= 0
,
SEE
图1
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 600
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 20千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–7.5
5.5
5.5
16
1.5
464
–83
0.10
37
65
85
95
60
70
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
V
+
– 1.5
V
–
V
+
– 3.5
0.01
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 3.0 V, V
–
= –3.0 V,
V
COM
= 3 V,
I
COM
= 20毫安
V
COM
= –2 V, 0 V, 2 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 3.6 V, V
–
= –3.6 V,
V
COM
= 3 V,
V
NO
或V
NC
= –3 V
V
+
= 3.6 V, V
–
= –3.6 V,
V
COM
= –3 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
V
+
= 3.6 V, V
–
= –3.6 V,
V
COM
= 3.6 V,
V
NO
或V
NC
=打开
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1.5
V
–
17
V
+
25
35
3
4
5
10
5
10
5
10
nA
nA
nA
V
符号
测试条件
T
A
民
典型值
(2)
最大
单位
r
对(平)
I
NO (关闭) ,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100%测试,并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定,未经生产测试
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电气特性为± 1.8 V电源
(1)
V
+
= 1.65 V至1.95 V ,V
–
= -1.65 V至-1.95 V,T
A
= -40 ℃至85 ℃(除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO , NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入( IN)
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
(4)
打开-O FF时间
(4)
电荷注入
(4)
NO , NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
V
–
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
I
–
V
IN
= 0 V或V
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
25°C
满
–20
–30
20
30
A
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否(关)
,
C
NC (关闭)
C
COM (关闭)
C
COM(上)
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的,看
图1
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
F = 1MHz时,看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 1兆赫
R
L
= 600
,
C
L
= 50 pF的,
V
NO
= 1 V
RMS
, F = 20千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–3.5
6
6
14.5
1.5
464
–83
0.37
95
90
120
150
150
200
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
V
+
– 1.5
V
–
V
+
– 3.5
0.01
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 1.65 V, V
–
= –1.65 V,
V
COM
= 0 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 1.65 V, V
–
= –1.65 V,
V
COM
= –1.8 V, 0 V, 1.5 V,
I
COM
= 20毫安
V
+
= 1.95 V, V
–
= –1.95 V,
V
COM
= 1.65 V,
V
NO
或V
NC
= –1.65 V
V
+
= 1.95 V, V
–
= –1.95 V,
V
COM
= –1.65 V,
V
NO
或V
NC
= 1.65 V
V
+
= 1.95 V, V
–
= –1.95 V,
V
COM
= 1.95 V,
V
NO
或V
NC
=打开
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
9
V
–
28
V
+
40
47
13
15
5
10
5
10
5
10
nA
nA
nA
V
符号
测试条件
T
A
民
典型值
(2)
最大
单位
r
对(平)
I
NO (关闭) ,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100%测试,并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定,未经生产测试
版权所有2006-2009 ,德州仪器
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