TPS650250
www.ti.com
...........................................................................................................................................................................................
SLVS843 - 2008年12月
电源管理IC，适用于锂离子电池供电系统
1
特点
1.6A ， 97 ％高效降压转换器
系统电压（ VDCDC1 ）
- 3.3V或2.8V ，或可调
0.8A ，高达95％的高效降压转换器
对于内存电压（ VDCDC2 ）
- 1.8V或2.5V ，或可调
0.8A ， 90 ％高效降压转换器
处理器内核（ VDCDC3 ）
在VDCDC3可调输出电压
30毫安LDO的Vdd_alive
2 × 200毫安通用的LDO （ LDO1和
LDO2)
对于处理器的动态电压管理
CORE
LDO1和LDO2电压外部可调
对于电感转换器独立的使能引脚
2.25MHz的开关频率
85μA静态电流
热关断保护
该TPS650250还集成了两个通用
200毫安LDO稳压器，它启用
与外部输入引脚。每个LDO工作在
1.5V和6.5V之间的输入电压范围
从而可以在从所述一个供给
降压转换器或直接由电池供电。该
所述的LDO的输出电压可以用一个设置
外部电阻分压器提供最大的灵活性。
此外，还有一个30毫安LDO通常用于
在基于处理器的系统，一个提供功率
电压轨保持开启状态。 TPS650250采用的是
小型5mm x 5mm的32引脚QFN封装（ RHB ） 。
功能框图
TPS650250
1R
VBAT
1
mF
VINDCDC1
10
mF
DCDC1 （ I / O）
降压
变流器
1600毫安
L1
2.2
mH
VDCDC1
DEFDCDC1
PGND1
R2
2.5 V / 1.8 V
或可调
R3
22
mF
R4
R1
22
mF
3.3 V / 2.8 V
或可调
VCC
VBAT
启用
EN_DCDC1
VBAT
10
mF
VINDCDC2
DCDC2
（存储器）
降压
变流器
800毫安
L2
2.2
mH
VDCDC2
DEFDCDC2
PGND2
应用
手机/智能手机
全球定位系统
数字静态照相机
分离电源的DSP及
P
解决方案
三星基于ARM的处理器等。
启用
EN_DCDC2
VBAT
10
mF
VINDCDC3
DCDC3 （核心）
降压
变流器
800毫安
L3
2.2
mH
VDCDC3
DEFDCDC3
PGND3
R6
R5
22
mF
启用
PWM / PFM
EN_DCDC3
模式
描述
该TPS650250是一款集成电源管理
IC应用供电由一个锂离子或
锂聚合物电池，这需要多个电源轨。
该TPS650250提供三个高效
针对提供所述芯降压转换器
在一个电压，外设，I / O和存储器轨
处理器为基础的系统。所有3个降压
转换器进入低功耗模式，在轻负载
横跨最广泛的最大效率
的负载电流。该转换器可以被强制进入
固定频率PWM模式通过将MODE引脚
高。
VIN
VIN_LDO
VLDO1
EN_LDO
200毫安LDO
VLDO1
FB_LDO1 R7
R8
2.2
mF
启用
VLDO2
200毫安LDO
EN_Vdd_alive
启用
VBAT
VCC
VLDO3
30毫安LDO
VLDO2
FB_LDO2 R9
R10
VDD_Alive
1V
2.2
mF
2.2
mF
R11
PWRFAIL_SNS
R12
VREF = 1 V
-
+
PWRFAIL
I / O电压
R19
AGND1
AGND2
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2008 ，德州仪器
TPS650250
SLVS843 - 2008年12月
...........................................................................................................................................................................................
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
电压
DCDC3
可调整的
输出电流
DCDC1 / DCDC2 / DCDC3
1.6A / 0.8A / 0.8A
电压
VDD_Alive
1V
包
32引脚QFN
（ RHB ）
产品型号
(2)
TPS650250RHB
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
该RHB包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS650250RHBR ）下令每卷3000份的数量。增加T后缀
（ TPS650250RHBT ）订购了250份每卷的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
在除A / PGND引脚所有引脚相对于AGND的输入电压范围
引脚VLDO1 ， VLDO2 ， FB_LDO1 ， FB_LDO2电压范围
目前在VINDCDC1 ， L1 ， PGND1 ， VINDCDC2 ， L2 ， PGND2 ， VINDCDC3 ， L3 ， PGND3
在所有其它引脚的峰值电流
连续总功率耗散
T
A
T
J
T
st
(1)
工作自由空气的温度
最高结温
储存温度
-0.3 7
-0.3 3.6
2000
500
见耗散额定值表
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
包
(1)
RHB
(1)
R
θJA
35K/W
T
A
≤
25°C
额定功率
2.85W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
28mW/K
T
A
= 70°C
额定功率
1.57W
T
A
= 85°C
额定功率
1.14W
热阻结到RHB包的周围上，测定高K值板。热阻结到
电源板是1.5K / W 。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS650250
2008 ，德州仪器
TPS650250
www.ti.com
...........................................................................................................................................................................................
SLVS843 - 2008年12月
推荐工作条件
民
V
CC
V
O
V
I
V
O
I
O
L1
C
I
C
O
I
O
L2
C
I
C
O
I
O
L3
C
I
C
O
C
I
C
I
C
O
I
O
C
O
I
O
T
A
T
J
R
CC
(1)
(2)
(3)
输入电压范围降压转换器， VINDCDC1 ， VINDCDC2 ， VINDCDC3
输出电压范围为降压转换器， VDCDC1
(1)
喃
最大
6.0
VINDCDC1
VINDCDC2
VINDCDC3
6.5
3.3
1600
单位
V
V
V
V
V
V
mA
H
F
F
2.5
0.6
0.6
0.6
1.5
1
1.5
2.2
22
输出电压范围为mem的升降压转换器， VDCDC2
(1)
输出电压范围为核心的降压转换器， VDCDC3
输入电压范围的LDO ， VINLDO1 ， VINLDO2
输出电压范围的LDO
输出电流L， V1DCDC1
电感L1处
(2)
输入电容在VINDCDC1
(2)
10
10
1.5
800
2.2
22
800
1.5
10
10
1
1
(2)
输出电容在VDCDC1
(2)
输出电流L2 ， VDCDC2
在电感L2
(2)
(2)
(2)
mA
H
F
F
mA
H
F
F
F
F
F
输入电容在VINDCDC2
输出电容在VDCDC2
在电感L3
(2)
10
10
输出电流L3 ， VDCDC3
2.2
22
输入电容在VINDCDC3
(2)
输出电容在VDCDC3
输入电容为VCC
(2)
(2)
输入电容在VINLDO
(2)
输出电容在VLDO1 ， VLDO2
输出电流VLDO1 ， VLDO2
输出电容在Vdd_alive
输出电流Vdd_alive
工作环境温度
工作结温
从VINDCDC3 ， VINDCDC2 ， VINDCDC1到V电阻
CC
用于过滤
(3)
(2)
2.2
200
2.2
30
–40
–40
1
85
125
10
mA
F
mA
°C
°C
当使用一个外部电阻分压器在DEFDCDC2 ， DEFDCDC1 。
有关更多信息，请参见应用部分，用于V
O
> 2.85V选择3.3μH电感器。
截至至2.5mA能够流入V
CC
当所有3个转换器工作在PWM运行时，该电阻将导致UVLO阈值转移
因此。
2008 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS650250
3
TPS650250
SLVS843 - 2008年12月
...........................................................................................................................................................................................
www.ti.com
电气特性
VINDCDC1 = VINDCDC2 = VINDCDC3 = VCC = VINLDO = 3.6V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
控制信号： EN_DCDC1 ， EN_DCDC2 ， EN_DCDC3 ， EN_LDO ， MODE ， EN_VDD_ALIVE
参数
V
IH
V
IL
I
H
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入偏置电流
PFM所有3 DCDC转换器启用，空载
没有开关， LDO的使
PFM所有3 DCDC转换器启用，空载
没有开关， LDO1 ， LDO2 = OFF ， Vdd_alive
= ON
PFM DCDC1和DCDC2转换器启用，
零负载，无开关， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = ON
PFM DCDC1转换器的使能，零负载，无
交换， LDO1 ， LDO2 = OFF ， Vdd_alive = ON
所有3 DCDC转换器启用&中的PWM运行，
LDO的关
I
VCC （PWM）的
目前进入V
CC
;
PWM
PWM DCDC1和DCDC2转换器启用，
V
CC
= 3.6V
在PWM运行时， LDO的关
PWM DCDC1转换器启用并运行
PWM ， LDO的关
所有的转换器被禁用， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = OFF
所有的转换器被禁用， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = ON
测试条件
民
1.45
0
0.01
典型值
最大
VCC
0.4
0.1
单位
V
V
A
电源引脚： VCC ， VINDCDC1 ， VINDCDC2 ， VINDCDC3
135
75
V
CC
= 3.6V
55
40
2
1.5
0.85
16
V
CC
= 3.6V
26
A
2.5
2
mA
80
60
170
100
A
I
（ qPFM ）
静态工作
当前
I
q
静态电流
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS650250
2008 ，德州仪器
TPS650250
www.ti.com
...........................................................................................................................................................................................
SLVS843 - 2008年12月
电气特性
VINDCDC1 = VINDCDC2 = VINDCDC3 = VCC = VINLDO = 3.6V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
VDCDC1降压转换器
V
I
I
O
I
SD
R
DS （ ON）
I
LP
R
DS （ ON）
I
LN
I
LIMF
f
S
输入电压范围， VINDCDC1
最大输出电流
在VINDCDC1关断电源电流
P沟道MOSFET的导通电阻
P沟道漏电流
N沟道MOSFET的导通电阻
N沟道漏电流
振荡器频率
固定输出电压
MODE = 0 （ PWM / PFM ）
固定输出电压
MODE = 1 （PWM）的
VDCDC1
2.8V
3.3V
2.8V
3.3V
VINDCDC1 = 3.3V至6V ;
0毫安
≤
I
O
≤
1.0A
VINDCDC1 = 3.7V至6V ;
0毫安
≤
I
O
≤
1.0A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.4V （ 2.5V分钟）
至6V ; 0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.4V （ 2.5V分钟）
至6V ; 0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.3V （最低2.5 V ）
至6V ;我
O
= 10毫安
I
O
= 10mA至1.6A
VDCDC1斜坡从5 ％至95％的
目标值
V
O
= 3.3V
EN_DCDC1 = GND
VINDCDC1 = VGS = 3.6V
VINDCDC1 = 6V
VINDCDC1 = VGS = 3.6V
V
DS
= 6V
1.75
1.95
–2%
–2%
–1%
–1%
–2%
130
7
1.97
2.25
2.5
1600
0.1
125
1
261
2
260
10
2.15
2.55
2%
2%
1%
1%
2%
6
V
mA
A
m
A
m
A
A
兆赫
测试条件
民
典型值
最大
单位
正向电流限制（ P和N沟道） 2.5V < V
INMAIN
＆ LT ; 6V
可调输出电压与电阻
分压器DEFDCDC1 MODE = 0
（ PWM / PFM ）
可调输出电压与电阻
分压器DEFDCDC1 ; MODE = 1时
（PWM）的
线路调整
负载调整率
–1%
0
0.25
750
1
1%
%/V
%/A
s
M
t
SS
R(L1)
软启动斜坡时间
内阻从L1到GND
2008 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS650250
5
QQ：2881677436 复制
