TPCF8303
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U -MOS
IV ）
TPCF8303
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 43毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 6.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
20
V)
增强模型： V
th
=
0.45
to
1.2
V
(V
DS
=
10
V，I
D
=
200 μA)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±8
3.0
12
1.35
1.12
W
0.53
0.33
0.58
1.5
0.11
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3U1B
单设备操作
耗电
（注3A ）
耗散
(t
=
5秒） （注2A ）的单设备价值
双操作（注3B ）
耗电
耗散
(t
=
5秒） （注2B ）的单设备价值
双操作（注3B ）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
单设备操作
（注3A ）
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）和（注6 ）
请参阅下一页。
1
2
3
4
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2006-11-16
TPCF8303
热特性
特征
单设备操作
热阻，
（注3A ）
渠道环境
(t
=
5 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作（注3B ）
单设备操作
热阻，
（注3A ）
渠道环境
(t
=
5 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作（注3B ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
92.6
° C / W
111.6
235.8
° C / W
378.8
单位
标记（注6 ）
很多代码（月）
LOT号
产品型号
（或缩写代码）
F5C
产品特定的代码
批号
（年）
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
针＃ 1
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
25.4
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
25.4
(b)
注3 ：1）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个装置）。
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 16
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
= 1.5
A
注5 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注6 ：黑色圆形标记“●”位于上部分数量的左下侧标“ F5B ”表示终端
1号。
2
2006-11-16
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