RGT
DGQ
TPS65552A
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SLVS567 - 2005年7月
集成闪光灯充电器和IGBT驱动器
特点
高度集成的解决方案来降低
组件
集成50 -V电源开关，
R
（上）
= 200 mΩ的典型
集成IGBT驱动器
高效率
可编程峰值电流0.95 A 1.8 A
1.8 V至12 V输入电压
优化控制回路快速充电时间
所有感应触发从初级侧
10引脚MSOP / 16引脚QFN封装
保护
- MAX开启时间
- 超过V
DS
关闭
- 温度监控
应用
数码相机（ DSC）的
光学胶片相机
手机具备相机
掌上电脑摄像头
描述
该器件提供了完整的解决方案，为充电
从电池输入和子摄影闪光灯电容器
sequently电容器放电到氙
管。该器件集成了一个电源开关，
IGBT驱动器和控制逻辑块用于电荷
应用程序。用不显眼的解决方案相比，本
设备显著减少了零件数目，
缩小了解决方案尺寸，并简化设计的COM
复杂性。另外的优点是快速充电时间
和高效率是由于优化的PWM控制
算法。
该设备的其他规定包括四个选项
用于确定不同的目标电压，
可编程峰值电流，热关闭显示器，
输入信号，充电使能，使闪光灯，和一个
输出信号为充电完成状态。
VA
V
5 V
VCC
VBAT
SW
T1
1:10
or
1:11
or
1:12
D1
C1
VOUT
V
VF
CHG
调节器
or
Q
F2
U1
V_FULL
D / A Vonv 。
or
U2
模拟电路
I_peak
最大的
逻辑
30 m
保护地
U3
or
I_PEAK1
I_PEAK2
VCC
F_ON
U4
G_IGBT
SW1
5 [V] IGBT驱动器
TSD
NC
VCC
ENA
U0
0 V DS
Q
F1
国内
ENA
XFULL
V
VF
R1
图1.典型应用电路
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
产品预览资料涉及产品的地层
发展略去或设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器保留
有权改变或者恕不另行通知停止这些产品。
版权所有 2005年，德州仪器
产品预览
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-35 ° C至85°C
-35 ° C至85°C
目标电压的
一次侧
29
29
包装标志
BK病毒
BMA
包
16引脚QFN
10引脚MSOP
产品型号
TPS65552ARGT
TPS65552ADGQ
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VCC
VBAT
(1)
单位
V
SS
V
（ SW）的
V
I
T
英镑
T
J
(1)
电源电压
开关端子电压
开关电流SW和GND ， ISW之间
CHG ， I_PEAK ， F_ON的输入电压
储存温度
最高结温
-0.6 V至6 V
-0.6 V至13 V
-0.6 V至50 V
3A
0.3 V到V
CC
-40 ° C至150℃
125°C
产品预览
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
SS
V
（ SW）的
电源电压VCC
电源电压VBAT
开关端子电压，
开关电流SW和GND之间
工作自由空气的温度范围内
V
IH
V
IL
在CHG和F_ON高层次的数字输入电压
在CHG和F_ON低级别的数字输入电压
-35
2.4
0.6
4.5
1.8
-0.3
喃
最大
5.5
12
45
2
85
单位
V
V
V
A
°C
V
V
耗散额定值
包
MSOP
QFN
(1)
R
θJA
(1)
49.08
° C / W
47.40
° C / W
额定功率
T
A
< 25℃
2.04 W
2.11 W
额定功率
T
A
= 70°C
1.12 W
1.16 W
额定功率
T
A
= 85°C
815毫瓦
844毫瓦
的热阻，R
θJA
，是基于一个焊接使用PowerPad 上使用的散热孔一个2S2P JEDEC板。
2
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电气特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V， VCC = 5V ，V
（ SW）的
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
R
（ ONL ）
V
（ PKH ）（1）
V
（ PKL ）（1）
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
lkg1
I
lkg2
R
（ ONSW ）
R
(IGBT1)
R
(IGBT2)
I
(PEAK1)
I
(PEAK2)
V
（全）
V
（零）
T
（SD） （1）
t
最大
R
（ INPD ）
(1)
ON XFULL电阻
I_PEAK的上限阈值电压
I_PEAK低阈值电压
从VBAT电源电流
从VCC电源电流
从VCC电源电流和
VBAT
SW端漏电流
XFULL之三的漏电流
MINAL
SW ON之间的电阻
SW和PGND
G_IGBT上拉电阻
G_IGBT下拉电阻
我的上峰
（ SW）的
我下峰值
（ SW）的
充电完成检测电压
在V
（ SW）的
零电流检测在V
（ SW）的
热关断温度
在V
DS
检测在V
（ SW）的
最大导通时间
CHG的下拉电阻，
F_ON
VCHG = V
（ F_ON ）
= 4.2 V
V
（ XFULL ）
= 5 V
I
（ SW）的
= 1 A
V
（ G_IGBT ）
= 0 V
V
（ G_IGBT ）
= 5 V
V
（ I_IPEAK ）
= 3 V
V
（ I_IPEAK ）
= 0 V
TPS65552A
5
25
1.58
0.77
28.7
1
150
0.95
50
0.3
10
51
1.68
0.87
29
20
160
1.2
80
100
CHG = H ，V
（ SW）的
= 0 V
（自由运行采用t
最大
)
CHG = H ，V
（ SW）的
= 0 V
（自由运行采用t
最大
)
CHG = L
27
2.5
5
1
2
1
1
15
75
1.78
0.97
29.3
60
170
1.45
120
测试条件
I
（ XFULL ）
= -1毫安
2.4
0.6
民
典型值
1.5
最大
3
单位
k
V
V
A
mA
A
A
A
A
V
mV
°C
V
s
k
按设计规定。
开关特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V， VCC = 5V ，V
（ SW）的
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
测试条件
F_ON ↑↓ - G_IGBT ↑↓
SW后V
（ SW）的
从V骤降
（零）
t
PD （1）
传播延迟
SW关后，我
（ SW）的
超过我
（峰值）
XFULL ↓后V
（ SW）的
超过V
（全）
SW后CHG ↑
SW OFF CHG ↓后
民
典型值
50
45
270
300
20
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(1)
按设计规定。
3
产品预览
A
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