TP2522
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
低门槛 - -2.4V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 125pF最大。
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这个低阈值的增强模式（常关）
晶体管采用了垂直的DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。这
结合产生了一种装置，具有功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
该设备不受热失控和thermally-
诱发二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于宽
各种开关和放大应用中非常
低阈值电压，高的击穿电压，高输入
阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
最大
(Ω)
V
GS （ TH）
最大
(V)
I
D（上）
民
(A)
封装选项
TO- 243AA （ SOT- 89 ）
TP2522N8-G
死*
TP2522ND
-220
12
-2.4
-0.75
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
* MIL视觉筛选可用。
引脚CON组fi guration
漏
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
门
来源
漏
TO- 243AA （ SOT- 89 ） （ N8 ）
产品标识
TP5CW
W =代码密封一周
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能出现的设备。在这些条件下的功能操作不
暗示。该设备在绝对评价等级连续运行
可能会影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
TO- 243AA （ SOT- 89 ） （ N8 ）
TP2522
热特性
包
TO- 243AA （ SOT- 89 ）
（连续） *
（MA ）
I
D
（脉冲的）
(A)
I
D
功耗
@ T
A
= 25
O
C
(W)
O
θ
jc
C / W
O
θ
j
a
C / W
I
DR
*
（MA ）
I
DRM
(A)
-260
-2.0
1.6
15
78
-260
-2.0
* I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。
电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
A
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
-220
-1.0
-
-
-
-0.25
-0.75
-
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-0.7
-2.1
10
8.0
-
250
75
20
10
-
-
-
-
-
300
最大
-
-2.4
4.5
-100
-10
-1.0
-
-
15
12
1.7
-
125
85
35
10
15
20
15
-1.8
-
单位
V
V
毫伏/
O
C
nA
μA
mA
A
Ω
%/
O
C
mmho
pF
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最大额定值，
T
A
= 125°C
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -200mA
V
GS
= 0V,
V
DS
= -25V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= -25V,
I
D
= -0.75A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
ns
V
ns
注意事项：
（1）所有的直流参数的100％ ，在25测试
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
（2）所有交流参数样品进行测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
R
根
D.U.T.
产量
R
L
10%
t
（上）
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
V
DD
2
TP2522
3引脚TO- 243AA （ SOT- 89 ）封装外形（ N8 ）
符号
民
尺寸
(mm)
喃
最大
A
1.40
-
1.60
b
0.44
-
0.56
b1
0.36
-
0.48
C
0.35
-
0.44
D
4.40
-
4.60
D1
1.62
-
1.83
E
2.29
-
2.60
E1
2.13
-
2.29
e
1.50
BSC
e1
3.00
BSC
H
3.94
-
4.25
L
0.89
-
1.20
JEDEC注册TO- 243 ，变化AA ，发行C， 1986年7月。
图纸不按比例。
。文件号DSFP - TP2522
A101507
5
QQ：2881677436 复制
