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TPCF8303
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型(U -MOS
IV )
TPCF8303
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 43毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 6.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
10 μA
(最大值) (Ⅴ
DS
=
20
V)
增强模型: V
th
=
0.45
to
1.2
V
(V
DS
=
10
V,I
D
=
200 μA)
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±8
3.0
12
1.35
1.12
W
0.53
0.33
0.58
1.5
0.11
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
2-3U1B
单设备操作
耗电
(注3A )
耗散
(t
=
5秒) (注2A )的单设备价值
双操作(注3B )
耗电
耗散
(t
=
5秒) (注2B )的单设备价值
双操作(注3B )
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
(注意图2a ,图3b ,5)
通道温度
存储温度范围
(注4 )
单设备操作
(注3A )
重量: 0.011克(典型值)。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注:对于(注1 ) (注2 ) (注3 ) (注4 ) (注5 )和(注6 )
请参阅下一页。
1
2
3
4
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2006-11-16
TPCF8303
热特性
特征
单设备操作
热阻,
(注3A )
渠道环境
(t
=
5 s)
(注2A )的单设备价值
双操作(注3B )
单设备操作
热阻,
(注3A )
渠道环境
(t
=
5 s)
(注2B) ,在单器件值
双操作(注3B )
符号
R
第( CH-A )(1)
R
第( CH-A )(2)
R
第( CH-A )(1)
R
第( CH-A )(2)
最大
92.6
° C / W
111.6
235.8
° C / W
378.8
单位
标记(注6 )
很多代码(月)
LOT号
产品型号
(或缩写代码)
F5C
产品特定的代码
批号
(年)
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
针# 1
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 :(1)安装在玻璃环氧基板的装置(一)
25.4
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
(a)
25.4
(b)
注3 :1)的功耗和热电阻值显示为单个设备
(在单一装置操作时,功率仅施加到一个装置)。
二)的功耗和热电阻值显示为单个设备
(在双重操作,功率均匀地施加到两个设备)。
注4 : V
DD
= 16
V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
0.5 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
= 1.5
A
注5 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注6 :黑色圆形标记“●”位于上部分数量的左下侧标“ F5B ”表示终端
1号。
2
2006-11-16
TPCF8303
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅源charge1
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
0V
5
V
4.7
Ω
I
D
= 1.5
A
V
OUT
R
L
=
6.7
Ω
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±8V,
V
DS
=
0 V
V
DS
= 20
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安,V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安,V
GS
=
10 V
V
DS
= 10
V,I
D
= 200 μA
V
GS
= 1.8
V,I
D
= 1.5
A
V
GS
= 2.5
V,I
D
= 1.5
A
V
GS
= 4.5
V,I
D
= 1.5
A
V
DS
= 10
V,I
D
= 1.5
A
20
10
0.45
3.0
典型值。
120
63
43
6.0
860
110
140
5.6
16
16
55
11
0.9
2.7
最大
±10
10
1.2
250
87
58
ns
nC
pF
S
单位
μA
μA
V
V
& LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DD
10
V
V
DD
16
V, V
GS
= 5
V,
I
D
= 3
A
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压(二极管)
脉冲(注1 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 3.0
A,V
GS
=
0 V
典型值。
最大
12
1.2
单位
A
V
3
2006-11-16
TPCF8303
I
D
– V
DS
-5
-5
-4
-4.5
-4.0
-3
-1.8
-2.5
-3.0
-3.5
-2.0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
-10
-4.5
-8
-5
I
D
– V
DS
-2.5
-3.0
-3.5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
-2.2
-2.0
-6
ID ( A)
漏电流
漏电流
ID
(A)
-4.0
-6
-2
-1.6
-4
-1.8
-1
-2
VGS
=
-1.4
0
0
-1.6
VGS
=
-1.4 V
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
-6
常见的来源
VDS
=
-10 V
脉冲测试
-1.0
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25℃
脉冲测试
(V)
VDS
漏源电压
Ta
= 55°C
-5
-0.8
漏电流I
D
(A)
-4
-0.6
-3
-0.4
-2
100
25
-1
-0.2
-0.75
-1.5
ID
=
-3A
0
0
-1
-2
-3
0
0
-2
-4
-6
-8
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
Y
fs
– I
D
100
1000
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
Ta
= 55°C
10
100
25
1
常见的来源
VDS
=
-10 V
脉冲测试
0.1
-0.1
-1
-10
漏源导通电阻
RDS
(上)
(mΩ)
VGS
=
-1.8V
100
-2.5
-4.5
10
-0.1
-1
-10
漏电流
ID ( A)
漏极电流ID ( A)
4
2006-11-16
TPCF8303
R
DS ( ON)
- TA
240
-10
常见的来源
脉冲测试
ID
=
-3A
VGS
=
-1.8V
-1.5A
-0.75A
-1.5A
80
VGS
=
-2.5V
ID
=
-3A
-0.75A
-3A,-1.5A
-4.5
-5
-3
-2.5
I
DR
– V
DS
反向漏电流IDR ( A)
200
-1.8
-1.0
漏源导通电阻
RDS
(上)
(m
Ω)
160
120
-1
-0.5
-0.3
VGS
=
0 V
40
VGS
=
-4.5V
0
80
40
0
ID
=-0.75A
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
40
80
120
160
-0.1
0
环境温度Ta (C )
漏源电压
VDS
(V)
电容 - V
DS
10000
-2.0
V
th
- TA
(PF )
栅极阈值电压
VTH (V)的
1000
西塞
-1.6
电容C
100
科斯
CRSS
-1.2
-0.8
常见的来源
VDS
=
-10 V
ID
=
-200μA
脉冲测试
40
0
40
80
120
160
10
1
-0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
-1
-3
-5
-10
-30 -50 -100
-0.4
0
80
漏源电压
VDS
(V)
环境温度Ta (C )
P
D
- TA
2.0
设备安装在玻璃环氧基板(一)(注2a)的
( 1 )单设备操作(注3A )
动态输入/输出
特征
-20
-10
(V)
1.6
设备安装在玻璃环氧基板(二) (注2b)的
-16
漏极功耗
PD (W)的
( 4 )单设备的双运算值(注3B )
漏源电压
(2)
0.8
(3)
0.4
(4)
0
0
-8
-8
-16
-8
常见的来源
ID
=
-3 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
-4
-4
-4
-2
40
80
120
160
0
0
4
8
12
0
16
环境温度Ta (C )
总栅极电荷Qg ( NC)
5
2006-11-16
栅源电压
1.2
½=5S
VDS
(1)
( 3 )单设备操作(注3A )
VDD
=
-16V
-12
VDD=-4V
VGS
-8
-6
VGS ( V)
( 2 )单设备的双运算值(注3B )
VDS
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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