TPS657052
TPS657051
www.ti.com
SLVSA08 - 2010年2月
PMU嵌入式摄像头模块
检查样品:
TPS657052 , TPS657051
1
特点
两个400毫安降压型转换器
高达92 %的效率
V
IN
范围DCDC转换器从3.3V至6V
2.25 MHz的固定频率工作
节电模式下以轻负载电流
在PWM模式下的输出电压精度± 1.5 %
100 %占空比的最低压差
180异相操作
1通用200毫安LDO
V
IN
范围LDO 1.7V至6.0V
采用16球WCSP封装采用0.5mm间距
描述
TPS657051 / 52小的电源管理单元
针对嵌入式摄像头模块或其他
便携式低功耗的消费类终端设备。它
包含两个高效率的降压转换器,一个
低压差线性稳压器和额外的支持
功能。在2.25MHz的降压转换器进入
在轻负载时的最大效率低功率模式
在整个负载电流的最大范围。为
低噪声的应用的设备可以被强制进入
固定频率PWM模式下使用MODE引脚。该
设备允许使用小的电感器和
电容器实现了小尺寸的解决方案。
TPS657051 / 52可提供高达的输出电流
400毫安两个DC-DC转换器,集成了1
200毫安LDO具有不同的输出设置。该LDO
与1.7V之间的输入电压范围内工作
和6.0V这允许它从输出供给
从系统的降压转换器或直接
电压。
该TPS657051 / 52采用小型的16球晶圆
芯片级封装( WCSP ),焊球间距为0.5mm 。
应用
数码相机
便携式媒体播放器
手持式设备
VCC
TPS 52分之657051
VIN1
模式
10
mF
EN1
保护地
CLK0°
2.25兆赫
振荡器
VIN2
EN2
保护地
CLK180°
L2
DCDC2
400毫安
FB2
10
mF
DCDC1
400毫安
FB1
10uF
2.2 H
L1
Vout1
2.2 H
Vout2
VINLDO
ENLDO
AGND
LDO
200毫安
VLDO
2.2
mF
Vout3
图1.应用电路
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ,德州仪器
TPS657052
TPS657051
SLVSA08 - 2010年2月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
A
产品型号
(1)
尺寸WCSP
VERSION
D = 2076微米± 25微米
E = 2076微米± 25微米
选项
DCDC1 3.3V FIX , DCDC2 1.8 V
FIX
DCDC转换器400毫安,
LDO VOUT 3.0V FIX型,200mA
DCDC1 3.3V FIX , DCDC2 1.8 V
FIX
DCDC转换器400毫安,
LDO VOUT 2.8V FIX型,200mA
包
CODE
I2C
包
包
记号
-40 ° C至85°C
TPS657051
YZH
不适用
WCSP
TPS657051
-40 ° C至85°C
TPS657052
D = 2076微米± 25微米
E = 2076微米± 25微米
YZH
不适用
WCSP
TPS657052
(1)
NO注:对于PART NO IN SOURCE ? FC
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
值/单位
在除A / PGND引脚所有引脚相对于AGND的输入电压范围
相对于AGND电压范围引脚VLDO1
目前在L1 , VLDO1 , VINLDO1 ,保护地
目前在AGND
目前在所有其他引脚
连续总功率耗散
经营自由的空气温度,T
A
最高结温,T
J
贮藏温度,T
ST
-0.3到7V的
-0.3 3.6 V
600毫安
20毫安
3毫安
见耗散额定值表
-40 ° C至85°C
125°C
-65_C到150_C
耗散额定值
设备
TPS657051/52
(1)
TPS657051/52
(1)
(2)
(2)
包
YZH
YZH
R
qJA
185
75
T
A
≤
25°C
电源RATI4NG
540mW
1.3W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
5.4mW
13.3mW
T
A
= 70°C
额定功率
297mW
0.7W
T
A
= 85°C
额定功率
216mW
0.5W
JEDEC的低K ( 1S)板用于导出这些数据是3英寸× 3英寸,双层板,在电路板的顶部2盎司铜箔走线。
JEDEC的高K ( 2S2P )用于导出这些数据板是一个3英寸× 3英寸,多层板用1盎司的内部电源和地。
2
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TPS657052 TPS657051
2010 ,德州仪器
TPS657052
TPS657051
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
V
IN1/2
I
OUTDCDC1/2
L
V
INLDO
I
LDO
C
INDCDC1/2
C
OUTDCDC1/2
C
INLDO
C
OUTLDO
T
A
T
J
输入电压范围为降压转换器DCDC1and DCDC2
输出电流为L
电感为L
输入电压范围为LDO
输出电流LDO
输入电容在V
IN1
和V
IN2
输出电容在V
OUT1
, V
OUT2
输入电容在V
INLDO
输出电容在V
LDO
工作环境温度
工作结温
4.7
4.7
2.2
2.2
–40
–40
85
125
10
22
1.5
1.7
2.2
3.3
喃
最大
6.0
400
4.7
6.0
200
单位
V
mA
H
V
mA
F
F
F
F
°C
°C
电气特性
除非另有说明: V
IN1
=V
IN2
=V
INLDO
= 3.6 V , L = LQMP21P 2.2μH ,C
OUTDCDCx
= 10μF ,C
OUTLDO
= 2.2μF ,T
A
= -40°C至
+85°C
参数
电源电流
DCDC1和DCDC2启用,我
OUT
= 0 mA时,
MODE = 0时
( PFM模式) , LDO禁用
工作静态电流DCDCx
I
Q
DCDC1和DCDC2启用,我
OUT
= 0 mA时,
MODE = 0时
( PFM模式) , LDO禁用
DCDC1和DCDC2启用,我
OUT
= 0毫安。
MODE = 1 (强制PWM模式) , LDO禁用
工作静态电流LDO
I
SD
V
IH
V
IL
I
LKG
关断电流
高电平输入电压EN1 ,
EN2 , ENLDO , MODE
低电平输入电压EN1 ,
EN2 , ENLDO , MODE
输入漏电流
EN1 , EN2 , ENLDO , MODE接GND
或V
IN
= V
IN2
3.3
3.3
V
IN1
= V
IN2
落下
V
IN1
= V
IN2
升起
2.15
2.2
120
0.01
DCDC1和DCDC2禁用, LDO启用。
IOUT = 0毫安
DCDC1 , DCDC2和LDO禁用
40
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
25
4
25
5
37
12
A
mA
A
A
数字引脚( EN1 , EN2 , ENLDO , MODE )
1.2
VCC
0.4
0.10
V
V
mA
降压型转换器
V
IN1
V
IN2
输入电压为DCDC1
输入电压为DCDC2
内部欠压锁定
门槛
内部欠压锁定
阈值迟滞
6.0
6.0
2.25
V
V
V
mV
UVLO
2010 ,德州仪器
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3
TPS657052
TPS657051
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电气特性(续)
除非另有说明: V
IN1
=V
IN2
=V
INLDO
= 3.6 V , L = LQMP21P 2.2μH ,C
OUTDCDCx
= 10μF ,C
OUTLDO
= 2.2μF ,T
A
= -40°C至
+85°C
参数
开关
R
DS ( ON)
I
LIMF
I
OUTDCDC1/2
振荡器
f
SW
产量
V
OUT1
V
OUT2
I
FB
DCDC1默认输出电压
DCDC2默认输出电压
FB引脚的输入电流
直流输出电压精度
(1)
V
OUT
直流输出电压精度
直流输出电压的负载调整
t
开始
t
坡道
R
DIS
启动时间
V
OUT
斜坡时间
在L1内部放电电阻或
L2
(仅TPS657051 )
热关断
热Shudown滞后
VLDO ,低压差稳压器
V
INLDO
V
LDO
V
LDO
I
O
I
SC
输入电压范围为LDO
TPS657051 LDO输出默认
电压
(2)
TPS657052 LDO输出默认
电压
(3)
输出电流的LDO
LDO短路电流限制
在LDO低压差
输出电压精度为LDO
线性电压调节LDO
负载调整的LDO
PSRR
Vn
t
坡道
R
DIS
(1)
(2)
(3)
电源抑制比
输出中的噪声电压
V
OUT
斜坡时间
在VLDO内部放电电阻
V
LDO
= GND
I
O
= 200毫安
I
O
= 100毫安, V
OUT
= 2.8V
V
INLDO
= V
LDO
+ 0.5V (最低1.7 V )至6 V ,
I
O
= 50毫安
I
O
= 1毫安200毫安LDO
f
噪音
≤
10千赫,C
OUT
≥
2.2 μF VIN = 5.0 V ,
VOUT = 2.8 V, IOUT = 100毫安
VOUT = 2.8 V, BW = 10Hz至100kHz
当LDO使能内部软启动;时间
坡道从5%至95 %的V
OUT
LDO禁用
250
–2%
–1%
–1%
50
160
200
400
550
340
400
1.7
3.0
2.8
200
550
200
+2%
1%
1%
dB
μV RMS
s
Ω
6.0
V
V
V
mA
mA
mV
V
IN1
= V
IN2
≥
3.3 V
V
IN1
= V
IN2
≥
3.3 V
DCDC转换器被禁用
V
IN1
= V
IN2
= 3.3 V至6.0 V, + 1 %的电压
主动定位; PFM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
V
IN1
= V
IN2
= 3.3 V至6.0 V, PWM操作,
0毫安& LT ;我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
PWM工作模式
从积极的EN时候开始切换
时间斜坡从5%到95 %的V
OUT
DCDC1和DCDC2关闭
250
–1.5%
0.5
200
250
400
600
+1%
3.3
1.8
0.1
+3%
+1.5%
%/A
s
s
Ω
V
V
A
振荡器频率
2.03
2.25
2.48
兆赫
高边MOSFET导通电阻
低边MOSFET的导通电阻
正向电流限制
DCDC1 / DCDC2输出电流
V
IN1
= V
IN2
= 3.6 V
V
IN1
= V
IN2
= 3.6 V
3.3V
≤
V
IN1
= V
IN2
≤
6.0 V
V
IN1
= V
IN2
> 3.3 V , L = 2.2 μH
550
350
350
650
750
600
770
400
mΩ
mΩ
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
热保护单独为DCDC1 , DCDC2和LDO1
T
SD
随着结温
降低结温
150
30
°C
°C
在节能模式( PFM ) ,内部参考电压为1.01 ×VREF 。
VINLDO > 3.0V
VINLDO > 2.8V
4
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2010 ,德州仪器
TPS657052
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芯片级版本( YFF封装) :引脚分配(顶视图 - 初步)
2075um
VLDO
A1
AGND
VIN
VIN
LDO
LDO
VCC
VIN1
B1
EN1
EN2
VIN2
2075um
L1
C1
EN
LDO
LDO
模式
L2
保护地
保护地
1
D1
FB1
D2
FB2
D3
保护地
保护地
2
2
D4
图2. Preliminay引脚输出 - 顶视图
芯片级版本( YFF封装) :引脚分配(底视图 - 初步)
2075um
VCC
VIN
VIN
LDO
LDO
AGND
VLDO
A1
VIN2
EN2
EN1
VIN1
2075um
B1
L2
模式
EN
EN
LDO
LDO
L1
C1
保护地
保护地
2
2
D4
FB2
D3
FB1
D2
保护地
保护地
1
D1
1
图3. Preliminay引脚输出 - 底视图
2010 ,德州仪器
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TPS657052
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PMU嵌入式摄像头模块
检查样品:
TPS657052 , TPS657051
1
特点
两个400毫安降压型转换器
高达92 %的效率
V
IN
范围DCDC转换器从3.3V至6V
2.25 MHz的固定频率工作
节电模式下以轻负载电流
在PWM模式下的输出电压精度± 1.5 %
100 %占空比的最低压差
180异相操作
1通用200毫安LDO
V
IN
范围LDO 1.7V至6.0V
采用16球WCSP封装采用0.5mm间距
描述
TPS657051 / 52小的电源管理单元
针对嵌入式摄像头模块或其他
便携式低功耗的消费类终端设备。它
包含两个高效率的降压转换器,一个
低压差线性稳压器和额外的支持
功能。在2.25MHz的降压转换器进入
在轻负载时的最大效率低功率模式
在整个负载电流的最大范围。为
低噪声的应用的设备可以被强制进入
固定频率PWM模式下使用MODE引脚。该
设备允许使用小的电感器和
电容器实现了小尺寸的解决方案。
TPS657051 / 52可提供高达的输出电流
400毫安两个DC-DC转换器,集成了1
200毫安LDO具有不同的输出设置。该LDO
与1.7V之间的输入电压范围内工作
和6.0V这允许它从输出供给
从系统的降压转换器或直接
电压。
该TPS657051 / 52采用小型的16球晶圆
芯片级封装( WCSP ),焊球间距为0.5mm 。
应用
数码相机
便携式媒体播放器
手持式设备
VCC
TPS 52分之657051
VIN1
模式
10
mF
EN1
保护地
CLK0°
2.25兆赫
振荡器
VIN2
EN2
保护地
CLK180°
L2
DCDC2
400毫安
FB2
10
mF
DCDC1
400毫安
FB1
10uF
2.2 H
L1
Vout1
2.2 H
Vout2
VINLDO
ENLDO
AGND
LDO
200毫安
VLDO
2.2
mF
Vout3
图1.应用电路
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ,德州仪器
TPS657052
TPS657051
SLVSA08 - 2010年2月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
A
产品型号
(1)
尺寸WCSP
VERSION
D = 2076微米± 25微米
E = 2076微米± 25微米
选项
DCDC1 3.3V FIX , DCDC2 1.8 V
FIX
DCDC转换器400毫安,
LDO VOUT 3.0V FIX型,200mA
DCDC1 3.3V FIX , DCDC2 1.8 V
FIX
DCDC转换器400毫安,
LDO VOUT 2.8V FIX型,200mA
包
CODE
I2C
包
包
记号
-40 ° C至85°C
TPS657051
YZH
不适用
WCSP
TPS657051
-40 ° C至85°C
TPS657052
D = 2076微米± 25微米
E = 2076微米± 25微米
YZH
不适用
WCSP
TPS657052
(1)
NO注:对于PART NO IN SOURCE ? FC
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
值/单位
在除A / PGND引脚所有引脚相对于AGND的输入电压范围
相对于AGND电压范围引脚VLDO1
目前在L1 , VLDO1 , VINLDO1 ,保护地
目前在AGND
目前在所有其他引脚
连续总功率耗散
经营自由的空气温度,T
A
最高结温,T
J
贮藏温度,T
ST
-0.3到7V的
-0.3 3.6 V
600毫安
20毫安
3毫安
见耗散额定值表
-40 ° C至85°C
125°C
-65_C到150_C
耗散额定值
设备
TPS657051/52
(1)
TPS657051/52
(1)
(2)
(2)
包
YZH
YZH
R
qJA
185
75
T
A
≤
25°C
电源RATI4NG
540mW
1.3W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
5.4mW
13.3mW
T
A
= 70°C
额定功率
297mW
0.7W
T
A
= 85°C
额定功率
216mW
0.5W
JEDEC的低K ( 1S)板用于导出这些数据是3英寸× 3英寸,双层板,在电路板的顶部2盎司铜箔走线。
JEDEC的高K ( 2S2P )用于导出这些数据板是一个3英寸× 3英寸,多层板用1盎司的内部电源和地。
2
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TPS657052 TPS657051
2010 ,德州仪器
TPS657052
TPS657051
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SLVSA08 - 2010年2月
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
V
IN1/2
I
OUTDCDC1/2
L
V
INLDO
I
LDO
C
INDCDC1/2
C
OUTDCDC1/2
C
INLDO
C
OUTLDO
T
A
T
J
输入电压范围为降压转换器DCDC1and DCDC2
输出电流为L
电感为L
输入电压范围为LDO
输出电流LDO
输入电容在V
IN1
和V
IN2
输出电容在V
OUT1
, V
OUT2
输入电容在V
INLDO
输出电容在V
LDO
工作环境温度
工作结温
4.7
4.7
2.2
2.2
–40
–40
85
125
10
22
1.5
1.7
2.2
3.3
喃
最大
6.0
400
4.7
6.0
200
单位
V
mA
H
V
mA
F
F
F
F
°C
°C
电气特性
除非另有说明: V
IN1
=V
IN2
=V
INLDO
= 3.6 V , L = LQMP21P 2.2μH ,C
OUTDCDCx
= 10μF ,C
OUTLDO
= 2.2μF ,T
A
= -40°C至
+85°C
参数
电源电流
DCDC1和DCDC2启用,我
OUT
= 0 mA时,
MODE = 0时
( PFM模式) , LDO禁用
工作静态电流DCDCx
I
Q
DCDC1和DCDC2启用,我
OUT
= 0 mA时,
MODE = 0时
( PFM模式) , LDO禁用
DCDC1和DCDC2启用,我
OUT
= 0毫安。
MODE = 1 (强制PWM模式) , LDO禁用
工作静态电流LDO
I
SD
V
IH
V
IL
I
LKG
关断电流
高电平输入电压EN1 ,
EN2 , ENLDO , MODE
低电平输入电压EN1 ,
EN2 , ENLDO , MODE
输入漏电流
EN1 , EN2 , ENLDO , MODE接GND
或V
IN
= V
IN2
3.3
3.3
V
IN1
= V
IN2
落下
V
IN1
= V
IN2
升起
2.15
2.2
120
0.01
DCDC1和DCDC2禁用, LDO启用。
IOUT = 0毫安
DCDC1 , DCDC2和LDO禁用
40
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
25
4
25
5
37
12
A
mA
A
A
数字引脚( EN1 , EN2 , ENLDO , MODE )
1.2
VCC
0.4
0.10
V
V
mA
降压型转换器
V
IN1
V
IN2
输入电压为DCDC1
输入电压为DCDC2
内部欠压锁定
门槛
内部欠压锁定
阈值迟滞
6.0
6.0
2.25
V
V
V
mV
UVLO
2010 ,德州仪器
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TPS657052 TPS657051
3
TPS657052
TPS657051
SLVSA08 - 2010年2月
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电气特性(续)
除非另有说明: V
IN1
=V
IN2
=V
INLDO
= 3.6 V , L = LQMP21P 2.2μH ,C
OUTDCDCx
= 10μF ,C
OUTLDO
= 2.2μF ,T
A
= -40°C至
+85°C
参数
开关
R
DS ( ON)
I
LIMF
I
OUTDCDC1/2
振荡器
f
SW
产量
V
OUT1
V
OUT2
I
FB
DCDC1默认输出电压
DCDC2默认输出电压
FB引脚的输入电流
直流输出电压精度
(1)
V
OUT
直流输出电压精度
直流输出电压的负载调整
t
开始
t
坡道
R
DIS
启动时间
V
OUT
斜坡时间
在L1内部放电电阻或
L2
(仅TPS657051 )
热关断
热Shudown滞后
VLDO ,低压差稳压器
V
INLDO
V
LDO
V
LDO
I
O
I
SC
输入电压范围为LDO
TPS657051 LDO输出默认
电压
(2)
TPS657052 LDO输出默认
电压
(3)
输出电流的LDO
LDO短路电流限制
在LDO低压差
输出电压精度为LDO
线性电压调节LDO
负载调整的LDO
PSRR
Vn
t
坡道
R
DIS
(1)
(2)
(3)
电源抑制比
输出中的噪声电压
V
OUT
斜坡时间
在VLDO内部放电电阻
V
LDO
= GND
I
O
= 200毫安
I
O
= 100毫安, V
OUT
= 2.8V
V
INLDO
= V
LDO
+ 0.5V (最低1.7 V )至6 V ,
I
O
= 50毫安
I
O
= 1毫安200毫安LDO
f
噪音
≤
10千赫,C
OUT
≥
2.2 μF VIN = 5.0 V ,
VOUT = 2.8 V, IOUT = 100毫安
VOUT = 2.8 V, BW = 10Hz至100kHz
当LDO使能内部软启动;时间
坡道从5%至95 %的V
OUT
LDO禁用
250
–2%
–1%
–1%
50
160
200
400
550
340
400
1.7
3.0
2.8
200
550
200
+2%
1%
1%
dB
μV RMS
s
Ω
6.0
V
V
V
mA
mA
mV
V
IN1
= V
IN2
≥
3.3 V
V
IN1
= V
IN2
≥
3.3 V
DCDC转换器被禁用
V
IN1
= V
IN2
= 3.3 V至6.0 V, + 1 %的电压
主动定位; PFM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
V
IN1
= V
IN2
= 3.3 V至6.0 V, PWM操作,
0毫安& LT ;我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
PWM工作模式
从积极的EN时候开始切换
时间斜坡从5%到95 %的V
OUT
DCDC1和DCDC2关闭
250
–1.5%
0.5
200
250
400
600
+1%
3.3
1.8
0.1
+3%
+1.5%
%/A
s
s
Ω
V
V
A
振荡器频率
2.03
2.25
2.48
兆赫
高边MOSFET导通电阻
低边MOSFET的导通电阻
正向电流限制
DCDC1 / DCDC2输出电流
V
IN1
= V
IN2
= 3.6 V
V
IN1
= V
IN2
= 3.6 V
3.3V
≤
V
IN1
= V
IN2
≤
6.0 V
V
IN1
= V
IN2
> 3.3 V , L = 2.2 μH
550
350
350
650
750
600
770
400
mΩ
mΩ
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
热保护单独为DCDC1 , DCDC2和LDO1
T
SD
随着结温
降低结温
150
30
°C
°C
在节能模式( PFM ) ,内部参考电压为1.01 ×VREF 。
VINLDO > 3.0V
VINLDO > 2.8V
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SLVSA08 - 2010年2月
芯片级版本( YFF封装) :引脚分配(顶视图 - 初步)
2075um
VLDO
A1
AGND
VIN
VIN
LDO
LDO
VCC
VIN1
B1
EN1
EN2
VIN2
2075um
L1
C1
EN
LDO
LDO
模式
L2
保护地
保护地
1
D1
FB1
D2
FB2
D3
保护地
保护地
2
2
D4
图2. Preliminay引脚输出 - 顶视图
芯片级版本( YFF封装) :引脚分配(底视图 - 初步)
2075um
VCC
VIN
VIN
LDO
LDO
AGND
VLDO
A1
VIN2
EN2
EN1
VIN1
2075um
B1
L2
模式
EN
EN
LDO
LDO
L1
C1
保护地
保护地
2
2
D4
FB2
D3
FB1
D2
保护地
保护地
1
D1
1
图3. Preliminay引脚输出 - 底视图
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