TPCF8303
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型(U -MOS
IV )
TPCF8303
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 43毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 6.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
10 μA
(最大值) (Ⅴ
DS
=
20
V)
增强模型: V
th
=
0.45
to
1.2
V
(V
DS
=
10
V,I
D
=
200 μA)
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±8
3.0
12
1.35
1.12
W
0.53
0.33
0.58
1.5
0.11
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3U1B
单设备操作
耗电
(注3A )
耗散
(t
=
5秒) (注2A )的单设备价值
双操作(注3B )
耗电
耗散
(t
=
5秒) (注2B )的单设备价值
双操作(注3B )
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
(注意图2a ,图3b ,5)
通道温度
存储温度范围
(注4 )
单设备操作
(注3A )
重量: 0.011克(典型值)。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注:对于(注1 ) (注2 ) (注3 ) (注4 ) (注5 )和(注6 )
请参阅下一页。
1
2
3
4
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2006-11-16
TPCF8303
热特性
特征
单设备操作
热阻,
(注3A )
渠道环境
(t
=
5 s)
(注2A )的单设备价值
双操作(注3B )
单设备操作
热阻,
(注3A )
渠道环境
(t
=
5 s)
(注2B) ,在单器件值
双操作(注3B )
符号
R
第( CH-A )(1)
R
第( CH-A )(2)
R
第( CH-A )(1)
R
第( CH-A )(2)
最大
92.6
° C / W
111.6
235.8
° C / W
378.8
单位
标记(注6 )
很多代码(月)
LOT号
产品型号
(或缩写代码)
F5C
产品特定的代码
批号
(年)
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
针# 1
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 :(1)安装在玻璃环氧基板的装置(一)
25.4
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
(a)
25.4
(b)
注3 :1)的功耗和热电阻值显示为单个设备
(在单一装置操作时,功率仅施加到一个装置)。
二)的功耗和热电阻值显示为单个设备
(在双重操作,功率均匀地施加到两个设备)。
注4 : V
DD
= 16
V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
0.5 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
= 1.5
A
注5 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注6 :黑色圆形标记“●”位于上部分数量的左下侧标“ F5B ”表示终端
1号。
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