RGT
TPS65561
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SLVS691 - 2007年2月
集成闪光灯充电器和IGBT驱动器
特点
高度集成的解决方案来降低
组件
集成基准电压源
集成50 -V电源开关，
集成IGBT驱动器
高效率
可编程峰值电流： 1.1 A至2.2 A
1.6 V至12 V的输入电压电池
优化控制回路快速充电时间
输出电压反馈从主端
16引脚QFN封装
保护
- MAX开启时间
- MAX关闭时间
- 过流关断监视V
DS
at
SW引脚（ OV
DS
)
- 温度监控
应用
数码相机
光学胶片相机
描述
该器件提供了完整的解决方案，为充电
从电池输入相机闪光灯电容和
随后使电容器放电，以氙
闪光管。该器件集成了一个电压
参考，电源开关， IGBT驱动器，和控制
逻辑块的电容充电应用和
驱动IGBT的应用。与分立相比
解决方案，该装置减少了零件数目，
缩小了解决方案尺寸，并简化了设计
氙管应用。另外的优点是一
快速充电时间，从高效率
优化的PWM控制算法。
该装置的其他规定包括：感测所述
从初级侧，可编程输出电压
峰值电流，热关断，输出引脚
充电完成，并输入引脚，充电使能
和闪光灯启用。
D1
VCC
VCC
V
I / F
CHG
调节器
or
Q
Q
T1
VBAT
SW
V
A
C1
V
O
V
I / F
F1
0 Vds的
XFULL
R1
F2
U1
V_FULL
ENA
ENA
最大的
TSD
逻辑
V
REF
U3
保护地
VCC
U0
D / A CONV
or
U2
I_peak
I_peak
REF 。
SW
类似物
电路
or
F_ON
ENA
VCC
G_IGBT
U4
SW1
IGBT
NC
图1.典型应用电路
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-35℃至70℃
(1)
包装标志
BUO
包
(1)
16引脚QFN
产品型号
TPS65561RGT
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VCC
VBAT
(1)
单位
V
SS
V
（ SW）的
I
（ SW）的
V
I
T
英镑
T
J
电源电压
开关端子电压
开关电流SW和GND之间
CHG ， I_PEAK ， F_ON的输入电压
储存温度
最高结温
ESD额定值
(1)
HBM （人体模型） JEDEC JES22 -A114
-0.6 V至6 V
-0.6 V至13 V
-0.6 V至50 V
3A
0.3 V到V
CC
-40 ° C至150℃
125°C
1kV
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
SS
V
（ SW）的
I
（ SW）的
V
IH
V
IL
电源电压VCC
电源电压VBAT
开关端子电压
开关电流SW和GND之间
工作自由空气的温度范围内
在CHG和F_ON高层次的数字输入电压
在CHG和F_ON低级别的数字输入电压
-35
2
0.5
2.7
1.6
-0.3
喃
最大
4
12
45
2.5
70
单位
V
V
V
A
°C
V
V
耗散额定值
包
QFN
(1)
R
θJA
(1)
47.4
° C / W
额定功率
T
A
< 25℃
2.11 W
额定功率
T
A
= 70°C
1.16 W
的热阻，R
θJA
，是基于一个焊接使用PowerPad 上使用的散热孔一个2S2P JEDEC板。
2
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电气特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V， VCC = 3 V ，V
（ SW）的
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
R
（ ONL ）
V
（ PKH ）（1）
V
（ PKL ）（1）
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
lkg1
I
lkg2
I
（汇）
R
（ ONSW ）
R
(IGBT1)
R
(IGBT2)
I
(PEAK1)
I
(PEAK2)
V
（全）
V
（零）
T
（SD） （1）
t
民
t
最大
R
（ INPD ）
(1)
ON XFULL电阻
的上限阈值电压
I_peak
低阈值电压
I_peak
从VBAT电源电流
从VCC电源电流
从VCC电源电流和
VBAT
SW端漏电流
XFULL的漏电流
终奌站
灌电流在I_PEAK
SW ON之间的电阻
SW和PGND
G_IGBT上拉电阻
G_IGBT下拉电阻
我的上峰
（ SW）的
我下峰值
（ SW）的
充电完成检测电压
在V
（ SW）的
零电流检测在V
（ SW）的
热关断温度
在V
DS
检测在V
（ SW）的
最大关断时间
最大导通时间
CHG的下拉电阻，
F_ON
VCHG = V
（ F_ON ）
= 4.2 V
V
（ XFULL ）
= 5 V
V
（ I_PEAK ）
= 3 V ， CHG ：高
V
（ I_PEAK ）
= 3 V ， CHG ：低
I
（ SW）的
= 1 A，V
CC
= 3 V
V
（ G_IGBT ）
= 0 V, V
CC
= 3 V
V
（ G_IGBT ）
= 3 V, V
CC
= 3 V
V
（ I_IPEAK ）
= 3 V
V
（ I_IPEAK ）
= 0 V
VBAT = 1.6 V ，V
CC
= 3 V
V
CC
= 3 V
8
36
2
1
28
28.6
1
150
1.35
25
50
0.4
12
53
2.2
1.1
28.7
29
20
160
1.65
50
100
100
测试条件
I
（ XFULL ）
= -1毫安
V
CC
= 3 V
V
CC
= 3 V
CHG = H ，V
（ SW）的
= 0 V
（自由运行采用t
最大
)
CHG = H ，V
（ SW）的
= 0 V
（自由运行采用t
最大
)
CHG = L
17
1.3
2.4
0.6
50
3
1
2
1
2
0.1
0.9
19.4
70
2.4
1.2
29.4
29.4
60
170
1.95
80
160
民
典型值
1.5
最大
3
单位
k
V
V
A
mA
A
A
A
A
A
A
V
mV
°C
V
s
s
k
按设计规定。
开关特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V， VCC = 3 V ，V
（ SW）的
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
测试条件
F_ON ↑↓ - G_IGBT ↑↓
SW后V
（ SW）的
从抄底
V
（零）
t
PD （1）
传播延迟
SW关后，我
（ SW）的
超过我
（峰值）
XFULL ↓后V
（ SW）的
超过V
（全）
SW后CHG ↑
SW OFF CHG ↓后
民
典型值
50
500
270
400
12
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
ns
(1)
按设计规定。
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3
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引脚分配
RGT
（ TOP VIEW ）
TEST_GND
NC
VBAT
SW
SW
VCC
F_ON
16 15 14 13
12
1
2
3
4
5
6
7
使用PowerPad
NC
保护地
保护地
CHG
XFULL
11
10
8
9
I_peak
G_IGBT
NC - 无内部连接
终端功能
引脚数
1, 2
3
4
5, 8, 13, 16
6
7
9
10
11, 12
14
15
SW
VCC
F_ON
NC
I_peak
G_IGBT
XFULL
CHG
保护地
TEST_GND
VBAT
I
I
O
O
I
信号
I / O
O
I
I
描述
初级侧开关。连接SW到变压器的开关侧
电源输入。从2.7 V VCC连接到输入电源为4 V. VCC旁路到
GND用1 μF陶瓷电容应尽可能靠近IC放置。
IGBT栅极控制输入。逻辑高电平上F_ON时， CHG为低将带动的门
IGBT高以启动闪光灯。见
IGBT驱动控制
部分
SubSec1 1
了解详细信息。
无内部连接。
原边峰值电流控制输入。在I_PEAK的电压设置到峰值电流
SW 。见
编程峰值电流
一节关于选择V详细资料
（ I_PEAK ）
.
IGBT栅极驱动器输出。从PGND到VCC G_IGBT摆动来驱动外部IGBT器件。
充电完成指示器输出。 XFULL是一个漏极开路输出拉低一旦
输出完全充电。 XFULL是在充电过程中，所有故障情况的高阻抗。
XFULL复位时， CHG变为低的高。见
指示充电状态
部分
了解详细信息。
充电控制输入。驱动CHG高启动充电输出。开车CHG低
终止充电。
电源地。连接到地平面。
使用TI ，应连接到PGND和接地层。
电池电压监测器输入。从1.6 V VBAT连接到输入电源为12 V.绕道
VBAT在一个10 μF陶瓷电容GND（ C1
图1中，
尽可能接近的
电池）和1 - F陶瓷电容器（C2中
图1中，
尽可能接近到IC ） 。那里
没有VBAT和VCC之间的电源排序要求。
4
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NC
NC
QQ：2881677436 复制
