MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP110/111/112
特点
互补PNP类型分别为/一百一十七分之一百一十六是TIP115
无铅涂层/符合RoHS （注1） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
标记：部件号
硅
NPN
达林顿
功率晶体管
绝对最大额定值@ T
a
= 25 ℃ （除非另有说明）
符号
V
CBO
TIP110
TIP111
TIP112
VCEO
TIP110
TIP111
TIP112
V
EBO
参数
集电极 - 基极电压
（打开发射器）
价值
单位
V
TO-220AB
B
F
C
S
Q
T
A
60
80
100
60
80
100
集电极 - 发射极电压
（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
V
5
I
C
集电极电流
2
I
CM
集电极电流脉冲
4
I
B
基极电流
0.05
器件总功耗（ TA = 25 ℃ ）
2
P
C
器件总功耗（ TC = 25 ℃ ）
50
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-65到+150
O
除非另有说明电气特性@ 25℃
符号
参数
民
最大
V
CEO （ SUS ）
TIP110
TIP111
TIP112
VCE （ SAT ）
V
BE
I
CBO
TIP110
TIP111
TIP112
I
首席执行官
TIP110
TIP111
TIP112
I
EBO
H
fe
集电极 - 发射极电压维持
( I
C
= 30毫安;我
B
=0)
集电极 - 发射极饱和电压
( I
C
= 2A我
B
=-0.008A )
基射极电压
( I
C
= 2A ; V
CE
=4V )
集电极截止电流
(V
CB
= 60V ;我
E
=0)
(V
CB
= 80V ;我
E
=0)
(V
CB
= 100V ;我
E
=0)
集电极截止电流
(V
CE
=30V; V
EB
=0)
(V
CE
=40V; V
EB
=0)
(V
CE
=50V; V
EB
=0)
发射极截止电流
(V
EB
= 5V ;我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 1A ; V
CE
=4V)
(I
C
= 2A ; V
CE
=4V)
输出电容
( I
E
=0 ; V
CB
= -10V ， F =为0.1MHz ）
V
A
A
A
W
W
℃
℃
U
1 2
H
K
3
单位
V
L
G
N
V
D
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
J
R
BASE
集热器
辐射源
60
80
100
2.5
2.8
V
V
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
1
mA
2
mA
2.0
1000
500
100
mA
C
OB
PF
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
修订版：A
www.mccsemi.com
1 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
2 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP110/111/112
特点
互补PNP类型分别为/一百一十七分之一百一十六是TIP115
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
标记：部件号
硅
NPN
达林顿
功率晶体管
绝对最大额定值@ T
a
= 25 ℃ （除非另有说明）
符号
V
CBO
TIP110
TIP111
TIP112
VCEO
TIP110
TIP111
TIP112
V
EBO
参数
集电极 - 基极电压
（打开发射器）
价值
单位
V
TO-220AB
B
F
C
S
Q
T
A
60
80
100
60
80
100
集电极 - 发射极电压
（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
V
5
I
C
集电极电流
2
I
CM
集电极电流脉冲
4
I
B
基极电流
0.05
器件总功耗（ TA = 25 ℃ ）
2
P
C
器件总功耗（ TC = 25 ℃ ）
50
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-65到+150
O
除非另有说明电气特性@ 25℃
符号
参数
民
最大
V
CEO （ SUS ）
TIP110
TIP111
TIP112
VCE （ SAT ）
V
BE
I
CBO
TIP110
TIP111
TIP112
I
首席执行官
TIP110
TIP111
TIP112
I
EBO
H
fe
集电极 - 发射极电压维持
( I
C
= 30毫安;我
B
=0)
集电极 - 发射极饱和电压
( I
C
= 2A我
B
=-0.008A )
基射极电压
( I
C
= 2A ; V
CE
=4V )
集电极截止电流
(V
CB
= 60V ;我
E
=0)
(V
CB
= 80V ;我
E
=0)
(V
CB
= 100V ;我
E
=0)
集电极截止电流
(V
CE
=30V; V
EB
=0)
(V
CE
=40V; V
EB
=0)
(V
CE
=50V; V
EB
=0)
发射极截止电流
(V
EB
= 5V ;我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 1A ; V
CE
=4V)
(I
C
= 2A ; V
CE
=4V)
输出电容
( I
E
=0 ; V
CB
= -10V ， F =为0.1MHz ）
V
A
A
A
W
W
℃
℃
U
1 2
H
K
3
单位
V
L
G
N
V
D
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
J
R
BASE
集热器
辐射源
60
80
100
2.5
2.8
V
V
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
1
mA
2
mA
2.0
1000
500
100
mA
C
OB
PF
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
修改：
5
www.mccsemi.com
1 2
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改：
5
2 2
2008/01/01
达林顿功率晶体管（ NPN ）
TIP110/111/112
达林顿功率晶体管（ NPN ）
特点
设计用于通用放大器和低速
切换应用程序
符合RoHS
机械数据
案例：
终端：
重量：
TO- 220 ，塑料包装
每MIL -STD- 202方法208
0.08盎司， 2.24克
TO-220
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
功率耗散高达牛逼
C
=25°C
TIP110
60
60
TIP111
80
80
5.0
2.0
4.0
50
50
2.0
16
62.5
2.5
-65到+150
TIP112
100
100
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
功率耗散高达牛逼
A
=25°C
功率耗散减免上述牛逼
A
=25°C
R
θJA
R
θJC
T
J,
T
英镑
从结点到环境的热阻在自由空气
从结热阻到外壳
工作结存储温度范围
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-06-13
第1页4
达林顿功率晶体管（ NPN ）
TIP110/111/112
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
分钟。
马克斯。
单位
条件
1000
-
-
-
-
-
2.5
2.8
2.0
1.0
2.0
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
CE
=4V,
I
C
=1A
V
CE
=4V,
I
C
=2A
*
h
FE
直流电流增益
500
TIP110
60
80
100
-
-
-
-
-
*
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极可持续
电压
TIP111
TIP112
I
C
=30mA,
I
B
=0
*
V
CE （ SAT ）
*
V
BE（上）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
I
C
=2A,
I
B
=8mA
I
C
=2A,
V
CE
=4V
V
CE
=额定一半
V
首席执行官
V
CB
=额定一半
V
CBO
V
EB
=5V,
I
C
=0
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
*脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
版本A / AH 2008-06-13
www.taitroncomponents.com
第2页4
达林顿功率晶体管（ NPN ）
TIP110/111/112
英制尺寸（mm）
TO-220
版本A / AH 2008-06-13
www.taitroncomponents.com
第3页4
达林顿功率晶体管（ NPN ）
TIP110/111/112
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
版本A / AH 2008-06-13
www.taitroncomponents.com
第4页4
TRANSYS
电子
L I M I T E
塑料功率晶体管
TIP110
TIP111
TIP112
NPN
TIP115
TIP116
TIP117
PNP
TO-220
塑料包装
拟用于中等功率线性和开关应用中使用
绝对最大额定值（T
a
=25C)
描述
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
连续集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
功率耗散高达牛逼
c
=25C
功率耗散高达牛逼
a
=25C
减免上述25℃
工作和存储
结温
热阻
结到外壳
结到环境中的自由空气
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
2.5
62.5
摄氏度/ W
摄氏度/ W
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
TIP110/115
60
60
TIP111/116
80
80
5
2
4
50
50
2
16
-65到+150
TIP112/117
100
100
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
毫瓦/℃
C
电气特性（T
c
= 25C除非另有规定）
描述
符号
测试条件
I
首席执行官
V
CE
=半额定V
首席执行官
收藏家切断电流
收藏家切断电流
发射器切断电流
集电极 - 发射极（ SUS ）电压
I
CBO
I
EBO
*V
CEO （ SUS ）
V
CB
=半额定V
CBO
V
EB
= 5V ，我
C
=0
I
C
= 30mA时我
B
=0
TIP110/115
TIP111/116
TIP112/117
集电极发射极饱和
电压
基极发射极电压
直流电流增益
*V
CE （SAT）
*V
BE（上）
*h
FE
I
C
= 2A ，我
B
=8mA
I
C
=2A,V
CE
=4V
I
C
=1A,V
CE
=4V
I
C
=2A,V
CE
=4V
民
最大
2.0
1.0
2.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
60
80
100
2.5
2.8
1,000
500
V
V
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比<2 ％
TIP110
TIP111
TIP112
NPN
TIP115
TIP116
TIP117
PNP
TO-220
塑料包装
TO- 220塑料包装
B
H
F
C
E
暗淡
民
最大
14.42
16.51
A
9.63 10.67
B
C
3.56
4.83
—
0.90
D
1.15
E
1.40
3.75
3.88
F
G
2.29
2.79
2.54
3.43
H
—
0.56
J
K
12.70 14.73
2.80
4.07
L
M
2.03
2.92
—
31.24
N
O
7 DEG
在MM都diminsions 。
A
N
L
1
2
3
D
G
K
0
J
M
0
4
1
2
3
TO- 220包装管
LABEL
536.00
±1.5
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
尾销
13.74
设备名称
SR 。
数量。
一ll尺寸（mm）
50件/管
弹药盒大小
6.87
管厚度
LABEL
92.0
538
.00
75.
0
20管/弹药包
1000件/弹药包
包装细节
包
详细
TO-220
50个/
管
标准包装
净重/
数量
120克/个
50
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
3.5" X 3.7" X 21.5"
内箱箱
数量
1.0K
1.0K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
16.0K
10.0K
克重量
36公斤
29公斤
200个/
塑料袋396克/
200个
32.85
TIP110 ， TIP111 ， TIP112
（ NPN型） ; TIP115 ， TIP116 ，
TIP117 （ PNP ）
TIP111 ， TIP112 ， TIP116和TIP117是首选设备
塑料中功率
其他芯片
晶体管
设计用于通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
h
FE
= 2500 （典型值） @我
C
= 1.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小） - TIP110 ， TIP115
= 80伏直流（最小值） - TIP111 ， TIP116
= 100伏直流（最小值） - TIP112 ， TIP117
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.5伏（最大） @我
C
= 2.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
达林顿
2安培
其他芯片
功率晶体管
60-80-100伏， 50瓦
记号
图
4
1
TO220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP11xG
AYWW
TIP11x
x
A
Y
WW
G
=器件代码
= 0，1 ，2，5 ，6或7
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年9月 - 修订版5
出版订单号：
TIP110/D
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
TIP110,
TIP115
60
60
TIP111,
TIP116
80
80
TIP112,
TIP117
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
2.0
4.0
50
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
MADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
_C
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
P
D
P
D
E
50
0.4
2.0
0.016
25
非钳位电感负载能量 - 图13
工作和存储结
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
最大
2.5
单位
热阻，结到外壳
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
62.5
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
订购信息
设备
TIP110
TIP110G
TIP111
TIP111G
TIP112
TIP112G
TIP115
TIP115G
TIP116
TIP116G
TIP117
TIP117G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
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2
PD ，功耗（瓦）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
小信号电流增益
(I
C
= 0.75 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 8.0 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
特征
1.0 20
2.0 40
3.0 60
T
A
T
C
0
0
0
20
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40
图1.功率降额
TIP115 ， TIP116 ， TIP117
TIP110 ， TIP111 ， TIP112
60
80
100
T，温度（ ° C）
3
TIP110 ， TIP115
TIP111 ， TIP116
TIP112 ， TIP117
TIP110 ， TIP115
TIP111 ， TIP116
TIP112 ， TIP117
TIP110 ， TIP115
TIP111 ， TIP116
TIP112 ， TIP117
T
A
T
C
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
C
ob
h
FE
140
h
fe
160
1000
500
民
60
80
100
25
最大
200
100
2.8
2.5
2.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
4.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
R
C
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0, R
B
和R
C
是多种多样的
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
V
CC
30 V
t
s
2.0
范围
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
t
f
t
r
≈
8.0 k
≈
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.04 0.06
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
P
（ PK）
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 2.5 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.05
0.1
图4.热响应
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4
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
有源区的安全工作区
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
4.0
1毫秒
2.0
1.0
5毫秒
T
J
= 150°C
dc
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
0.1
1.0
TIP115
TIP116
TIP117
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
4.0
2.0
1.0
T
J
= 150°C
dc
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
0.1
1.0
TIP110
TIP111
TIP112
10
40 60 80 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
10
60 80 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. TIP115 ， 116 ， 117
图6. TIP110 ， 111 ， 112
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
200
T
C
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
C
ob
30
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2 0.4 0.6 1.0
2.0 4.0 6.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
C
ib
图7.电容
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5
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
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设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
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条款的德网络nition
数据表标识
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阶段或
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德网络nition
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