德昌
SEM ICON杜CTO
10A的肖特基势垒二极管
双高压肖特基整流器
规格特点：
高电压宽范围选择， 100V ， 150V 200V &
高开关速度的设备
低正向压降
低功耗，高效率
保护环，过电压保护
高浪涌能力
符合RoHS
雾锡（ Sn）的无铅封装
终端信息表面耐腐蚀
并能承受260 ℃的波峰焊接或
每MIL -STD- 750方法2026 。
1.阳极
2.阴极
3.阳极
1
2
3
TO-220AB
极性配置
器件标识指示：
& 1号线2 =设备名称
3号线=日期代码
4号线=极性
最大额定值
（每支架，除非另有规定）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
参数
最高重复反向电压
工作峰值反向电压
最大直流反向电压
平均正向电流整流
每腿
每包
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单相@额定负荷
存储温度范围
工作结温
TCMBR10100CT
100
TCMBR10150CT
150
TCMBR10200CT
200
单位
V
5
10
80
-65到+175
+175
A
A
°C
°C
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
热特性
符号
参数
最大热电阻，
R
θJC
1.5
结到外壳
T
A
= 25 ° C除非另有说明
TCMBR10100CT
民
---
---
0.900
最大
100
0.850
---
0.950
TCMBR10150CT
民
---
最大
100
0.900
---
1
TCMBR10200CT
民
---
最大
100
0.950
V
A
单位
° C / W
价值
单位
电气特性
（每站）
符号
I
R
V
F
注意/ S：
1.
参数
反向电流
正向电压
测试条件
（注1 ）
@额定V
R
I
F
= 5A
I
F
= 10A
300脉冲条件下进行测试
S.
2008年5月发布，版本C
第1页
TCMBR10100CT通过TCMBR10200CT
德昌
TO220封装外形图
SEM ICON杜CTO
暗淡
民
A
A1
A2
b
b2
c
D
e
E
H1
L
L1
P
Q
英寸
最大
0.190
0.055
0.115
0.040
0.070
0.024
0.650
0.104
0.420
0.270
0.580
0.250
0.161
0.135
0.140
0.020
0.080
0.015
0.045
0.014
0.560
0.096
0.380
0.230
0.500
---
0.139
0.100
MILLIMETERS
民
3.56
0.51
2.03
0.38
1.14
0.36
14.22
2.44
9.65
5.84
12.70
---
3.53
2.54
最大
4.83
1.40
2.92
1.02
1.78
0.61
16.51
2.64
10.67
6.86
14.73
6.35
4.09
3.43
注：以上的封装外形符合JEDEC TO- 220AB 。
该数据表呈现德昌的肖特基二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
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功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2008年5月发布，版本C
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