TC58FVT160/B160AFT/AXB-70,-10
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
16 - MBIT （2M
×
8 BITS / 1M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVT160 / B160A是16777216位， 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
内存组织为2,097,152字
×
8位或为1,048,576字
×
16位。该TC58FVT160 / B160A功能
对于读取，编程和擦除操作的命令，以方便与微处理器接口。命令
根据JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。
特点
电源电压
V
DD
=
2.7 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
2M
×
8 BITS / 1M
×
16位
功能
自动编程，自动擦除
快速编程模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
1
×
16千字节/ 2
×
8字节
1
×
32千字节/ 31
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVT160AFT / AXB ：顶引导块
TC58FVB160AFT / AXB ：底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
存取时间
70纳秒
(C
L
： 30 pF的）
100纳秒
(C
L
： 100 pF的）
耗电量
5
A
（待机）
30毫安
（读操作）
15毫安
（编程/擦除操作）
包
TC58FVT160 / B160AFT ：
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量：0.82 G）
TC58FVT160 / B160AXB ：
P- TFBGA48-0608-0.80AZ （重量： 0.090克）
000630EBA1
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利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免
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财产。
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最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南
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设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
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2002-08-06 1/41
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