TC7MH573FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7MH573FK
八D型锁存器具有三态输出
该TC7MH573FK是一种先进的高速CMOS八进制
具有三态输出的制造与硅栅锁存
2
MOS
技术。
它实现了类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
这8位D型锁存器由一个锁存使能输入控制
（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
当OE输入为高时， 8输出处于高
阻抗状态。
输入保护电路，保证了0 5.5 V即可
施加到输入引脚，而不考虑电源电压。
这种装置可被用于接口5 V至3 V系统和两个
供给系统，如后备电池。该电路可以防止
设备损坏，由于不匹配的电源电压和输入电压。
重量：0.03克（典型值）。
特点
高速：吨
pd
= 4.5 ns（典型值）（V
CC
= 5 V)
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大值） （ TA = 25 ° C）
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
提供所有输入掉电保护。
平衡传输延迟：吨
PLH
≈
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC （ OPR ）
= 2~5.5 V
低噪音： V
OLP
= 1.0 V（最大值）
引脚和功能与74ALS573兼容
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2007-10-19
TC7MH573FK
引脚分配
（ TOP VIEW ）
IEC逻辑符号
OE
LE
(1)
(11)
EN
C1
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
1D
(19)
(18)
(17)
(16)
(15)
(14)
(13)
(12)
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND 10
真值表
输入
输出
D
X
X
L
H
Z
Q
n
L
H
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
X ：无关
Z：高阻
Q
n
： Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。
系统框图
D0
2
D
D1
3
D
D2
4
D
D3
5
D
D4
6
D
D5
7
D
D6
8
D
D7
9
D
LE
11
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
OE
1
19
Q0
18
Q1
17
Q2
16
Q3
15
Q4
14
Q5
13
Q6
12
Q7
2
2007-10-19
TC7MH573FK
绝对最大额定值
（注）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7.0
0.5~7.0
0.5~V
CC
+
0.5
20
±
20
±
25
±
75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
180
65~150
注意：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC的性能，甚至
破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
工作范围
（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
2.0~5.5
0~5.5
0~V
CC
40~85
单位
V
V
V
°C
NS / V
0~100 (V
CC
=
3.3
±
0.3 V)
0~20 (V
CC
=
5
±
0.5 V)
注意：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
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2007-10-19
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