TPS7301Q , TPS7325Q , TPS7330Q , TPS7333Q , TPS7348Q , TPS7350Q
低压差稳压器
具有集成延迟的复位功能
SLVS124F - 1995年6月 - 修订1999年1月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
可在2.5 V, 3 V, 3.3 V , 4.85 - V和5 V
固定输出和可调版本
集成精密电源电压
监督员监督稳压器输出
电压
低电平有效的复位信号200毫秒脉冲
宽度
非常低压差电压。 。 。最多
35毫伏的我
O
= 100 MA( TPS7350 )
低静态电流 - 独立的
负载。 。 。 340
A
典型值
超低睡眠状态电流,
0.5
A
最大
2 %的误差过载的品种齐全,
电源和温度的固定输出
版本
§
输出电流为0 mA至500毫安范围
TSSOP封装选项提供折扣
元件高度为关键应用
D或P封装
( TOP VIEW )
GND
EN
IN
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
RESET
SENSE
/ FB
OUT
OUT
PW包
( TOP VIEW )
GND
GND
GND
NC
NC
EN
NC
IN
IN
IN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RESET
NC
NC
FB
NC
SENSE
OUT
OUT
NC
NC
描述
该TPS73xx设备是一个家庭的成员
微功率低压差( LDO)稳压器。
它们从TPS71xx和TPS72xx的LDO通过集成延迟微处理器复位分化
功能。如果不要求的精度延迟复位, TPS71xx和TPS72xx应予以考虑。
可选项
输出电压
(V)
TJ
民
4.9
4.75
- 40 ° C至
125 C
125°C
3.23
2.94
2.425
典型值
5
4.85
3.3
3
2.5
最大
5.1
4.95
3.37
3.06
2.575
民
4.55
4.5
2.868
2.58
2.23
1.101
典型值
4.65
4.6
2.934
2.64
2.32
1.123
最大
4.75
4.7
3
2.7
2.39
1.145
负向RESET
阈值电压( V)
小
概要
(D)
TPS7350QD
TPS7348QD
TPS7333QD
TPS7330QD
TPS7325QD
TPS7301QD
包装设备
塑料DIP
(P)
TPS7350QP
TPS7348QP
TPS7333QP
TPS7330QP
TPS7325QP
TPS7301QP
TSSOP
( PW )
TPS7350QPW
TPS7348QPW
TPS7333QPW
TPS7330QPW
TPS7325QPW
TPS7301QPW
芯片形式
(Y)
NC - 无内部连接
只有固定电压选项 - SENSE
( TPS7325 , TPS7330 , TPS7333 , TPS7348 , TPS7350和)
FB - 可调版本只( TPS7301 )
TPS7350Y
TPS7348Y
TPS7333Y
TPS7330Y
TPS7325Y
TPS7301Y
可调整的
1.2 V至9.75 V
在D和PW包提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(如TPS7350QDR ) 。该TPS7301Q可编程
使用一个外部电阻分压器(见应用信息) 。芯片形式是在25℃下进行测试。
§该TPS7325具有一个容差
±
在整个温度范围内3 % 。
的TPS71xx和TPS72xx是500 mA和250 mA的输出调节器分别提供的性能类似于TPS73xx的,但
没有延迟复位功能。该TPS72xx器件采用8引脚的进一步分化了可用性薄小外形封装
( TSSOP )规定的最小封装尺寸的应用。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPS7301Q , TPS7325Q , TPS7330Q , TPS7333Q , TPS7348Q , TPS7350Q
低压差稳压器
具有集成延迟的复位功能
SLVS124F - 1995年6月 - 修订1999年1月
描述(续)
该TPS73xx的RESET输出启动复位微型计算机和微处理器的系统事件
的欠压状态。在TPS73xx内部比较器监视稳压器的输出电压
检测的稳压输出电压的欠压状态。
如果发生这种情况,RESET输出(漏极开路NMOS )导通时,走的是RESET信号为低。 RESET保持低电平
为欠压状态的持续时间。一旦欠压状态停止, 200毫秒(典型值)的超时
开始。在完成200毫秒的延迟, RESET变为高电平。
幅度减少漏失电压和静态电流比传统LDO性能的命令
通过用PMOS器件代替典型的pnp通路晶体管来实现的。
由于PMOS器件表现为低阻值电阻,电压差非常低(最高35毫伏
以100mA的TPS7350 )和成正比的输出电流的输出电流(参见图1) 。
另外,由于在PMOS导通元件是一个电压驱动器,静态电流低,遗迹
不变的,独立的输出负载(通常340
A
在满量程输出电流, 0毫安500毫安)的。
这两个关键指标产生经营生活显著改善电池供电系统。
该LDO系列还具有睡眠模式;施加一逻辑高信号到EN(使能)关断调节,
降低静态电流为0.5
A
最大在T
J
= 25°C.
该TPS73xx是提供在2.5 V时, 3 -V 3.3 V, 4.85 -V及5 V版本的固定电压和在一个可调节的版本
(可编程超过1.2伏到9.75伏的范围)。输出电压容差被指定为最多2 %
线路,负载和温度范围内(3%为2.5 V和可调版本) 。该TPS73xx家庭
提供PDIP ( 8针) , SO ( 8针)和TSSOP封装( 20引脚)封装。 TSSOP封装具有的最大高度
1.2 mm.
0.3
TA = 25°C
0.25
TPS7333
低压差电压 - V
0.2
TPS7325
0.1
F
TPS7348
GND
0.1
TPS7350
0.05
TPS7325 , TPS7330 , TPS7333 , TPS7348 , TPS7350 (固定电压
选项)
电容的选择是平凡的。见应用信息
一节。
1
2
3
TPS73xxPW
TPS7330
VI
8
9
IN
10
IN
6
EN
OUT
0.15
OUT
SENSE
14
13
+
CO
10
F
IN
RESET
20
15
系统
RESET
250 k
VO
CSR = 1
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
IO - 输出电流 - 毫安
图1.漏失电压与输出电流
图2.典型应用配置
2
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TPS73xxY芯片信息
这些芯片,当正确组装时,显示类似于TPS73xxQ的特性。热
压缩或超声粘合,可以使用在掺杂的铝接合焊盘。芯片可以被安装
用导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(5)
(6)
IN
(4)
EN
(2)
(3)
TPS73xx
(5)
(6)
(4)
(7)
(1)
(7)
GND
切屑厚度: 15典型
80
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(1) (2)
92
(3)
SENSE - 固定电压选项只( TPS7325 , TPS7330 ,
TPS7333 , TPS7348 , TPS7350和)
FB - 可调版本只( TPS7301 )
注A.对于大多数应用来说, OUT和SENSE应
被捆扎在一起尽可能接近到该设备;
对于其他实施方式,是指SENSE针
在应用方面的讨论
该数据表的信息部分。
感
FB =
OUT
RESET
功能框图
IN
EN
RESET
_
+
OUT
+
_
电阻分压器选项
设备
TPS7301
TPS7325
TPS7330
TPS7333
TPS7348
TPS7350
R1
0
260
358
420
726
756
R2
∞
233
233
233
233
233
单位
k
k
k
k
k
VREF
延迟
RESET
注: A.电阻仅为标称值。
SENSE§ / FB
R1
元件数量
MOS晶体管
Bilpolar晶体管
二极管
电容器
电阻器
464
41
4
17
76
R2
GND
§对于大多数应用, SENSE应在外部连接到输出尽可能接近到该设备。对于其他实施方式中,参照
在应用信息部分SENSE引脚连接的讨论。
开关位置显示为EN低(有效) 。
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时序图
VI
VRES
t
VO
门槛
电压
VIT -
VIT -
t
RESET
产量
200毫秒
延迟
200毫秒
延迟
VIT +
VIT +
VRES
产量
未定义
VRES是最小输入电压的有效复位。符号VRES目前尚未在EIA或JEDEC标准列
半导体符号。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
输入电压范围
§
, V
I
, RESET , SENSE , EN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至11 V
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 A
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表1和表2
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至150℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络终端接地。
4
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t
产量
未定义
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额定功耗表1 - 自由空气的温度(见图3)
包
D
P
PW
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
1175毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
9.4毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
752毫瓦
448毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
235毫瓦
140毫瓦
额定功耗表2 - 外壳温度(见图4)
包
D
P
PW
TC
≤
25°C
额定功率
2188毫瓦
2738毫瓦
4025毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
9.4毫瓦/°C的
21.9毫瓦/°C的
32.2毫瓦/°C的
TC = 70℃
额定功率
1765毫瓦
1752毫瓦
2576毫瓦
TC = 125°C
额定功率
1248毫瓦
548毫瓦
805毫瓦
在使用请参考详细的功耗考虑热信息部分
TSSOP封装。
最大持续耗散
vs
自由空气的温度
1400
PD - 最大连续耗散 - 毫瓦
PD - 最大连续耗散 - 毫瓦
1200
4800
4400
4000
3600
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
25
50
75
100
125
150
25
最大持续耗散
vs
外壳温度
1000
800
600
400
200
0
PW包
R
θJC
= 37 ° C / W
P包
R
θJA
= 106 ° C / W
包
R
θJA
= 172 ° C / W
P包
R
θJC
= 46 ° C / W
PW包
R
θJA
= 178 ° C / W
包
R
θJC
= 57 ° C / W
50
75
100
125
150
TA - 自由空气的温度 -
°C
TC - 外壳温度 -
°C
科幻gure 3
图4
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