TPS65160
www.ti.com
SLVS566A - 2005年3月 - 修订2005年5月
偏置电源，用于电视和显示器的TFT LCD面板
特点
8 V至14 V的输入电压范围
V
S
输出电压范围高达20 V
1 ％精度的升压转换器2.8 -A
开关电流
1.5 ％的精确1.8 -A降压转换器
为500 kHz / 750 kHz的固定开关频率
负电荷泵驱动器，用于VGL
正电荷泵驱动器，用于VGH
可调测序的VGL ， VGH
栅极驱动信号驱动外部MOSFET
内部和可调软启动
短路保护
过压保护
热关断
可在TSSOP -28封装
应用
TFT液晶显示器的显示器和液晶电视
描述
该TPS65160提供了一个紧凑的电源解决方案，提供了薄膜晶体管所需的所有四个电压
（ TFT ）液晶面板。其高电流的能力，该装置是适用于大屏幕显示器的面板和液晶
电视应用。该设备可以直接从12V输入电压产生的偏压供电电压VGH
和VGL ，以及源极电压V
S
与逻辑电压为液晶面板。
典型用途
L1
10毫亨
D1
SL22
Vs
15 V / 1.5 A
VIN
12 V
C1
2 * 22 μF的
C3
1 μF的
TPS65160
8
12
20
21
22
SUP
频率
VINB
VINB
AVIN
EN1
EN2
DRN
FBN
REF
保护地
保护地
SS
DLY1
SW
SW
FB
OS
GND
GD
4
5
1
3
23
27
GD
C4
22 pF的
R1
680千瓦
C2
3 * 22 μF的
C15
470 nF的
R2
56千瓦
D4
VGH
23 V / 50毫安
VGL
-5 V / 50毫安
C16
1 μF的
D2
C6
0.47 μF的
16
9
11
13
24
6
7
28
25
D5
C5
0.47 μF的
R5
1兆瓦
D3
C7
470 μF的
R4
150千瓦
R3
620千瓦
10
DRP
14
FBP
17
BOOT
18
SWB
19
NC
15
FBB
2
COMP
DLY2 26
C13
0.47 μF的
Cb
100 nF的
C17
22 nF的
L2
15 mH的
D6
SL22
R6
56千瓦
VLOGIC
3.3 V / 1.5 A
C8
220 nF的
C9
22 nF的
C10
10 nF的
C11
10 nF的
R7
2千瓦
C14
10 nF的
C12
2 * 22 μF的
R8
1.2千瓦
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
TPS65160
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SLVS566A - 2005年3月 - 修订2005年5月
描述（续）
该装置由升压转换器的提供源电压V
S
和降压转换器，以提供
逻辑电压为系统。正和负电荷泵驱动器提供可调稳压
输出电压VGL和VGH偏置的TFT 。两个升压和降压转换器，以及
电荷泵驱动器操作与500 kHz或750 kHz时，由频率引脚可选的固定开关频率。
该TPS65160具有可调节的上电顺序。该装置包括像过压安全功能
保护升压转换器和短路保护的降压转换器，以及热关断。
此外，该设备包括一个栅极驱动信号来控制串联的隔离MOSFET开关在V
S
或者钩选。请参阅应用电路在此数据表的末尾。
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
订购
TPS65160PWP
(1)
包
(2)
TSSOP28 （ PWP ）
包装标志
TPS65160
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
PWP封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（ TPS65160PWPR ）订购录音设备和
一阵眩晕。该TPS65160PWPR包装为每卷2000设备的数量。如果没有后缀，则TPS65160PWP被运管
每管50的设备。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
引脚VIN ， SUP电压
(2)
引脚EN1电压， EN2 ，
在SW引脚的电压
引脚电压
(2)
-0.3 V至16.5 V
0.3 V至15 V
25 V
20 V
25 V
见耗散额定值表
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
260°C
频率
(2)
SWB
(2)
引脚操作系统， GD电压
(2)
连续功率耗散
T
A
T
英镑
工作结温
存储温度范围
温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子
耗散额定值
包
28引脚TSSOP
(1)
RTH
JA
28 ℃/ W（使用PowerPad
(1)
焊接）
T
A
≤
25°C
额定功率
3.57 W
T
A
= 70°C
额定功率
1.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.42 W
见德州仪器应用报告
SLMA002
关于PowerPAD封装的热特性。
2
TPS65160
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SLVS566A - 2005年3月 - 修订2005年5月
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
in
V
S
V
SUP
C
in
C
in
L
VLOGIC
C
O
T
A
T
J
(1)
输入电压范围
主升压转换器V的输出电压范围
S
在电荷泵驱动器电源引脚SUP最大工作电压
输入电容的VINB
输入电容AVIN
电感升压
变流器
(1)
1.8
3x22
2x22
–40
–40
85
125
电感降压转换器
(1)
降压转换器VLOGIC的输出电压范围
输出电容升压转换器
输出电容降压转换器
工作环境温度
工作结温
请参阅有关详细信息，应用程序部分。
2x22
1
10
15
5.0
8
喃
最大
14
20
15
单位
V
V
V
F
F
H
V
F
°C
°C
电气特性
VIN = 12V， SUP = Vin的， EN1 = EN2 = VIN ，V
S
= 15 V ， VLOGIC = 3.3 V T，
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
电源电流
V
in
输入电压范围
静态电流为AVIN
I
q对于
静态电流为VINB
关断电流为AVIN
关断电流为VINB
关断电流为SUP
静态电流为SUP
TPS65160
参考电压
热关断
热关断迟滞
逻辑信号EN1 ， EN2 ，频率
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
I
I
高电平输入电压EN1 ， EN2
低级别的输入电压EN1 ， EN2
高电平输入电压FREQ
低电平输入电压FREQ
输入漏电流
EN1=EN2=FREQ=GND
或VIN
V
门槛
= 1.213 V
V
门槛
= 1.213 V
V
门槛
= 1.213 V
3.3
3.3
6
0.01
1.7
0.4
0.1
1.7
0.7
V
V
V
V
A
升温
欠压锁定阈值
VGH = 2× V
S
,
升压转换器不
开关
VGH = 2× V
S
,
降压转换器不
开关
EN1=EN2=GND
EN1=EN2=GND
EN1=EN2=GND
VGH = 2× V
S
VIN下降
1.203
8
0.2
14
2
mA
V
测试条件
民
典型值
最大单位
0.2
0.5
I
SD
I
SUP
V
UVLO
V
REF
0.1
0.1
0.1
0.2
6
1.213
155
5
2
2
4
2
6.4
1.223
A
A
mA
V
V
°C
°C
控制和软启动DLY1 ， DLY2 ， SS
I
DLY1
I
DLY2
I
SS
延迟1充电电流
延迟2充电电流
SS充电电流
4.8
4.8
9
6.2
6.2
12
A
A
A
3
TPS65160
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SLVS566A - 2005年3月 - 修订2005年5月
电气特性（续）
VIN = 12V， SUP = Vin的， EN1 = EN2 = VIN ，V
S
= 15 V ， VLOGIC = 3.3 V T，
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
内部振荡器
f
OSC
振荡器频率
FREQ = HIGH
FREQ = LOW
600
400
750
500
900
600
20
1.136
ISW = 500毫安
ISW = 500毫安
2.8
V
sw
= 15 V
V
sw
= 0 V
VOUT上升
10.6 V
≤
VIN
≤
11.6
V/1mA
21
1.146
10
100
10
3.5
1
1
23
0.0008
0.03
V
FB
升起
I
（汇）
= 500 A
VGD = 20 V
1.8
1.195
ISW = 500毫安
2
V
sw
= 0 V
10.6 V
≤
VIN
≤
11.6
V/1mA
1.213
10
175
2.6
1
0.0018
0.037
0.05
Vs-12%
Vs-8%
Vs-4%
0.3
1
5
1.231
100
300
3.3
10
1.156
100
185
16
1
4.2
10
10
27
千赫
测试条件
民
典型值
最大单位
升压转换器（V
S
)
V
S
V
FB
I
FB
R
DS （ ON）
I
最大
I
LIM
ILEAK
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
P-MOSFET的导通电阻（ Q2 ）
最大的P-MOSFET峰值开关电流
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
V
V
nA
m
A
A
A
V
%/V
%/A
V
V
A
V
V
nA
m
A
A
%/V
%/A
Vswovp开关过电压保护
线路调整
负载调整率
栅极驱动（ GD ）
V
GD
V
OL
栅极驱动门槛
(1)
GD输出低电压
GD输出漏电流
降压转换器（ VLOGIC ）
VLOGIC
V
FBB
I
FBB
R
DS （ ON）
I
LIM
ILEAK
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
线路调整
负载调整率
(1)
在GD信号被锁定为低电平时，主升压转换器输出电压V
S
在调节范围内。在GD信号复位时输入
电压或使升压转换器是循环的低。
4
TPS65160
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SLVS566A - 2005年3月 - 修订2005年5月
电气特性（续）
VIN = 12V， SUP = Vin的， EN1 = EN2 = VIN ，V
S
= 15 V ， VLOGIC = 3.3 V T，
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
负电荷泵VGL
VGL
V
FBN
I
FBN
R
DS （ ON）
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
Q4 P沟道开关的RON
DS （ ON）
(2)
测试条件
民
典型值
最大单位
–2
V
mV
nA
190
420
mV
–36
IOUT = 20毫安
I
DRN
= 50毫安，
V
FBN
= V
FBNnominal
–5%
I
DRN
= 100毫安，
V
FBN
= V
FBNnominal
– 5%
1.187
IOUT = 20毫安
I
DRP
= 50毫安，
V
FBP
= V
FBPnominal
–5%
I
DRP
= 100毫安，
V
FBP
= V
FBPnominal
– 5%
0
10
4.4
130
270
36
100
V
DropN
电流阱压降
正电荷泵输出VGH
V
FBP
I
FBP
R
DS （ ON）
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
Q3 N沟道开关的RON
DS （ ON）
电流源的电压降
（ Vsup- V
DRP
)
(2)
1.213
10
1.1
400
850
680
1600
mV
1.238
100
V
nA
V
DropP
(2)
最大电荷泵输出电流的典型的内部电流源或电流吸收器的一半的驱动电流。
FB
COMP
OS
SW
SW
保护地
保护地
SUP
EN2
DRP
DRN
频率
FBN
FBP
1
2
3
散热垫（见注）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
SS
GD
DLY2
DLY1
REF
GND
AVIN
VINB
VINB
NC
SWB
BOOT
EN1
FBB
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
注：耐热增强型使用PowerPad 连接到保护接地。
5
TPS65160 ， TPS65160A
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SLVS566B - 2005年3月 - 修订2005年7月
偏置电源，用于电视和显示器的TFT LCD面板
特点
8 V至14 V的输入电压范围
V
S
输出电压范围高达20 V
1 ％精度的升压转换器2.8 -A
开关电流
1.5 ％的精确1.8 -A降压转换器
500千赫/ 750 - kHz的固定开关频率
负电荷泵驱动器，用于VGL
正电荷泵驱动器，用于VGH
可调测序的VGL ， VGH
栅极驱动信号驱动外部MOSFET
内部和可调软启动
短路保护
23 -V （ TPS65160 ）过压保护
19.5 -V （ TPS65160A ）过压保护
热关断
可在TSSOP -28封装
应用
TFT液晶显示器的显示器和液晶电视
描述
该TPS65160提供了一个紧凑的电源解决方案，以提供由薄膜晶体管所需要的所有四个电压
（ TFT ）液晶面板。其高电流的能力，该装置是适用于大屏幕显示器的面板和液晶
电视应用。
典型用途
V
IN
12 V
C1
2*22
mF
L1
10
mH
D1
SL22
V
S
15 V / 1.5 A
C3
1
mF
TPS65160
8
12
20
21
22
SUP
频率
VINB
VINB
AVIN
EN1
EN2
DRN
FBN
REF
保护地
保护地
SS
DLY1
SW
SW
FB
OS
GND
GD
DRP
4
5
1
3
23
27
GD
C4
22 pF的
R1
680千瓦
C2
3* 22
mF
C15
470 nF的
R2
56千瓦
D4
VGH
23 V / 50毫安
VGL
-5 V / 50毫安
C16
1
mF
D2
C6
0.47
mF
16
9
11
13
24
6
7
28
25
D5
C5
0.47
mF
R5
1兆瓦
D3
C7
470
mF
R4
150千瓦
R3
620千瓦
10
14
FBP
17
BOOT
18
SWB
19
NC
15
FBB
2
COMP
DLY2 26
C13
0.47
mF
Cb
100 nF的
C17
22 nF的
L2
15
mH
D6
SL22
R6
56千瓦
V
逻辑
3.3 V / 1.5 A
C8
220 nF的
C9
22 nF的
C10
10 nF的
C11
10 nF的
R7
2千瓦
C14
10 nF的
C12
2*22
mF
R8
1.2千瓦
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
TPS65160 ， TPS65160A
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SLVS566B - 2005年3月 - 修订2005年7月
描述（续）
该设备可以直接从12V输入电压产生的偏压供电电压VGH和VGL ，如
以及源极电压V
S
与逻辑电压为液晶面板。该装置由升压转换器的
提供的源电压V
S
和降压转换器，以提供逻辑电压为系统。正
和负电荷泵驱动器提供可调的稳压输出电压VGL和VGH偏置TFT 。
两个升压和降压变换器，以及电荷泵驱动器，工作于固定开关
频率500 kHz或750 kHz时，由频率引脚可选的。该TPS65160包括可调电
测序。该装置包括像在升压转换器的过电压保护和安全功能
短路保护的降压转换器，以及热关断。此外，该器件集成了一个
栅极驱动信号来控制串联的隔离MOSFET开关在V
S
或者钩选。请参阅应用电路在
此数据表的末尾。
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
A
UVLO
（典型值）
6V
8V
过压保护
VS （典型值）
23 V
19.5 V
订购
TPS65160PWP
TPS65160APWP
(1)
包
(2)
TSSOP28 （ PWP ）
TSSOP28 （ PWP ）
包
记号
TPS65160
TPS65160A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
PWP封装提供卷带封装。加入R-后缀的设备类型（ TPS65160PWPR ）订购录音设备和
一阵眩晕。该TPS65160PWPR包装为每卷2000设备的数量。如果没有后缀，则TPS65160PWP被运管
每管50的设备。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
引脚VIN ， SUP电压
(2)
引脚EN1 ， EN2 ，频率电压
(2)
在SW引脚的电压
(2)
-0.3 V至16.5 V
0.3 V至15 V
25 V
20 V
25 V
见耗散额定值表
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
260°C
引脚电压SWB
(2)
引脚OS电压，
T
A
T
英镑
GD
(2)
连续功率耗散
工作结温
存储温度范围
温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
耗散额定值
包
28引脚TSSOP
(1)
RTH
JA
28 ℃/ W（使用PowerPad
(1)
焊接）
T
A
≤
25°C
额定功率
3.57 W
T
A
= 70°C
额定功率
1.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.42 W
见德州仪器应用报告
SLMA002
关于PowerPAD封装的热特性。
2
TPS65160 ， TPS65160A
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SLVS566B - 2005年3月 - 修订2005年7月
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
S
V
SUP
C
IN
L
V
逻辑
C
O
T
A
T
J
(1)
主升压转换器的输出电压范围
TPS65160
TPS65160A
在电荷泵驱动器电源引脚SUP最大工作电压
输入电容的VINB
输入电容AVIN
电感升压
变流器
(1)
1.8
3x22
2x22
–40
–40
85
125
电感降压转换器
(1)
降压转换器V的输出电压范围
逻辑
输出电容升压转换器
输出电容降压转换器
工作环境温度
工作结温
请参阅有关详细信息，应用程序部分。
2x22
1
10
15
5.0
喃
最大
20
17.5
15
单位
V
V
V
F
F
H
V
F
°C
°C
电气特性
V
IN
= 12 V ， SUP = V
IN
， EN1 = EN2 = V
IN
, V
S
= 15 V, V
逻辑
= 3.3 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
电源电流
V
IN
输入电压范围
TPS65160
TPS65160A
VGH = 2× V
S
,
升压转换器不
开关
VGH = 2× V
S
,
降压转换器不
开关
EN1 = EN2 = GND
EN1 = EN2 = GND
EN1 = EN2 = GND
VGH = 2× V
S
TPS65160
TPS65160A
V
IN
落下
V
IN
落下
1.203
升温
8
9.2
0.2
14
14
2
mA
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
静态电流为AVIN
I
q对于
静态电流为VINB
关断电流为AVIN
关断电流为VINB
关断电流为SUP
静态电流为SUP
欠压锁定阈值
参考电压
热关断
热关断迟滞
逻辑信号EN1 ， EN2 ，频率
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
I
I
高电平输入电压EN1 ， EN2
低级别的输入电压EN1 ， EN2
高电平输入电压FREQ
低电平输入电压FREQ
输入漏电流
0.2
0.5
I
SD
I
SUP
V
UVLO
V
REF
0.1
0.1
0.1
0.2
6
8
1.213
155
5
2.0
2
2
4
2
6.4
8.8
1.223
A
A
mA
V
V
V
°C
°C
V
0.8
1.7
0.4
EN1 = EN2 = FREQ =
GND或V
IN
3.3
V
门槛
= 1.213 V
3.3
6
0.01
0.1
V
V
V
A
控制和软启动DLY1 ， DLY2 ， SS
I
DLY1
I
DLY2
I
SS
延迟1充电电流
延迟2充电电流
SS充电电流
4.8
4.8
9
6.2
6.2
12
A
A
A
3
TPS65160 ， TPS65160A
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SLVS566B - 2005年3月 - 修订2005年7月
电气特性（续）
V
IN
= 12 V ， SUP = V
IN
， EN1 = EN2 = V
IN
, V
S
= 15 V, V
逻辑
= 3.3 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
内部振荡器
f
OSC
振荡器频率
FREQ = HIGH
FREQ = LOW
TPS65160
TPS65160A
1.136
I
SW
= 500毫安
I
SW
= 200毫安
2.8
V
SW
= 15 V
TPS65160
TPS65160A
V
OUT
升起
V
OUT
升起
10.6 V
≤
VIN
≤
11.6 V
为1 mA
22
18
1.146
10
100
10
3.5
1
23
19.5
0.0008
0.03
V
FB
升起
I
（汇）
= 500 A
VGD = 20 V
1.8
1.195
I
SW
= 500毫安
2
V
SW
= 0 V
10.6 V
≤
V
IN
≤
11.6 V
为1 mA
1.213
10
175
2.6
1
0.0018
0.037
0.05
Vs-12%
Vs-8%
Vs-4%
0.3
1
5
1.231
100
300
3.3
10
600
400
750
500
900
600
20
17.5
1.156
100
185
16
1
4.2
10
24.5
20.5
千赫
测试条件
民
典型值
最大
单位
升压转换器（V
S
)
V
S
V
FB
I
FB
r
DS （ ON）
I
最大
I
LIM
ILEAK
VOVP
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
P-MOSFET的导通电阻（ Q2 ）
最大的P-MOSFET峰值开关电流
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
过压保护
线路调整
负载调整率
栅极驱动（ GD ）
V
GD
V
OL
栅极驱动门槛
(1)
GD输出低电压
GD输出漏电流
降压转换器（V
逻辑
)
V
逻辑
V
FBB
I
FBB
r
DS （ ON）
I
LIM
ILEAK
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
线路调整
负载调整率
(1)
V
V
nA
m
A
A
%/V
%/A
V
V
A
V
V
V
nA
m
A
A
A
V
V
%/V
%/A
在GD信号被锁定为低电平时，主升压转换器输出电压V
S
在调节范围内。在GD信号复位时输入
电压或使升压转换器是循环的低。
4
TPS65160 ， TPS65160A
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电气特性（续）
V
IN
= 12 V ， SUP = V
IN
， EN1 = EN2 = V
IN
, V
S
= 15 V, V
逻辑
= 3.3 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
负电荷泵VGL
VGL
V
FBN
I
FBN
r
DS （ ON）
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
Q4 P沟道开关的RON
DS （ ON）
(2)
测试条件
民
典型值
最大
–2
单位
V
mV
nA
–36
I
OUT
= 20毫安
I
DRN
= 50毫安，
V
FBN
= V
FBNnominal
–5%
I
DRN
= 100毫安，
V
FBN
= V
FBNnominal
–5%
1.187
I
OUT
= 20毫安
I
DRP
= 50毫安，
V
FBP
= V
FBPnominal
–5%
I
DRP
= 100毫安，
V
FBP
= V
FBPnominal
–5%
0
10
4.4
130
270
36
100
190
420
V
DropN
电流阱压降
mV
正电荷泵输出VGH
V
FBP
I
FBP
r
DS （ ON）
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
Q3 N沟道开关的RON
DS （ ON）
电流源的电压降
（的Vsup - V
DRP
)
(2)
1.213
10
1.1
400
850
680
1600
mV
1.238
100
V
nA
V
DropP
(2)
最大电荷泵的输出电流通常的内部电流源或电流吸收器的一半的驱动电流。
FB
COMP
OS
SW
SW
保护地
保护地
SUP
EN2
DRP
DRN
频率
FBN
FBP
1
2
3
散热垫（见注）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
SS
GD
DLY2
DLY1
REF
GND
AVIN
VINB
VINB
NC
SWB
BOOT
EN1
FBB
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
注：耐热增强型使用PowerPad 连接到保护接地。
5
TPS65160
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偏置电源，用于电视和显示器的TFT LCD面板
特点
8 V至14 V的输入电压范围
V
S
输出电压范围高达20 V
1 ％精度的升压转换器2.8 -A
开关电流
1.5 ％的精确1.8 -A降压转换器
为500 kHz / 750 kHz的固定开关频率
负电荷泵驱动器，用于VGL
正电荷泵驱动器，用于VGH
可调测序的VGL ， VGH
栅极驱动信号驱动外部MOSFET
内部和可调软启动
短路保护
过压保护
热关断
可在TSSOP -28封装
应用
TFT液晶显示器的显示器和液晶电视
描述
该TPS65160提供了一个紧凑的电源解决方案，提供了薄膜晶体管所需的所有四个电压
（ TFT ）液晶面板。其高电流的能力，该装置是适用于大屏幕显示器的面板和液晶
电视应用。该设备可以直接从12V输入电压产生的偏压供电电压VGH
和VGL ，以及源极电压V
S
与逻辑电压为液晶面板。
典型用途
L1
10毫亨
D1
SL22
Vs
15 V / 1.5 A
VIN
12 V
C1
2 * 22 μF的
C3
1 μF的
TPS65160
8
12
20
21
22
SUP
频率
VINB
VINB
AVIN
EN1
EN2
DRN
FBN
REF
保护地
保护地
SS
DLY1
SW
SW
FB
OS
GND
GD
4
5
1
3
23
27
GD
C4
22 pF的
R1
680千瓦
C2
3 * 22 μF的
C15
470 nF的
R2
56千瓦
D4
VGH
23 V / 50毫安
VGL
-5 V / 50毫安
C16
1 μF的
D2
C6
0.47 μF的
16
9
11
13
24
6
7
28
25
D5
C5
0.47 μF的
R5
1兆瓦
D3
C7
470 μF的
R4
150千瓦
R3
620千瓦
10
DRP
14
FBP
17
BOOT
18
SWB
19
NC
15
FBB
2
COMP
DLY2 26
C13
0.47 μF的
Cb
100 nF的
C17
22 nF的
L2
15 mH的
D6
SL22
R6
56千瓦
VLOGIC
3.3 V / 1.5 A
C8
220 nF的
C9
22 nF的
C10
10 nF的
C11
10 nF的
R7
2千瓦
C14
10 nF的
C12
2 * 22 μF的
R8
1.2千瓦
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
TPS65160
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描述（续）
该装置由升压转换器的提供源电压V
S
和降压转换器，以提供
逻辑电压为系统。正和负电荷泵驱动器提供可调稳压
输出电压VGL和VGH偏置的TFT 。两个升压和降压转换器，以及
电荷泵驱动器操作与500 kHz或750 kHz时，由频率引脚可选的固定开关频率。
该TPS65160具有可调节的上电顺序。该装置包括像过压安全功能
保护升压转换器和短路保护的降压转换器，以及热关断。
此外，该设备包括一个栅极驱动信号来控制串联的隔离MOSFET开关在V
S
或者钩选。请参阅应用电路在此数据表的末尾。
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
订购
TPS65160PWP
(1)
包
(2)
TSSOP28 （ PWP ）
包装标志
TPS65160
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
PWP封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（ TPS65160PWPR ）订购录音设备和
一阵眩晕。该TPS65160PWPR包装为每卷2000设备的数量。如果没有后缀，则TPS65160PWP被运管
每管50的设备。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
引脚VIN ， SUP电压
(2)
引脚EN1电压， EN2 ，
在SW引脚的电压
引脚电压
(2)
-0.3 V至16.5 V
0.3 V至15 V
25 V
20 V
25 V
见耗散额定值表
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
260°C
频率
(2)
SWB
(2)
引脚操作系统， GD电压
(2)
连续功率耗散
T
A
T
英镑
工作结温
存储温度范围
温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子
耗散额定值
包
28引脚TSSOP
(1)
RTH
JA
28 ℃/ W（使用PowerPad
(1)
焊接）
T
A
≤
25°C
额定功率
3.57 W
T
A
= 70°C
额定功率
1.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.42 W
见德州仪器应用报告
SLMA002
关于PowerPAD封装的热特性。
2
TPS65160
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
in
V
S
V
SUP
C
in
C
in
L
VLOGIC
C
O
T
A
T
J
(1)
输入电压范围
主升压转换器V的输出电压范围
S
在电荷泵驱动器电源引脚SUP最大工作电压
输入电容的VINB
输入电容AVIN
电感升压
变流器
(1)
1.8
3x22
2x22
–40
–40
85
125
电感降压转换器
(1)
降压转换器VLOGIC的输出电压范围
输出电容升压转换器
输出电容降压转换器
工作环境温度
工作结温
请参阅有关详细信息，应用程序部分。
2x22
1
10
15
5.0
8
喃
最大
14
20
15
单位
V
V
V
F
F
H
V
F
°C
°C
电气特性
VIN = 12V， SUP = Vin的， EN1 = EN2 = VIN ，V
S
= 15 V ， VLOGIC = 3.3 V T，
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
电源电流
V
in
输入电压范围
静态电流为AVIN
I
q对于
静态电流为VINB
关断电流为AVIN
关断电流为VINB
关断电流为SUP
静态电流为SUP
TPS65160
参考电压
热关断
热关断迟滞
逻辑信号EN1 ， EN2 ，频率
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
I
I
高电平输入电压EN1 ， EN2
低级别的输入电压EN1 ， EN2
高电平输入电压FREQ
低电平输入电压FREQ
输入漏电流
EN1=EN2=FREQ=GND
或VIN
V
门槛
= 1.213 V
V
门槛
= 1.213 V
V
门槛
= 1.213 V
3.3
3.3
6
0.01
1.7
0.4
0.1
1.7
0.7
V
V
V
V
A
升温
欠压锁定阈值
VGH = 2× V
S
,
升压转换器不
开关
VGH = 2× V
S
,
降压转换器不
开关
EN1=EN2=GND
EN1=EN2=GND
EN1=EN2=GND
VGH = 2× V
S
VIN下降
1.203
8
0.2
14
2
mA
V
测试条件
民
典型值
最大单位
0.2
0.5
I
SD
I
SUP
V
UVLO
V
REF
0.1
0.1
0.1
0.2
6
1.213
155
5
2
2
4
2
6.4
1.223
A
A
mA
V
V
°C
°C
控制和软启动DLY1 ， DLY2 ， SS
I
DLY1
I
DLY2
I
SS
延迟1充电电流
延迟2充电电流
SS充电电流
4.8
4.8
9
6.2
6.2
12
A
A
A
3
TPS65160
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电气特性（续）
VIN = 12V， SUP = Vin的， EN1 = EN2 = VIN ，V
S
= 15 V ， VLOGIC = 3.3 V T，
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
内部振荡器
f
OSC
振荡器频率
FREQ = HIGH
FREQ = LOW
600
400
750
500
900
600
20
1.136
ISW = 500毫安
ISW = 500毫安
2.8
V
sw
= 15 V
V
sw
= 0 V
VOUT上升
10.6 V
≤
VIN
≤
11.6
V/1mA
21
1.146
10
100
10
3.5
1
1
23
0.0008
0.03
V
FB
升起
I
（汇）
= 500 A
VGD = 20 V
1.8
1.195
ISW = 500毫安
2
V
sw
= 0 V
10.6 V
≤
VIN
≤
11.6
V/1mA
1.213
10
175
2.6
1
0.0018
0.037
0.05
Vs-12%
Vs-8%
Vs-4%
0.3
1
5
1.231
100
300
3.3
10
1.156
100
185
16
1
4.2
10
10
27
千赫
测试条件
民
典型值
最大单位
升压转换器（V
S
)
V
S
V
FB
I
FB
R
DS （ ON）
I
最大
I
LIM
ILEAK
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
P-MOSFET的导通电阻（ Q2 ）
最大的P-MOSFET峰值开关电流
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
V
V
nA
m
A
A
A
V
%/V
%/A
V
V
A
V
V
nA
m
A
A
%/V
%/A
Vswovp开关过电压保护
线路调整
负载调整率
栅极驱动（ GD ）
V
GD
V
OL
栅极驱动门槛
(1)
GD输出低电压
GD输出漏电流
降压转换器（ VLOGIC ）
VLOGIC
V
FBB
I
FBB
R
DS （ ON）
I
LIM
ILEAK
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
线路调整
负载调整率
(1)
在GD信号被锁定为低电平时，主升压转换器输出电压V
S
在调节范围内。在GD信号复位时输入
电压或使升压转换器是循环的低。
4
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电气特性（续）
VIN = 12V， SUP = Vin的， EN1 = EN2 = VIN ，V
S
= 15 V ， VLOGIC = 3.3 V T，
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
负电荷泵VGL
VGL
V
FBN
I
FBN
R
DS （ ON）
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
Q4 P沟道开关的RON
DS （ ON）
(2)
测试条件
民
典型值
最大单位
–2
V
mV
nA
190
420
mV
–36
IOUT = 20毫安
I
DRN
= 50毫安，
V
FBN
= V
FBNnominal
–5%
I
DRN
= 100毫安，
V
FBN
= V
FBNnominal
– 5%
1.187
IOUT = 20毫安
I
DRP
= 50毫安，
V
FBP
= V
FBPnominal
–5%
I
DRP
= 100毫安，
V
FBP
= V
FBPnominal
– 5%
0
10
4.4
130
270
36
100
V
DropN
电流阱压降
正电荷泵输出VGH
V
FBP
I
FBP
R
DS （ ON）
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
Q3 N沟道开关的RON
DS （ ON）
电流源的电压降
（ Vsup- V
DRP
)
(2)
1.213
10
1.1
400
850
680
1600
mV
1.238
100
V
nA
V
DropP
(2)
最大电荷泵输出电流的典型的内部电流源或电流吸收器的一半的驱动电流。
FB
COMP
OS
SW
SW
保护地
保护地
SUP
EN2
DRP
DRN
频率
FBN
FBP
1
2
3
散热垫（见注）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
SS
GD
DLY2
DLY1
REF
GND
AVIN
VINB
VINB
NC
SWB
BOOT
EN1
FBB
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
注：耐热增强型使用PowerPad 连接到保护接地。
5
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