TPS65910 ， TPS65910A ， TPS65910A3 ， TPS659101 ， TPS659102 ， TPS659103
TPS659104 ， TPS659105 ， TPS659106 ， TPS659107 ， TPS659108 ， TPS659109
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SWCS046N - 2010年3月 - 修订2012年4月
集成的电源管理单元顶部规范
检查
示例：
TPS65910 ， TPS65910A ， TPS65910A3 ， TPS659101 ， TPS659102 ， TPS659103 ， TPS659104 ， TPS659105 ， TPS659106 ，
TPS659107 ， TPS659108 ， TPS659109
1
特点
该TPS65910装置的目的是为了
提供了以下资源：
应用
便携式和手持式系统
OMAP3电源管理
嵌入式电源控制器
两个高效降压型DC-DC转换器
处理器内核
一个高效降压型DC-DC转换器， I / O
动力
一个高效的升压5V的DC-DC转换器
的SmartReflex 兼容的动态电压
管理处理器内核
8 LDO稳压器和一个RTC LDO
（内部目标）
一个高速I
2
C接口从公众
目的控制命令（ CTL -I
2
C)
一个高速I
2
C接口的采用SmartReflex
3级的控制和指挥（ SR -I
2
C)
两个使能复用SR -I信号
2
C,
配置控制任何电源状态，
处理器内核供电电压
热关断保护和热模
发现
实时时钟（ RTC ）与资源：
- 振荡器的32.768 kHz晶振或32千赫
内置RC振荡器
- 日期，时间和日历
- 报警功能
一个可配置的GPIO
通过DC-DC开关同步
内部或外部的3 - MHz时钟
描述
该TPS65910是集成的电源管理
IC 48 - QFN封装，并致力于
应用供电由一个锂离子或锂聚合物
电池组电池或3系列的镍氢电池，或由一个5 -V的输入;
它需要多个电源轨。该装置提供
3个降压转换器， 1升压转换器，
和8 LDO和被设计来支持
具体的电源要求基于OMAP的
应用程序。
两个降压转换器提供电源
双处理器核心和控制是由
专用类-3的SmartReflex接口，以获得最佳
积蓄力量。第三个转换器提供电源
在系统中的I / O和存储器。
该装置包括8个通用的LDO
提供一个宽范围的电压和电流的
能力;他们是在我完全可控
2
C
界面。使用的LDO是灵活的;他们是
旨在用于如下：两个LDO是
指定电源的PLL和视频DAC的电源
轨道上的基于OMAP处理器，四中普通
用辅助的LDO可提供
电力系统中的其它设备，以及两个LDO
提供给电源DDR内存用品
应用程序需要这些记忆。
除了功率资源，该装置
包含一个嵌入式电源控制器（ EPC ） ，以
管理的电源排序要求
OMAP系统和一个RTC。
图1
示出该装置的顶层框图。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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TPS65910 ， TPS65910A ， TPS65910A3 ， TPS659101 ， TPS659102 ， TPS659103
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VBACKUP
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C
BB
VBAT
VCC7
Ci
(VCC7)
VBAT
VRTC
Co
（ VRTC ）
VRTC （ LDO ）
和POR
BACKUP
管理
VAUX33 VCC7
Ci
(VDD3)
SW3
GNDA
VDD3
（ SMPS）的
REAL -TIME
时钟
VFB3
AGND
VCC7
VCC1
VBAT
Ci
(VCC1)
Co
(VDD3)
GND3
GNDA
OSC32KIN
OSC32KOUT
OSC
32-kHz
REFGND
CLK32KOUT
VDDIO
SDA_SDI
SCL_SCK
我知道了
2
SW1
GND1
VDD1
（ SMPS）的
公共汽车
控制
AGND
VCC4
VCC2
SW2
VBAT
Ci
(VCC2)
Co
(VDD1)
VFB1
GPIO_CKSYNC
SDASR_EN2
SCLSR_EN1
我知道了
2
GND2
VDD2
（ SMPS）的
AGND
VCC7
Co
(VDD2)
VFB2
INT1
睡觉
PWRON
BOOT1
BOOT0
pwrhold
NRESPWRON
动力
控制
语句
机
VIO
（ SMPS）的
AGND2
VCCIO
SWIO
VBAT
Ci
（ VCCIO ）
GNDIO
Co
（ VIO）
VFBIO
VDDIO
VCC 7
类似物
参考文献：
和比较器
测试接口
VDAC
（ LDO ）
VREF
Co
（ VREF ）
TESTV
REFGND
VCC7
VDIG1
（ LDO ）
VDIG1
Co
(VDIG1)
VDAC
Co
（ VDAC ）
VBAT
Ci
(VCC5)
DGND
AGND2
VCC7
VCC6
VCC5
AGND
VDIG2
VPLL
Co
（ VPLL ）
VPLL
（ LDO ）
VDIG2
（ LDO ）
Co
(VDIG2)
AGND2
VAUX33
（ LDO ）
AGND
VAUX1
Co
(VAUX1)
VBAT
Ci
(VCC4)
VAUX2
Co
(VAUX2)
VAUX2
（ LDO ）
VAUX1
（ LDO ）
VAUX33
Co
(VAUX33)
VBAT
VCC4
AGND2
AGND2
VCC3
VMMC
Ci
(VCC4)
DGND AGND AGND2 GND3
VMMC
（ LDO ）
Co
（ VMMC ）
AGND2
AGND2
GNDP
GNDP ：电源地垫
SWCS046-001
图1. 48 - QFN顶级图
2
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TPS659105 TPS659106 TPS659107 TPS659108 TPS659109
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表1.支持的处理器和相应部件号
兼容的处理器
(1)
TI处理器 - AM335x与DDR2
TI处理器 - AM335x与DDR3
TI处理器 - AM1705 / 07 ， AM1806 / 08 ， AM3505 / 17 ， AM3703 / 15 ， DM3730 / 25 ，
OMAP - L137 / 38 ， OMAP3503 / 15 /25/ 30 TMS320C6742 / 6/8
三星 - S5PV210 ， S5PC110
瑞芯微 - RK29xx
三星 - S5PC100
三星 - S5P6440
TI处理器 - DM643x ， DM644x的
版权所有
飞思卡尔 - 的i.MX27 ，飞思卡尔 - i.MX35
飞思卡尔 - 的i.MX508
飞思卡尔 - 的i.MX51
(1)
产品型号
(1)
TPS65910AA1RSL
TPS65910A3A1RSL
TPS65910A1RSL
TPS659101A1RSL
TPS659102A1RSL
TPS659103A1RSL
TPS659104A1RSL
TPS659105A1RSL
TPS659106A1RSL
TPS659107A1RSL
TPS659108A1RSL
TPS659109A1RSL
RSL的包在磁带和卷轴可用。详情请参见相应的零件号，数量及订购信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
超越那些在下面列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只和
该设备在这些或超出下述任何其他条件的功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
该TPS65910器件的绝对最大额定值如下：
参数
电压范围引脚/球VCC1 ， VCC2 ， VCCIO ， VCC3 ， VCC4 ，
VCC5 ， VCC6 ， VCC7
电压范围引脚/球VDDIO
电压范围引脚/球OSC32KIN ， OSC32KOUT ， BOOT1 ，
BOOT0
电压范围引脚/球SDA_SDI ， SCL_SCK ， SDASR_EN2 ，
SCLSR_EN1 ，睡眠， INT1 ， CLK32KOUT ， NRESPWRON
电压范围引脚/球PWRON
电压范围引脚/球PWRHOLD
功能结点温度范围
在所有其他终端超过电力资源的峰值输出电流
(1)
(2)
(1)
民
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
GPIO_CKSYNC
(2)
最大
7
3.6
VRTC
最大
+ 0.3
VDDIO
最大
+ 0.3
7
7
150
5
单位
V
V
V
V
V
V
°C
mA
–0.3
–45
–5
I / O从VDDIO提供，但可以从一个VBAT电压电平来驱动
的I / O从VRTC供给，但可被驱动到一个VBAT的电压电平
热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
包
RSL 48 -QFN
R
θJA
（ ° C / W）
37
TA < 25 °C电源
评级（ W）
2.6
降额
以上因素
25 °C
（毫瓦/ ° C）
37
TA = 70 °C电源
(W)
1.48
TA = 85 °C电源
评级（ W）
1
的热阻R
θJP
RSL的包结到电源PAD是1.1 ° C / W
热电阻R的值
θJA
结到环境的测量在高K.
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TPS65910 TPS65910A TPS65910A3 TPS659101 TPS659102 TPS659103 TPS659104
TPS659105 TPS659106 TPS659107 TPS659108 TPS659109
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
正在为TPS65910器件推荐工作最大额定值的名单如下。
注1 ： VCC7应连接到被连接到所述设备VCCx销的最高供给。唯一的例外是，
VCC2和VCC4可以比VCC7更高。
注2 ： VCC2和VCC4必须连接在一起（以相同的电压）。
注3 ：如果VDD3升压时， VAUX33必须被设置为2.8伏或更高和VDD3之前启用。
参数
测试条件
民
2.7
1.7
1.65
0
1.65
1.65
1.65
–40
–40
–65
电源参考
VREF滤波电容C
O（ VREF ）
输入电容C
I(VCC1)
滤波器电容C
O(VDD1)
C
O
滤波电容的ESR
电感器L
O(VDD1)
L
O
电感的直流电阻DCR
L
VDD2 SMPS
输入电容C
I(VCC2)
滤波器电容C
O(VDD2)
C
O
滤波电容的ESR
电感器L
O(VDD2)
L
O
电感的直流电阻DCR
L
VIO SMPS
输入电容C
我（ VIO ）
滤波器电容C
O（ VIO ）
C
O
滤波电容的ESR
电感器L
O（ VIO ）
L
O
电感的直流电阻DCR
L
VDIG1 LDO
输入电容C
I(VCC6)
滤波电容C
O(VDIG1)
C
O
滤波电容的ESR
VDIG2 LDO
滤波电容C
O(VDIG2)
C
O
滤波电容的ESR
VPLL LDO
输入电容C
I(VCC5)
滤波电容C
O（ VPLL ）
4
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X5R或X7R电介质
0.8
4.7
2.2
2.64
F
F
0.8
0
2.2
2.64
500
F
mΩ
X5R或X7R电介质
0.8
0
4.7
2.2
2.64
500
F
F
mΩ
X5R或X7R电介质
X5R或X7R电介质
F = 3兆赫
4
10
10
10
2.2
125
12
300
F
F
mΩ
H
mΩ
X5R或X7R电介质
X5R或X7R电介质
F = 3兆赫
4
10
10
10
2.2
125
12
300
F
F
mΩ
H
mΩ
连接从VREF到REFGND
VDD1 SMPS
X5R或X7R电介质
X5R或X7R电介质
F = 3兆赫
4
10
10
10
2.2
125
12
300
F
F
mΩ
H
mΩ
100
nF
喃
3.6
3.6
1.8/3.3
3.6
VDDIO
VDDIO
VRTC
27
27
27
260
最大
5.5
5.5
3.45
5.5
3.45
5.5
1.95
85
125
150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
V
CC
：引脚/球VCC1 ， VCC2 ， VCCIO ， VCC3 ， VCC4 ， VCC5输入电压范围，
VCC7
V
CCP
：引脚/球VCC6输入电压范围
输入电压范围引脚/球VDDIO
输入电压范围引脚/球PWRON
输入电压范围引脚/球SDA_SDI ， SCL_SCK ， SDASR_EN2 ， SCLSR_EN1 ，
睡觉
引脚/球PWRHOLD ， GPIO_CKSYNC输入电压范围
对球的输入电压范围BOOT1 ， BOOT0 ， OSC32KIN
经营自由的空气温度，T
A
结温度T
J
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
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TPS65910 TPS65910A TPS65910A3 TPS659101 TPS659102 TPS659103 TPS659104
TPS659105 TPS659106 TPS659107 TPS659108 TPS659109
TPS65910 ， TPS65910A ， TPS65910A3 ， TPS659101 ， TPS659102 ， TPS659103
TPS659104 ， TPS659105 ， TPS659106 ， TPS659107 ， TPS659108 ， TPS659109
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推荐工作条件（续）
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
正在为TPS65910器件推荐工作最大额定值的名单如下。
注1 ： VCC7应连接到被连接到所述设备VCCx销的最高供给。唯一的例外是，
VCC2和VCC4可以比VCC7更高。
注2 ： VCC2和VCC4必须连接在一起（以相同的电压）。
注3 ：如果VDD3升压时， VAUX33必须被设置为2.8伏或更高和VDD3之前启用。
参数
C
O
滤波电容的ESR
VDAC LDO
滤波电容C
O（ VDAC ）
C
O
滤波电容的ESR
VMMC LDO
输入电容C
I(VCC4)
滤波电容C
O（ VMMC ）
C
O
滤波电容的ESR
VAUX33 LDO
滤波电容C
O(VAUX33)
C
O
滤波电容的ESR
VAUX1 LDO
输入电容C
I(VCC3)
滤波电容C
O(VAUX1)
C
O
滤波电容的ESR
VAUX2 LDO
滤波电容C
O(VAUX2)
C
O
滤波电容的ESR
VRTC LDO
输入电容C
I(VCC7)
滤波电容C
O（ VRTC ）
C
O
滤波电容的ESR
VDD3 SMPS
输入电容C
I(VDD3)
滤波器电容C
O(VDD3)
C
O
滤波电容的ESR
电感器L
O(VDD3)
L
O
电感的直流电阻DCR
L
备用电池
备用电池电容C
BB
串联电阻
电池或超级电容提供VBACKUP
电容供电VBACKUP
5至15 μF的
100 2000 μF的
I
2
I2C接口
SDA_SDI ， SCL_SCK ， SDASR_EN2 ，
SCLSR_EN1外部上拉电阻
晶振频率
水晶宽容
频率温度系数。
二次温度系数
电压COEF网络cient
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测试条件
民
0
0.8
0
喃
最大
500
单位
mΩ
F
mΩ
F
2.2
2.64
500
X5R或X7R电介质
0.8
0
0.8
0
X5R或X7R电介质
0.8
0
0.8
0
X5R或X7R电介质
0.8
0
X5R或X7R电介质
X5R或X7R电介质
F = 1 MHz的
2.8
4
4.7
2.2
2.64
500
2.2
2.64
500
4.7
2.2
2.64
500
2.2
2.64
500
4.7
2.2
2.64
500
4.7
10
10
4.7
50
5
1
10
5
10
12
300
6.6
500
2000
40
1500
15
F
mΩ
F
mΩ
F
F
mΩ
F
mΩ
F
F
mΩ
F
F
mΩ
H
mΩ
mF
F
Ω
VDDIO连接
1.2
kΩ
晶体振荡器（连接从OSC32KIN到OSC32KOUT ）
@指定的负载值上限
@ 27°C
振荡器的贡献（不包括结晶
变化）
–20
–0.5
–0.04
–2
–0.035
32.768
0
20
0.5
–0.03
2
千赫
PPM
PPM /°C的
PPM /°C的
2
PPM / V
5
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