TS12011/TS12012
一个0.8V / 1.5μA纳安级功耗运算放大器，比较器和参考
特点
描述
纳功率运算放大器，比较器和0.58V
2
引用一个4毫米包装
超低的总电源电流： 1.6μA （最大值）
电源电压工作： 0.8V至2.5V
内部0.58V参考
运算放大器和比较器输入范围
轨到轨
单位增益稳定运算放大器，
VOL
= 104分贝
运算放大器的输出：轨到轨和相位
逆转免费
内部± 7.5mV比较滞后
20μs的比较器传输延迟
可复位锁存比较器
TS12011 ：推拉式，轨到轨输出级
用撬杠电流自由切换
TS12012 ：为Wired-开漏输出级
OR或混合电压系统中的应用
该TS12011 / TS12012结合了0.58V基准，
20μs的模拟比较器和一个单位增益稳定
运算放大器在单个封装中。所有这三个
器件采用0.8V至2.5V电源工作
供应和消耗小于1.6μA总供给
电流。优化的超长续航时间，单细胞和
电池供电的应用，这些设备扩大
试金石不断增长的“纳瓦模拟 ”高
高性能模拟集成电路产品组合。
无论是模拟比较器和运算放大器功能
轨到轨输入级。模拟比较器
展品±内部滞后7.5mV清洁，
无抖动输出切换。内参
旨在吸收或源达0.1μA负载
电流。当相比较同类产品，
在TS12011和TS12012提供一个因子的-20
更低的功耗和至少55％的
减少PCB面积。
该TS12011和TS12012完全指定
在-40° C至+ 85 ° C的温度范围内，每
是一个低调， 10引脚TDFN采用2x2mm可用
封装，带有裸背面桨。
应用
低频，本地区域警报/探测器
烟雾探测器和安全传感器
红外接收器的遥控器
仪器仪表，终端和条形码阅读器
电池供电系统
智能卡读卡器
典型应用电路
试灯火焰探测器，具有低电池锁定电路
产品型号
TS12011
TS12012
试金石安森美半导体图标和“纳瓦模拟”的
试金石半导体， Incorporated的注册商标。
比较
输出级
推挽
漏极开路
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2012试金石半导体， Inc.保留所有权利。
TS12011/TS12012
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
到V
SS
) ................................................. +2.75 V
输入电压
AMPIN + ， AMPIN- ........................ 。 ... .V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
COMPIN + ， COMPIN- ... .......................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
牛逼.................................... .. ... 。 ... .. V
SS
- 0.3V至+ 5.5V
输出电压
AMPOUT ， REFOUT ......... 。 ............ ...... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
COMPOUT （ TS12011 ） ............ ......... ... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
COMPOUT （ TS12012 ） ... ... ... .. ............ 。 ... V
SS
- 0.3V至+ 5.5V
差分输入电压（ AMPIN ， COMPIN ） ........................ ± 2.75V
输出电流
AMPOUT ， COMPOUT ..................... ............................... 50毫安
短路持续时间
（ REFOUT ， AMPOUT ， COMPOUT ） .................. ... ... 。连续
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
10引脚TDFN （ /减额在13.48mW ° C以上+ 70 ° C） ......... 1078mW
工作温度范围................................ -40 ° C至+ 85°C
结温.......................................... .. ...... + 150°C
存储温度范围................................. -65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ..................................... + 300℃
超出“绝对最大额定值”电应力和热应力可能会导致器件的永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的这些功能操作或超出任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性和
寿命。
封装/订购信息
订单号
部分
CARRIER QUANTITY
记号
订单号
部分
CARRIER QUANTITY
记号
TS12011ITD1022TP
AAL
TS12011ITD1022T
TAPE
& REEL
TAPE
& REEL
-----
3000
TS12012ITD1022TP
AAM
TS12012ITD1022T
TAPE
& REEL
TAPE
& REEL
-----
3000
无铅计划：
试金石安森美半导体提供唯一的无铅封装。
咨询试金石半导体与较宽的工作温度范围规定的产品。
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TS12011_12DS r1p0
RTFDS
TS12011/TS12012
V
DD
= 0.8V, V
SS
= 0V, V
COMPIN +/-
= 0V, V
AMPIN +/-
= 0V, V
AMPOUT
= (V
DD
+ V
SS
)/2, V
COMPOUT
=成为HiZ 。牛逼
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。
典型值是在T
A
= + 25C 。见注1 。
参数
符号
条件
民
典型值最大值单位
控制引脚部分
0.1
比较器锁存输出0.8V ≤ V
DD
≤ 1.1V
V
IL
V
科技投入的低电压
启用
1.1V < V
DD
≤ 2.5V
0.2
V
DD
- 0.1
比较器锁存输出0.8V ≤ V
DD
≤ 1.1V
V
IH
V
科技投入的高电压
残
1.1V < V
DD
≤ 2.5V
1
科技投入泄漏
V
T
= V
SS
; V
T
= 5.5V
100
nA
注1 ：
所有设备都100 ％的生产在T测试
A
= + 25°C和特性对于T的保证
A
= T
民
给T
最大
作为指定。
注2 ：
V
OS
被定义为滞环带的在输入端的中心。
注3 ：
迟滞相关的跳变点是由滞环带的边缘限定并测得相对于中心
滞环带（即，V
OS
).
注4 ：
传播延迟是用C的输出负载电容指定
L
= 15pF的。 V
OVERDRIVE
上面已经定义并且超出
偏移电压比较器的输入的和滞后。
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TS12011_12DS r1p0
RTFDS
TS12011/TS12012
引脚功能
针
1
2
3
4
名字
AMPOUT
AMPIN-
AMPIN +
VSS
功能
扩增fi er输出
放大器反相输入
扩增fi er非反相输入
负电源电压。
锁存使能引脚。当
T设定高电平，的输出
比较会翻转通常是根据输入的
比较器。例如，当
T被置为低电平和
TS12011输出为高电平时，输出将保持高电平，尽管
任何更改到比较器的输入。输出将一次
再次变化到输入时，响应
T被触发
HIGH 。如果比较器的输出为初始低和
T是那么低，输出将保持在低水平。如果一个低到
高的跳变出现在输出中，输出将切换到
高和维持高位，而不是在任何变化做出反应
输入。该
针必须始终设置为已知状态。该
TS12012输出是TS12011输出的反相版本。
对于虚掩的比较器操作，设定
吨至HIGH 。
比较器的非反相输入
0.58V参考输出
比较器的反相输入
比较Output.TS12011具有推挽输出级。
TS12012具有开漏输出级。
正电源电压。从接一个0.1μF的旁路电容
该引脚为模拟VSS / GND 。
裸焊盘电连接到VSS / GND 。
5
T
6
7
8
9
10
EP
COMPIN +
REFOUT
COMPIN-
COMPOUT
VDD
----
TS12011_12DS r1p0
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RTFDS
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