TPS75003
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SBVS052I - 2004年10月 - 修订2010年8月
三供应电源管理IC
对于供电FPGA和DSP
检查样品：
TPS75003
1
特点
两个效率高达95％ ， 3A降压控制器和
一个300毫安LDO
测试和供电赞同赛灵思
斯巴达 -3 ，的Spartan- 3E和Spartan -3L
FPGA的
可调节（ 1.2V至6.5V的雄鹿， 1.0V至
6.5V的LDO ）上的所有通道输出电压
输入电压范围： 2.2V至6.5V
独立软启动每个电源
独立的使能各供应
灵活的排序
LDO稳定与2.2mF陶瓷输出电容
小型，薄型4.5毫米X 3.5毫米X 0.9毫米
QFN封装
描述
该TPS75003是一个完整的电源管理
为FPGA ， DSP和其他多电源解决方案
应用程序。该设备已经过测试和
满足所有的赛灵思Spartan - 3的Spartan- 3E和
的Spartan- 3L的启动配置文件的要求，其中包括
单调的电压斜坡和最小电压轨
上升时间。独立的使能为每个输出允许
测序，以尽量减少对电源的需求
在启动。每个供应限制浪涌的软启动
在启动过程中的电流。两个集成的降压
控制器允许高效率，高性价比的电压
转换为低和高的电流供给
如内核和I / O 。 300mA的LDO集成到
提供一个辅助导轨例如V
CCAUX
关于赛灵思
Spartan-3系列FPGA 。所有三个电源电压
在对最大用户可编程选项提供
灵活性。
该TPS75003是从-40 ° C至+ 85°C
并采用QFN封装，产生高度
紧凑的整体解决方案尺寸高功率
散热能力。
23
应用
FPGA / DSP / ASIC供应
机顶盒
DSL调制解调器
等离子电视显示面板
TPS75003
5V _Input
IN 1
IN 2
IN 3
EN 1
SS1
EN 2
SS2
EN 3
V
CCAUX
1
SW 1
FB 1
2
3A
SW 2
BU CK 2
FB 2
OU T3
300米一
FB 3
LD
SS3
公司ND
DGND
DGND
3A
BU CK 1
DG ND
V
CCINT
1.2V AT 3A
+
V
CCO
在3.3V 3A
+
V
CCAUX
2.5V的300毫安
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
斯巴达是Xilinx ， Inc.的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2004-2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS75003
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS75003
(1)
V
OUT
BUCK1 ：可调
BUCK2 ：可调
LDO ：可调
对于最近的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于本文档的结尾，或
看到TI的网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
TPS75003
V
INX
范围（ IN1，IN2 ，IN3 ）
V
ENX
范围（ EN1 ， EN2 ， EN3 ）
V
SWX
范围（SW1 ，SW2，SW3 ）
V
ISX
范围（ IS1 ， IS2 ， IS3 ）
V
OUT3
范围
V
SSX
范围（ SS1，SS2 ， SS3 ）
V
FBX
范围（ FB1 ， FB2 ， FB3 ）
峰值LDO输出电流（I
OUT3
)
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
-0.3到+7.0
-0.3到V
INX
+0.3
-0.3到V
INX
+0.3
-0.3到V
INX
+0.3
-0.3到+7.0
-0.3到V
INX
+0.3
-0.3到+3.3
内部限制
见耗散额定值表
-55到+150
-65到+150
1
500
单位
V
V
V
V
V
V
V
—
—
°C
°C
kV
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只和功能在这些或超出下电气特性标明的任何其他条件，装置的操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
热信息
热公制
(1) (2)
q
JA
q
JCtop
q
JB
y
JT
y
JB
q
JCbot
(1)
(2)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS75003
RHL （ 20引脚）
42.6
51.8
39.5
0.6
14.2
2.8
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
此设备基于PCB的覆铜面积的热估计，看
TI PCB热计算器。
2
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电气特性
V
EN1
= V
IN1
, V
EN2
= V
IN2
, V
EN3
= V
IN3
, V
IN1
= V
IN2
= 2.2V, V
IN3
= 3.0V, V
OUT3
= 2.5V ，C
OUT1
= C
OUT2
= 47mF ，C
OUT3
= 2.2mF ，
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.
参数
供应和逻辑
V
INX
I
Q
I
SHDN
V
IH1 ， 2
V
IH3
V
ILX
I
ENX
输入电压范围
（ IN1，IN2 ，IN3 ）
(1)
静态电流，I
Q
= I
DGND
+
I
AGND
关断电源电流
启用高，使
（ EN1 ， EN2 ）
启用高，使能（ EN3 ）
启用低，停机
（ EN1 ， EN2 ， EN3 ）
启用引脚电流
（ EN1 ， EN2 ， EN3 ）
可调输出电压
范围
(2)
反馈电压（ FB1 ， FB2 ）
反馈电压准确度
（ FB1 ， FB2 ）
I
FB1,2
V
IS1,2
I
IS1,2
目前进入FB1 ， FB2引脚
参考电压电流
SENSE
目前进入IS1 ， IS2引脚
测量电路中
图1中，
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V
测量电路中
图1中，
30mA
≤
I
OUT
≤
2A
测量电路中
图1中，
I
OUT
= 1A
测量电路中
图1中，
R
L
= 6, C
OUT
= 100MF ，C
SS
= 2.2nF
V
IN1,2
＆ GT ; 2.5V
V
IN1,2
= 2.2V
80
(1)
条件
民
典型值
最大
单位
2.2
I
OUT1
= I
OUT2
= 0毫安，我
OUT3
= 1毫安
V
EN1
= V
EN2
= V
EN3
= 0V
1.4
1.14
0
0.01
75
0.05
6.5
150
3.0
V
INX
V
IN3
0.3
0.5
V
mA
mA
V
V
V
mA
降压控制器1和2中
V
OUT1,2
V
FB1,2
V
FBX
1.220
–2
0.01
100
0.01
0.1
0.6
94
5
4
6
100
1.36
0.44
1.55
0.65
1.84
0.86
+2
0.5
120
0.5
V
INX
V
V
%
mA
mV
mA
%/V
%/A
%
ms
ΔV
OUT ％
/ΔV
IN
线路调整
(1)
ΔV
OUT ％
/ΔI
OU
T
负载调整率
效率
(3)
启动时间
(3)
栅极驱动P沟道和
N沟道MOSFET
导通电阻
栅极驱动P沟道和
N沟道MOSFET驱动器
当前
最小导通时间
最小关断时间
n
1,2
t
STR1,2
R
DS,ON1,2
I
SW1,2
t
ON
t
关闭
(1)
(2)
(3)
mA
ms
ms
要在监管，最小V
IN1
（或V
IN2
）必须大于V
OUT1,NOM
（或V
OUT2,NOM
）通过由外部确定的量
组件。最小V
IN3
= V
OUT3
+ V
DO
或2.2V ，取较大值。
最大V
OUT
依赖于外部元件和将低于V
IN
.
依赖于外部元件。
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电气特性（续）
V
EN1
= V
IN1
, V
EN2
= V
IN2
, V
EN3
= V
IN3
, V
IN1
= V
IN2
= 2.2V, V
IN3
= 3.0V, V
OUT3
= 2.5V ，C
OUT1
= C
OUT2
= 47mF ，C
OUT3
= 2.2mF ，
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.
参数
LDO
V
OUT3
V
FB3
输出电压范围
反馈引脚电压
反馈引脚电压
准确性
(4)
ΔV
OUT ％
/ΔV
IN
线路调整
(4)
ΔV
OUT ％
/ΔI
OU
T
条件
民
1.0
典型值
最大
6.5 – V
DO
单位
V
V
0.507
2.95V
≤
V
IN3
≤
6.5V
1mA
≤
I
OUT3
≤
300mA
V
OUT3
+ 0.5V
≤
V
IN3
≤
6.5V
10mA
≤
I
OUT3
≤
300mA
I
OUT3
= 300毫安
V
OUT
= 0.9× V
OUT （ NOM ）
BW = 100Hz的 - 100kHz时，
I
OUT3
= 300毫安
关机，温度增加
复位，温度降低
375
–4.0
0.075
0.01
250
600
0.03
400
175
160
1.80
100
350
1000
0.1
+4.0
%
%/V
％ / mA的
mV
mA
mA
mV
RMS
°C
V
mV
负载调整率
输入输出电压差
(V
IN
= V
OUT （ NOM ）
– 0.1)
(5)
电流限制
目前进入FB3引脚
输出噪声
热关断温度
对于LDO
V
DO
I
CL3
I
FB3
V
n
t
SD
欠压锁定阈值V
IN
升起
UVLO
欠压锁定
迟滞
V
IN
落下
(4)
(5)
要在监管，最小V
IN1
（或V
IN2
）必须大于V
OUT1,NOM
（或V
OUT2,NOM
）通过由外部确定的量
组件。最小V
IN3
= V
OUT3
+ V
DO
或2.2V ，取较大值。
V
DO
并不时应用V
OUT
+ V
DO
< 2.2V 。
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设备信息
功能框图
TPS75003
IN1
V
1
≤
3A降压控制器
IS1
开关
控制
软
开始
控制
SW1
SS1
EN1
V
F1
FB1
IN2
V
IS2
DGND
≤
3A降压控制器
IS2
开关
控制
软
开始
控制
SW2
SS2
EN2
V
F2
FB2
DGND
300毫安LDO
IN3
热/
当前
极限
OUT3
EN3
FB3
SS3
V
REF 3
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