【TPS65921www.ti.comSWCS048F - 2010年3月 - 修订2012年3月电源】,IC型号TPS65921B1ZQZ,TPS65921B1ZQZ PDF资料,TPS65921B1ZQZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPS65921

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SWCS048F - 2010年3月 - 修订2012年3月

电源管理和USB单芯片

检查样品：

TPS65921

特点

3个降压转换器：

- 高达1.2的输出电流的一种VDD1

- TPS65921B VDD1支持高达1.2 A

- TPS65921B1 VDD1支持高达1.4 A

（必要为1 GHz的操作）

- 采用SmartReflex 动态电压

管理

- 3.2 MHz的固定频率工作

– V

范围为2.7 4.5 V

- 典型的30 μA每个转换器静态

4个通用LDO的配置：

- 动态电压缩放

- 220毫安最大电流为1 LDO

– V

范围为2.7 4.5 V

- 2个LDO具有低噪声，高PSRR

RTC报警唤醒机制

时钟管理

- 32 kHz晶振

- 切片机的时钟为26 ， 19.2 ， 38.4兆赫

- 高频时钟输出缓冲器

USB ：

- USB 2.0 HS收发器

- USB 1.3 OTG兼容

- 12位ULPI 1.1接口

- USB供电（ 5 V CP的VBUS ）

控制

高速I

C接口

- 所有的资源配置由我

小键盘接口多达8×8的

10位A / D转换器

热压模，热关断保护

μ * BGA 120球ZQZ

应用

手机和智能手机

MP3播放器

手持设备

电子书

OMAP 低功耗DSP电源

描述

该TPS65921器件是一款高度集成的加电

管理集成电路（IC），它支持的功率和

在OMAP应用的外设要求

处理器。该器件包含了电源管理，

通用串行总线（USB）高速（ HS）的

收发器，一个模拟 - 数字转换器（ADC ），一个

实时时钟（RTC），键盘接口，和一个

嵌入式电源控制（ EPC ）。的电源部分

该设备包含三个降压转换器，两个

可控制由一个专用的SmartReflex 类-3-

接口，多个低压差（ LDO ）稳压器，一个

EPC管理电源排序要求

的OMAP ，以及RTC模块。 USB模块

提供了HS 2.0收发器适合于直接

连接OMAP通用收发器

宏单元接口（ UTMI ） +低引脚接口（ ULPI ）

带集成电荷泵（ CP ）。

该装置还提供了辅助模块：模数转换器，

小键盘接口，以及通用输入/输出

端口（GPIO ）多路复用与JTAG功能。键盘

接口实现了一个内置的扫描算法来

解码基于硬件的按键和减少

软件的使用，具有多种附加的GPIO ，可以

被用作中断时它们被配置为

输入。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

主电池供电

电压

(2)

在任何输入电压

(3)

VBUS输入

存储温度范围

工作环境

温度（T

)

工作结

温度（T

)

工作结

温度（T

)

环境温度

参合规

(1)

(2)

(3)

(4)

绝对最大额定值

对于参合规

最大125°C的结

温度（T

)

其中，供给表示电压

施加到电源端子

与该输入相关联的

(4)

测试条件

民

0.0

–0.3

–55

–40

喃

最大

5.0

1.0 ×电源+ 0.3

125

150

单位

°C

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。

该产品将有可以忽略不计的可靠性的影响，如果5.2 V的电压尖峰出现，总（累计过一生）的持续时间10

毫秒。

Excepts VBAT输入引脚焊盘和VBUS垫。

供给等于每个引脚的参考电平。

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

电源和USB路径

VBAT / VBAT.USB主电池电源电压和

VBUS

HFCLKIN输入时钟

频率的1 /吨

C（ HFCLKIN ）

脉冲持续时间， HFCLKIN低或高（BP）的

HFCLKIN稳定

上升HFCLKIN时间（ BP ）

秋季HFCLKIN （ BP ）的时间

输入动态范围

唱片/ HP （正弦波）

BP / PD （方波）

19.2 ， 26或38.4

0.45 × t

C（ HFCLKIN ）

–150

0.3

0.7

0.55 ×

C（ HFCLKIN ）

150

1.45

1.85

(1)

–25

0.65 × IO.1P8

0.35 × IO.1P8

晶体振荡器

并联谐振晶体频率1 / T

C(32KHZ)

输入电压Vin的（普通模式）

晶体容差在室温下， 25℃下

水晶宽容与温度范围（-40 ° C至85°C ）

晶体质量的因素

最大驱动功率

操作驱动电平

1.0

–30

–200

13k

32.768

1.3

1.55

200

54k

0.5

千赫

PPM

兆赫

PPM

VPP

dBc的

2.7

3.6

4.5

民

典型值

最大

单位

输入信号的谐波含量（ 0.7 -V

振幅）：第二

组件 - LP / HP （正弦波）

电压输入

高

(1)

输入电压低

(1)

BP （方模式）

(1)

旁路输入最大电压是一样的规定的I / O接口（ IO.1P8V ）的最大电压。

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推荐工作条件（续）

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

32KXIN 32KXOUT

占空比

32 kHz时钟的上升/下降

时间

电压输入高

输入电压低

水晶

方波

方波等效于容性负载

30 pF的

在旁路模式方波

(1)

在旁路模式方波

(1)

40%

45%

60%

55%

0.1 × t

C(32KHZ)

0.35 × VBRTC

0.65 × VBRTC

DCDC转换器和LDO的

VDD1.IN ， VDD2.IN ， VDD3.IN输入电压范围为降压转换器

VDD1 ， VDD2 ， VIO

VMMC1.IN的输入电压范围为LDO VMMC1

VDAC.IN的输入电压范围为LDO VDAC

VAUX12S.IN的输入电压范围为LDO VAUX2

VINT.IN的输入电压范围为LDO VINTANA1 ， VINTANA2 ， VINTDIG

和VRTC

VPLLA3R.IN的输入电压范围为LDO VPLL1

VDD1.OUT输出中的电压范围为VDD1的降压转换器

VDD2.OUT输出中的电压范围为VDD2的降压转换器

VIO.OUT输出中的电压范围为VIO降压转换器

VMMC1.OUT输出电压范围为LDO VMMC1

VDAC.OUT输出电压范围为LDO VDAC

VAUX2.OUT输出电压范围为LDO VAUX2

VPLL1.OUT输出电压范围为LDO VPLL1

VINTANA1.OUT输出电压LDO VINTANA1

VINTANA2.OUT输出电压LDO VINTANA2

VINTUSB1P5V.OUT输出电压LDO VINTUSB1P5

VINTUSB1P8V.OUT输出电压LDO VINTUSB1P8

VUSB3P1V.OUT输出电压LDO VUSB3P1

VINTDIG.OUT输出电压范围为LDO VINTDIG

VRTC.OUT输出

电压范围

普通模式

备份模式

外部元件

水晶：每个振荡器输入要将CxIN和的CxOUT额定负载上限

(2)

水晶ESR

(3)

水晶并联电容，C

价值

外部线圈VDD1

DCR

饱和电流为TPS65921B

饱和电流为TPS65921B1

1.8

2.1

0.7

12.5

1.3

0.1

kΩ

1.35

1.45

1.0

1.35

1.62

1.85

1.2

1.3

1.0

1.5

2.5/2.75

1.5

1.8

3.1

1.5

1.3

1.65

1.55

1.65

1.98

2.7

最大（ 2.7 ，

输出电压

选择+ 250毫伏）

2.7

最大（ 2.7 ，

输出电压

选择+ 250毫伏）

最大（ 2.7 ，

输出电压

选择+ 200毫伏）

2.7

0.6

1.8/1.85

3.15

1.8

2.8

1.8

3.6

4.5

3.6

4.5

1.45

1.5

(2)

(3)

（目标类+ CPIN ） - 上定义为要将CxIN =的CxOUT COSC = 2 ×每个振荡器输入额定负载电容。 COSC是负载电容器

在晶体振荡器规范中定义的，目标类是内部电容和CPIN是并行输入电容器。

晶体动态电阻Rm中涉及的等效串联电阻（ESR）由下式：

ESR = R

用由晶振制造商指定的负载电容。事实上，如果要将CxIN =的CxOUT = 10 pF的，那么CL = 5 pF的。寄生

从封装和电路板的电容也必须考虑。

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推荐工作条件（续）

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

价值

外部线圈VDD2

和VIO

DCR

饱和电流

外部电容

价值

(4)

VDD1 ， VDD2 ， VIO

连接到VDD1.IN ，

VDD2.IN ， VDD3.IN ，

ESR在开关频率

和VDD1.OUT ，

VDD2.OUT ， VIO.OUT

滤波电容

VMCC1.IN ， VDAC.IN ，

VAUX12S.IN,

VPPLA3R.IN ， VINT.IN ，

VBAT.USB ，

VMMC1.OUT,

VDAC.OUT ，

VAUX2.OUT ， VPPL1 ，

VINTDIG ， VINTANA1 ，

VINTANA2 ， VRRTC

滤波电容

VUSB3V1 ， VUSB1V8 ，

VUSB1V5

滤波电容

参考电压

价值

900

0.7

1.3

0.1

μF

mΩ

0.3

2.7

ESR

600

mΩ

价值

ESR

从V连接

REF

到REFGND

0.5

0.3

1.41 （最低

可以减少到

1.2微法，所提供的

电荷泵是只

二手供应

VUSB3V1 LDO ）

1.32 （最低

可以减少到

1.2微法，所提供的

电荷泵是只

二手供应

VUSB3V1 LDO ）

2.2

6.5

600

mΩ

2.7

之间的滤波电容（连接

VBUS.CPOUT和GND ），并呼吁CVBUS

4.7

6.5

外部电容

电荷泵和

VBUS

飞电容（ CP.CAPP之间的连接

和CP.CAPM ）称为CVBUS.FC

2.2

3.08

滤波电容的ESR和CVUSB.IN

CVBUS.FC

滤波电容CVBUS.IN

外部电容

电源参考滤波器

(4)

滤波电容

0.3

2.7

mΩ

对于TPS65921B1 ，万一OMAP频率的

≥

1 GHz的，由两个22 μF的电容更换10 μF的电容VDD1.OUT 。一个电容器

必须放在靠近PMIC和一个OMAP设备附近。

电气特性

晶体振荡器

当选择晶体时，系统设计者必须考虑的温度和的老化特性

晶体与用户环境中的系统的和预期寿命。下表列出了在开关

振荡器的特性。

表1.基振荡器开关特性

参数

水晶：每个输入内部电容（ Cint中）

水晶：并行输入电容（ CPIN ）

并联谐振晶体频率

引脚到引脚电容

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32.768

1.6

1.8

民

典型值

最大

1.0

单位

千赫

TPS65921

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表1.基振荡器开关特性（续）

参数

最大驱动功率

操作驱动电平

晶体质量的因素

启动时间，在所有条件

启动时间， 25℃下

工作电流

消费（配置

通过LOJIT位）

消耗电流

高抖动模式

低抖动模式

低电量模式（ 1.2 V）

启动

13k

民

典型值

最大

1.0

0.5

54k

500

360

1.8

0.8

单位

DDA

DDQ

时钟切片机

参数

内部耦合电容

超过10个并行输入电阻为40 MHz范围内

BP / PD

并行输入电容在10 40 MHz范围内

BP / PD

输出占空比与V

= 0.2 V

传播延迟

电源抑制比单边带（加电源电压的1 ％ RMS

正弦5兆赫）

消耗电流在40 MHz的最大输入

开机时间

输出的峰 - 峰抖动与输入峰 - 峰抖动< 0.1 ％和

低于300 kHz的频率抖动

输出的峰 - 峰抖动与输入峰 - 峰抖动< 0.1 ％和

抖动频率高于300 kHz的

(1)

LP / HP

BP / PD

LP / HP

BP / PD

LP / HP

模式

(1)

民

4.2

0.3

0.08

40%

0.2

175

235

0.2%

1.0%

50%

典型值

最大

5.7

100

0.8

0.7

230

60%

dBc的

单位

kΩ

MΩ

旁路输入最大电压是一样的规定的I / O接口的最大电压。

32KCLKOUT输出时钟

名字

OUT

(1)

参数说明

频率

负载电容

输出时钟的电压，这取决于输出

参考电平IO.1P8

电压输出高

输出电压低

OUT

– 0.45

1.8

(1)

OUT

0.45

民

典型值

32.768

最大

单位

千赫

的输出电压取决于输出参考电平，其IO.1P8 。

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