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TPV8100B
TPV8100
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI TPV8100
是专为
发射机输出级覆盖
电视频段IV和V ，工作在28 V.
功能包括：
内部输入，输出匹配
共发射极配置
黄金金属化
发射极镇流
封装类型.438X.450 4LFL
最大额定值
I
C
V
CER
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12 A
40 V R
BE
= 10
215 W @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
0.8 C / W
O
O
O
O
O
O
1 =集热＃ 1
2 =收藏家
#2
3 = BASE ＃ 1
4 = BASE ＃ 2
5 =辐射源CASE （ COMMON ）
特征
符号
BV
CER
BV
CBO
BV
EBO
I
CER
h
FE
G
p
η
P
OUT
I
C
= 10毫安
I
C
= 20毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 28 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 28 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25 C
O
测试条件
R
BE
= 75
最小典型最大
30
65
4.0
单位
V
V
V
R
BE
= 75
I
C
= 2.0 A
I
cq
= 2X50毫安
I
cq
= 2X50毫安
F = 860 MHz的
F = 860 MHz的
F = 860 MHz的
30
8.5
55
100
10
120
mA
---
dB
%
W
I
cq
= 2X50毫安
V
CE
= 28 V
1.0分贝
压缩
（ REF = 25 W）
V
CE
= 28 V
V
CE
= 32 V
I
cq
= 2X50毫安
I
cq
= 2×25毫安
在视频功能测试（标准黑电平）
P
OUT
P
OUT
F = 860 MHz的
F = 860 MHz的
125
150
W
W
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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TPV8100B
TPV8100
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI TPV8100
是专为
发射机输出级覆盖
电视频段IV和V ，工作在28 V.
功能包括：
内部输入，输出匹配
共发射极配置
黄金金属化
发射极镇流
封装类型.438X.450 4LFL
最大额定值
I
C
V
CER
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12 A
40 V R
BE
= 10
215 W @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
0.8 C / W
O
O
O
O
O
O
1 =集热＃ 1
2 =收藏家
#2
3 = BASE ＃ 1
4 = BASE ＃ 2
5 =辐射源CASE （ COMMON ）
特征
符号
BV
CER
BV
CBO
BV
EBO
I
CER
h
FE
G
p
η
P
OUT
I
C
= 10毫安
I
C
= 20毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 28 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 28 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25 C
O
测试条件
R
BE
= 75
最小典型最大
30
65
4.0
单位
V
V
V
R
BE
= 75
I
C
= 2.0 A
I
cq
= 2X50毫安
I
cq
= 2X50毫安
F = 860 MHz的
F = 860 MHz的
F = 860 MHz的
30
8.5
55
100
10
120
mA
---
dB
%
W
I
cq
= 2X50毫安
V
CE
= 28 V
1.0分贝
压缩
（ REF = 25 W）
V
CE
= 28 V
V
CE
= 32 V
I
cq
= 2X50毫安
I
cq
= 2×25毫安
在视频功能测试（标准黑电平）
P
OUT
P
OUT
F = 860 MHz的
F = 860 MHz的
125
150
W
W
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
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北好莱坞， CA 91605
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    TPV8100
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