TPS73219
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SBVS166
–
2011年6月
250毫安低压降稳压器的C2000
检查样品：
TPS73219
1
特点
最佳的输出电压为C2000的核心铁
良好的线路/负载瞬态响应的微控制器
250毫安LDO稳压器具有使能
非常低压差电压：为40mV （典型值） ，在
250mA
反向电流保护
稳定的有或无输出电容器
1％的命中率（线路，负载和
温度）
采用5引脚SOT23封装
描述
该TPS73219家庭是一个低压差（ LDO）稳压
稳压器，提供了非常不错的线路和负载瞬态
即使在不使用输出电容器的响应。
该TPS73219是理想的驱动
C2000微控制器
弗朗德州仪器。该器件具有非常低
压差电压，从而降低功耗。
在同一个电压监控器等组合
TPS3808G19
or
TPS3808G01,
该TPS73219可
提供严密V
CORE
电压和生成准确
达到或超过电源电源良好信号
要求为C2000 。
该TPS73219可在5引脚SOT23封装
封装。
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
5
OUT
23
应用
C2000内核电源轨供电
1.8 V
3.3 V
10千瓦
TPS3808G01
or
TPS3808G19
SENSE
51千瓦
RESET
10千瓦
TPS73534
or
TPS73734
EN
LDO
3.3 V
OUT
91千瓦
TPS73219
or
TPS73619
EN
LDO
1.8 V
OUT
C2000
TPS3808G01
SENSE
RESET
XRS
SVS
1.8 V
SVS
3.3 V
15千瓦
13千瓦
图1.典型应用
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
C2000是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS732xx
YY YZ
V
OUT
(2)
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
1.25V和1.3V至5.0V在100mV的增量大部分的输出电压都可以通过使用创新的工厂EEPROM
编程;最小起订量，可申请。请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定1.20V操作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作结温范围内，除非另有说明。
(1)
参数
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
NR
, V
FB
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
TPS73219
–0.3
6.0
–0.3
6.0
–0.3
5.5
–0.3
6.0
内部限制
不定
SEE
热信息
表
–55
+150
–65
+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或超出下电气特性标明的任何其他条件，装置的操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
2
版权
2011年，德州仪器
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热信息
TPS73219
(3)
热公制
(1) (2)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
结至环境热阻
(4)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(6)
结至顶部的特征参数
(7)
(5)
的dBV
5针
180
64
35
不适用
不适用
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(8)
结至外壳（底部）热阻
(9)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953A.
此设备基于PCB的覆铜面积的热估计，看
TI PCB热计算器。
对于DRB ， DCQ和DRV封装的热数据通过基于JEDEC标准的方法，因为热模拟推导
在JESD51系列指定。以下假设采用了模拟：
（一）有与DBV包中没有裸露焊盘。
（二）的顶部和底部铜层被假设为具有铜占20％的铜覆盖的20％的热导率。
（三） ，这些数据是在一个JEDEC高K （ 2S2P ）板与3英寸的中心产生的，只有一个单一的设备
×
3英寸的覆铜面积。对
了解对散热性能的铜面积的影响，请参阅
功耗
本数据手册的部分。
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过在包装的顶部模拟冷板试验中得到的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
θ
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
θ
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
版权
2011年，德州仪器
3
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