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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第1033页 > THN420Z
半导体
THN420Z
硅锗NPN晶体管
SOT-343
以毫米单位
□
应用
- 低噪音放大器，振荡器和缓冲放大器高达3 GHz
1
3
□
特点
- 高增益带宽积
f
T
= 17 GHz的在V
CE
= 2 V，I
C
= 15毫安
f
T
= 20 GHz的在V
CE
= 3 V，I
C
= 30毫安
- 高功率增益
|S
21
|
2
= 16在V分贝
CE
= 2 V，I
C
= 15 mA时， F = 1.5 GHz的
- 低噪声系数
NF = 1.1分贝V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 1.8 GHz的
2
4
引脚配置
1.基地
2.辐射源
3.辐射源
4.收集
□
绝对最大额定值
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
总功耗
工作结温
储存温度
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
评级
10
4.5
1.5
35
160
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
小心
:
静电放电
敏感设备
1
THN420Z
□
电气特性
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极截止电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
I
EBO
h
FE
f
T
测试条件
V
CB
= 9 V，I
E
= 0毫安
V
CE
= 3 V，I
B
= 0毫安
V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 30毫安
最大可用增益
MAG
V
CE
= 2 V，I
C
= 15 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 15 mA时， F = 1.5 GHz的
插入功率增益
|S
21
|
2
V
CE
= 2 V，I
C
= 15 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 15 mA时， F = 1.5 GHz的
噪声系数
集电极 - 基电容
NF
C
CB
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 1.8 GHz的
V
CB
= 2 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
分钟。
-
-
-
50
15
18
20
18
17
14
-
-
典型值。
-
-
-
-
17
20
22
20
19
16
1.1
0.24
马克斯。
1.0
1.0
0.5
260
-
-
-
-
-
-
1.3
-
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
pF
单位
□
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
BE1
50 - 150
BE2
130 - 260
2
THN420Z
□
典型特征（T
A
= 25
℃
除非另有规定编）
功耗
- 环境温度
集电极基极电容，C
CB
（PF ）
200
集电极基极电容
与集电极 - 基极电压
0.5
F = 1 MHz的
0.4
总功率耗散，P
C
（ mW）的
150
0.3
100
0.2
50
0.1
0
0
25
50
75
100
o
125
150
0.0
0
1
2
3
4
5
环境温度，T
A
( C)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
直流电流增益
与集电极电流
200
180
V
CE
= 2 V
集电极电流
与基地发射极电压
40
35
集电极电流，I
C
（MA ）
直流电流增益，H
FE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极电流，I
C
（MA ）
基地发射极电压，V
BE
(V)
3
THN420Z
集电极电流
与集电极到发射极电压
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
增益带宽积
与集电极电流
30
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
集电极电流，I
C
（MA ）
25
20
15
10
5
0
0
5
V
CE
= 2 V
V
CE
= 3 V
I
B
= 400
A
I
B
= 300
A
I
B
= 200
A
I
B
= 100
A
10
15
20
25
30
35
40
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
最大可用增益
与集电极电流
30
插入功率增益
与集电极电流
25
V
CE
= 2 V
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
F = 1.5 GHz的
15
F = 2 GHz的
10
最大可用增益， MAG （分贝）
25
20
15
F = 1 GHz的
F = 1.5 GHz的
插入功率增益| S
21
| （ dB）的
V
CE
= 2 V
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
10
5
0
1
10
100
2
20
5
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
4
THN420Z
功率增益
与频率的关系
30
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
味精
30
V
CE
= 2 V
I
C
= 15毫安
味精
25
25
增益（dB ）
增益（dB ）
20
20
MAG
15
|S
21
|
10
2
15
|S
21
|
10
2
MAG
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
噪声系数
与集电极电流
在V
CE
= 2 V，I
C
=参数，Z
S
= Z
SOPT
3.0
F = 1.8 GHz的
噪声系数和
相关的增益轮廓
在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 1.8 GHz的
产量
稳定
噪声系数NF （ dB）的
2.5
2.0
1.5
Ga=17dB
输入
稳定
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
=16dB
=15dB
=14dB
=13dB
5轮廓
Γ
选择
= 0.155∠92
FMIN = 1.05分贝
=1.1dB
=1.2dB
=1.3dB
4轮廓
集电极电流，I
C
（MA ）
5
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