TPD4E1U06
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SLVSBQ9B - 2012年12月 - 修订2013年2月
四通道高速ESD保护器件
检查样品：
TPD4E1U06
1
特点
提供系统级ESD保护
低电压IO接口
IEC 61000-4-2第4级
- 具有±15kV （接触放电）
- 具有±15kV （空气间隙放电）
IO电容0.8pF （典型值）
直流击穿电压6.5V （最小值）
超低漏电流为10nA （最大值）
低ESD钳位电压
工业级温度范围： -40 ° C至125°C
小，易于路由DCK ， DBV和DGS
包
应用
USB2.0
ETHERNET
HDMI控制线
MIPI总线
LVDS
SATA
D1+
D1+ 1
6
D1-
1
6
D1-
GND
GND 2
5
NC
2
5
NC
D2+ 3
4
D2-
D2+
3
4
D2-
DCK
2毫米X 2.1毫米X 0.95毫米
（ 0.65毫米间距）
1
2
的dBV
2.9毫米X 2.8 X 1.45毫米
（ 0.95毫米间距）
10
W
IE
PR
EV
DGS
3毫米x 4.9毫米X 1.1毫米
（ 0.5毫米间距）
9
8
7
6
3
4
5
描述
该TPD4E1U06是一款四通道超低帽ESD保护器件。它提供了具有±15kV IEC气隙，± 15KV
联系ESD保护。其0.8pF线电容使得它适合于广泛的应用范围。典型
应用领域主要有HDMI， USB2.0 ， MHL和DisplayPort 。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
(1)
(2)
3000
3000
3000
包
(1) (2)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
TPD4E1U06DCKR
TPD4E1U06DBVR
TPD4E1U06DGSR
顶部端标记
BPI
NG4I
待定
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
D1+
D1-
D2+
D2-
GND
图1电路原理图
终端功能DCK / DBV
针
名字
D1+
D1–
D2–
D2+
NC
GND
DBV / DCK
1
6
4
3
5
2
DGS
1
9
4
6
2, 5, 7, 10
3, 8
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
GND
无连接
地
可以悬空，接地或接
到Vcc
连接到接地
ESD保护通道
连接到数据线尽可能靠近
连接器可能
描述
用法
2
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
工作温度范围
储存温度
IEC 61000-4-2接触放电ESD
IEC 61000-4-2气隙静电放电
I
PP
，峰值脉冲电流（ TP = 8/20
μs)
P
PP
，峰值脉冲功率（ TP = 8/20
μs)
–40
–65
最大
125
155
±15
±15
3
45
单位
°C
°C
kV
kV
A
W
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
RWM
V
钳
R
DYN
C
L
C
交
C
IO - TO- GND
V
BR
I
泄漏
相反的立场-O FF电压
钳位电压ESD与
STRIKE
动态电阻
线路电容
通道到通道输入
电容
通道输入的变化
电容
击穿电压， IO来
GND
漏电流
I
IO
= 10 A
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒，
从I / O至GND
(1)
I
PP
= 3A ， TP = 8/20
微秒，
从I / O至GND
(1)
针x到GND引脚
GND到针x
F = 1MHz时， V
BIAS
= 2.5 V ，25°C
引脚2 = 0 V ， F = 1兆赫，V
BIAS
= 2.5 V之间，
销渠道
DCK包装
DBV包装
(2)
测试条件
民
典型值
最大
5.5
单位
V
V
V
Ω
11
15
1.0
0.6
0.8
0.006
0.01
0.025
6.5
1
1
0.015
0.025
0.07
8.5
10
pF
pF
pF
V
nA
引脚2 = 0V ， F = 1兆赫，V
BIAS
= 2.5 V ， channel_x引脚GND - channel_y针到
GND
I
IO
= 1毫安
V
IO
= 2.5 V
(1)
(2)
非重复性电流脉冲8/20美国指数根据IEC61000-4-5波形衰减
用我之间的拟合TLP特点最小二乘RDYN提取= 10A和I = 20A
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3
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典型特征
30
27
24
21
电流（A ）
18
15
电流（A ）
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
C001
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
12
9
6
3
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
C002
电压（V）的
电压（V）的
图2. TLP ，数据到GND
180
150
120
振幅（ V）
90
60
30
0
振幅（ V）
60
30
0
±30
±60
±90
±120
图3. TLP ，GND到数据
±30
±60
±20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220
±150
±180
±20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220
时间（纳秒）
C003
时间（纳秒）
C004
图4. IEC 61000-4-2钳位电压， + 8kV接触
1.0
0.8
0.6
0.4
电流（mA ）
0.2
0.0
CURRENT （PA ）
T
A
= 25C
图5. IEC 61000-4-2钳位电压， -8kV联系
500
450
400
350
300
250
V
IN
= 2.5 V
±0.2
±0.4
±0.6
±0.8
±1.0
±2
±1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C005
200
150
100
50
0
±55
±35
±15
5
25
45
65
85
105
125
C006
电压（V）的
温度（℃）
图6.二极管曲线，T
A
= 25°C
图7.我
泄漏
- 温度曲线，V
IN
= 2.5 V
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典型特性（续）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
3.5
F = 1 MHz的
3.0
2.5
电流（A ）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
当前
动力
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
功率（W）的
C008
电容（pF）
4.0
4.5
5.0
C007
±5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
时间（s）
V
BIAS
(V)
图8.电容跨V
BIAS
， F = 1兆赫
图9.浪涌曲线（ TP = 8/20
μs),
IO引脚与GND
图10. PCB布局建议
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