【TPCA8A02-H东芝场效应晶体管，内置的肖特基二极管硅N沟道MOS类型（U - MOS V -H】,IC型号TPCA8A02-H,TPCA8A02-H PDF资料,TPCA8A02-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPCA8A02-H

东芝场效应晶体管，内置的肖特基二极管

硅N沟道MOS类型（U - MOS V -H ）

TPCA8A02-H

高效率DC- DC转换器应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

0.5±0.1

1.27

0.4±0.1

单位：mm

0.05 M A

内置的肖特基势垒二极管

6.0±0.3

高速开关

小栅极电荷：Q

= 8.6 NC （典型值）。

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 3.8毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 90 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 30 V)

增强型： V

= 1.3 2.3 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

5.0±0.2

低正向电压： V

DSF

0.6

V（最大值）

0.15±0.05

5.0±0.2

0.95±0.05

0.595

0.166±0.05

0.05 S

1.1±0.2

0.6±0.1

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

（ TC = 25 ℃ ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

英镑

等级

±20

102

2.8

单位

4.25±0.2

0.8±0.1

1,2,3 ： SOURCE

5,6,7,8 ：排水

4 ：门

JEDEC

JEITA

东芝

2-5Q1A

脉冲（注1 ）

(Tc=25℃)

10 s)

（注2A ）

漏极功耗

重量： 0.069克（典型值）。

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

1.6

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

电路CON组fi guration

150

3.23

150

°C

3.5±0.2

注意：对于注释1至4中，参考下页。

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性

手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即

可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2010-01-19

TPCA8A02-H

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

(Tc=25℃)

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

符号

TH（ CH-C ）

最大

2.78

单位

° C / W

第（章-a）的

44.6

° C / W

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

第（章-a）的

78.1

° C / W

记号

（注5 ）

TPCA

8A02-H

TYPE

LOT号

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

0.1 mH的，R

Ω,

34 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

2010-01-19

TPCA8A02-H

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

关闭

gs1

≈

24 V, V

10 V，I

34 A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

10 V

4.7

10 V, V

0 V，F

5兆赫

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±20

V, V

0 V

30 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 20

10 V，I

1毫安

4.5 V，I

17 A

10 V，I

17 A

10 V，I

17 A

民

1.3

17 A

OUT

0.88Ω

典型值。

4.8

3.8

2640

100

610

1.0

3.6

7.7

8.1

4.8

8.6

最大

±100

100

2.3

6.7

5.3

3430

150

1.5

单位

μA

mΩ

≈

15 V

税

≤

1%, t

μs

≈

24 V, V

10 V，I

34 A

≈

24 V, V

5 V，I

34 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

1 ，V

0 V

34 A，V

0 V

民

典型值。

0.4

最大

102

0.6

1.2

单位

2010-01-19

TPCA8A02-H

– V

4.5

100

3.5

3.4

3.3

4.5

– V

3.6

常见的来源

25°C

脉冲测试

3.4

3.2

3.0

VGS

2.7 V

(A)

3.2

漏电流

3.1

常见的来源

25°C

脉冲测试

2.9

VGS

2.7 V

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压

(V)

漏电流

(A)

漏源电压

(V)

– V

0.4

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.3

(A)

漏源电压

漏电流

= 55°C

100

(V)

0.2

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

34 A

0.1

8.5

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

1000

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

常见的来源

25°C

脉冲测试

DS （ ON）

(S)

100

= 55°C

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

4.5 V

正向转移导纳

VGS

10 V

100

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2010-01-19

TPCA8A02-H

DS （ ON）

100

(A)

常见的来源

脉冲测试

8.5 A

17 A

34 A

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

4.5

VGS

4.5 V

VGS

10 V

8.5 A,17 A,34 A

反向漏电流

VGS

0 V

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

120

160

环境温度

(°C)

漏源电压

(V)

电容

10000

2.5

(V)

栅极阈值电压

西塞

（PF ）

2.0

1000

科斯

1.5

电容

100

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

CRSS

1.0

0.5

0.1

100

常见的来源

VDS

10 V

1毫安

脉冲测试

120

160

漏源电压

(V)

环境温度

(°C)

动态输入/输出

特征

常见的来源

34 A

25°C

脉冲测试

(V)

漏源电压

VDS

VDD

6 V

总栅极电荷

（ NC ）

栅源电压

(V)

2010-01-19

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