TQM879026
0.7-4 GHz的W数字可变增益放大器
应用
3G / 4G无线基础设施
CDMA，WCDMA， LTE
中继器
4×4毫米24引脚无铅SMT封装
产品特点
0.74.0 GHz频率范围内
32分贝最大增益为2.14 GHz的
31.5分贝增益范围为0.5 dB步
42.5 dBm的输出IP3
+24 dBm输出P1dB为
1.6分贝噪声系数
3线SPI控制编程
功能框图
DSA出
NC
NC
NC
NC
19
18
17
DSA
16
15
6-BIT
SPI
14
13
引脚1标记
24
23
22
21
NC
NC
在DSA
NC
AMP1输出/ V
CC1
NC
1
2
3
4
5
6
20
在AMP2
NC
NC
AMP2输出/ V
CC2
LE
SID
CLK
10
11
NC
AMP1在
超氧化物歧化酶
V
DD
NC
NC
12
7
8
9
背面桨
RF / DC GND
概述
该TQM879026是一种数字可变增益放大器
（ DVGA ），具有高线性度和数字可变增益
控制在0.5分贝步长。这DVGA集成了
增益模块，一个数字步进衰减器（DSA） ，和一个高
线性瓦的放大器成一个紧凑的4x4毫米
封装。内部6位的DSA提供31.5分贝
增益控制范围，并进行控制用的串行
TM
外围接口（SPI） 。各个阶段是
访问的外部端口，以允许优化
最后一级放大器，用于单个波段和也
允许其它功能块被添加IN-
级之间。
该TQM879026功能可变增益1 dB至
32分贝在2.14千兆赫， 42.5 dBm的输出IP3和+24
dBm的P1dB的，而只有消耗176 mA电流
5V电源。该模块采用紧凑型24
引脚4×4毫米无铅SMT封装。
引脚配置
PIN号
1,2,4,6,7,9,11,17,18,19,21,22,24
3
5
8
10
12
13
14
15
16
20
23
背面桨
符号
NC （无连接）
在DSA
AMP1输出/ VCC1
AMP1在
超氧化物歧化酶
V
DD
CLK
SID
LE
AMP2输出/电源Vcc2
在AMP2
DSA出
射频/直流接地
订购信息
产品型号
TQM879026
描述
W 0.74.0 GHz的DVGA
2140兆赫评估板
TQM879026-PCB2140
包括USB控制板
标准T / R的大小= 2500块一13“卷轴
数据表： B版2012年12月14日
2012 TriQuint半导体
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1第8
-
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TQM879026
0.7-4 GHz的W数字可变增益放大器
绝对最大额定值
参数
储存温度
°
RF输入功率， CW ， 50Ω ，T = 25℃
电源电压（V
DD
)
数字输入电压
推荐工作条件
参数
电源电压（V
DD
)
T
例
6
TJ的>10小时MTTF
等级
-55 ℃150℃
+12 dBm的
+5.5 V
V
DD
+ 0.5 V
民
4.75
-40
典型值
5.0
最大单位
5.25
+85
+170
V
°C
°C
此设备的操作参数范围之外
上面给出可能造成永久性的损害。
电气规格是在特定的测试测量
条件。规格不能保证在所有
推荐工作条件。
电气规格
试验条件除非另有说明：
V
DD
= + 5V ，温度= + 25 ° C，匹配2140 MHz的参考电路，最大。增益设置。
参数
工作频率范围
测试频率
收益
增益控制范围
精度误差
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
电源电流
热阻， θ
jc
条件
民
700
典型值
最大
4000
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
° C / W
0.5分贝步长
POUT = 11 dBm的/语气， ΔF = 1兆赫
见注1
模块（结到外壳）
2140
29
32
35
31.5
±（衰减设置0.3 + 5 ％ ）
17
13
+24
+38
+42.5
1.5
140
176
211
36.7
注意事项：
1. AMP1电流（引脚5）通常是84毫安。 AMP2电流（引脚16）一般为90毫安。目前DSA （引脚12 ）通常为2毫安。
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TQM879026
0.7-4 GHz的W数字可变增益放大器
串行控制接口
该TQM879026具有CMOS输入SPI兼容的串行接口。该串行控制接口转换
TM
串行数据输入流中的并行输出字。输入为3线（ CLK ， LE和SID ） SPI输入兼容。在
电时，串行控制接口复位DSA到最小增益状态。在6位的SID （串行输入数据）
字加载到寄存器的CLK ， MSB的上升沿第一。当LE为高电平时， CLK ，内部禁用。
TM
串行控制时序特性
（测试条件： V
参数
时钟频率
LE安装时间，t
LESUP
LE脉冲宽度，T
LEPW
SID的建立时间，叔
SDSUP
SID保持时间，T
SDHLD
LE脉冲间隔吨
LE
传播延迟吨
巴解组织
DD
= +5 V，温度= 25 ° C）
条件
占空比为50％
经过最后的CLK上升沿
之前CLK的上升沿
CLK上升沿后
LE LE以脉冲间隔
LE到并行输出有效
民
10
30
10
10
630
最大
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
= +5 V，温度= 25 ° C）
串行控制直流逻辑特征
（测试条件： V
参数
输入低电压状态，V
IL
输入高电压状态，V
IH
输出高电平电压，V
OH
输出低电压状态，V
OL
输入电流I
IH
/ I
IL
DD
条件
民
0
2.4
2.0
0
10
最大
0.8
V
DD
V
DD
0.8
+10
单位
V
V
V
V
A
对SOD针
对SOD针
在SID ， LE和CLK引脚
SID控制逻辑真值表
6位控制字
最高位
时序图
CLK在内部禁用时LE高
D5-D0
MSB - LSB
D5-D0
MSB - LSB
获得相对于
最大增益
最低位
D0
1
0
1
1
1
1
1
0
最大增益
± 0.5分贝
1分贝
-2分贝
-4分贝
-8分贝
-16分贝
-31.5分贝
D5
1
1
1
1
1
1
0
0
D4
1
1
1
1
1
0
1
0
D3
1
1
1
1
0
1
1
0
D2
1
1
1
0
1
1
1
0
D1
1
1
0
1
1
1
1
0
LE
t
巴解组织
CLK
SID
可能的64种状态的任何组合将提供一个
减少了的位近似之和增益
选择。
t
SDSUP
t
SDHLD
t
LESUP
t
LEPW
数据表： B版2012年12月14日
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3 8
-
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0.7-4 GHz的W数字可变增益放大器
TQM879026 - PCB2140评估板
L3
2.2 nH的
C9
0.8 pF的
C8
1.2 pF的
R4
4.3
VDD
J5-19
24
23
22
21
20
19
1
18
物料清单 - TQM879026 - PCB2140
参考德。
U1
C1, C2
C3
C4
C6
C7
C8
C9
L1
L2
L3
R1, R2, R3, R5
R4
数据表： B版2012年12月14日
2012 TriQuint半导体
C4
C6
L1
C2
L3
C7
22 pF的
1 uF的
17
SPI
2
C1
U1
R4
C8
DSA
3
16
L2
18 nH的
R5
0
C3
8.2 pF的
J2
RF
产量
C9
R3
R2
R1
R5
C3
C6
C7
J5
VDD
J5-1
L2
C2
100 pF的
4
15
R1
0
LE
J5-13
数据
J5-11
CLK
J5-12
5
14
R2
0
L1
68 nH的
6
13
R3
0
C4
0.01 uF的
7
8
9
10
11
12
C1
100 pF的
J1
RF
输入
超氧化物歧化酶
J5-14
VDD
J5-1
价值
不适用
100 pF的
8.2 pF的
0.01 uF的
1 uF的
22 pF的
1.2 pF的
0.8 pF的
68 nH的
18 nH的
2.2 nH的
0Ω
4.3 Ω
描述
W DVGA
0402章5 ％ 50V NPO / COG
盖0402 ± 0.1 pF的50V NPO / COG
帽0402 ±10％ 16V X7R
盖0402 ± 10 ％ 10V X5R
0402章5 ％ 50V NPO / COG
盖0402 ± 0.1 pF的25V NPO / COG
盖0402 ± 0.075 pF的25V NPO / COG
工业0402
工业0402
工业0402
RES 0402
RES 0402
MANUF 。
TriQuint公司
各个
AVX
各个
各个
各个
AVX
AVX
各个
各个
各个
各个
各个
产品型号
TQM879026
04025U8R2BAT2A
04023U1R2CAT2A
04025U0R8BAT2A
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4 8
-
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TQM879026
0.7-4 GHz的W数字可变增益放大器
典型性能TQM879026 - PCB2140
试验条件除非另有说明：
V
DD
= + 5V ，温度= + 25 ° C，在DSA最大。增益设置
参数
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
OIP3
噪声系数
条件
2110
32.6
18
15
23.8
42.8
1.6
典型的价值
2140
32.6
18
14
23.9
42.5
1.6
2170
32.6
18
13
24.0
43
1.6
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
POUT = 11 dBm的/语气， ΔF = 1兆赫
性能曲线 - TQM879026 - PCB2140
试验条件除非另有说明：
V
DD
= + 5V ，温度= + 25°C
增益与频率
输入回波损耗与频率的关系
输出回波损耗与频率
39
0
0
36
+85°C
+25°C
-5
+85°C
-5
增益（dB ）
| s22中| （ dB）的
| S11 | （分贝）
40°C
-10
+85°C
+25°C
40°C
33
-10
+25°C
40°C
-15
30
-20
-15
27
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
-25
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
-20
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
55
噘嘴= + 11 dBm的/音
1 MHz的音调间隔
OIP3与频率的关系
+85°C
+25°C
40°C
26
的P1dB与频率的关系
+85°C
3
2.5
2
NF与频率的关系
+85°C
+25°C
40°C
50
25
+25°C
40°C
OIP3 （ dBm的）
24
NF（ dB）的
2120
2130
2140
2150
2160
2170
45
P1dB的（ DBM）
1.5
1
40
35
23
0.5
22
2110
0
2110
30
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2120
2130
2140
2150
2160
2170
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
1
衰减精度与衰减
衰减精度（ dB）的
0.5
0
2170兆赫
-0.5
2140兆赫
2110兆赫
-1
0
5
10
15
20
25
30
35
衰减（dB ）
数据表： B版2012年12月14日
2012 TriQuint半导体
-
5 8
-
免责声明：如有更改，恕不另行通知
连接数码世界，贯通全球网络
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