TPS61325
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SLVS977 - 2010年2月
1.5A / 4.1A多个LED相机闪光灯驱动器与我
2
C
TM
兼容接口
1
特点
四种工作模式
- 直流灯和手电筒
- 电压稳压器： 3.8V ... 5.7V
- 待机： 2毫安（典型值）。
储能电容友好的解决方案
自动V
F
和ESR校准
省电模式，在提高效率
低输出功率，高达95 ％的效率
输出电压保持稳压时
输入电压超过额定输出电压
I
2
C兼容接口高达3.4Mbits / s的
双线摄像头模块接口
零延迟的Tx -屏蔽输入
LED温度监控
隐私指示LED输出
集成LED安全定时器
GPIO /闪光灯准备就绪输出
对小于25毫米的整体解决方案尺寸
2
（ <1毫米高）
采用20引脚NanoFree （ CSP ）
描述
该TPS6132x器件基于高频
同步升压拓扑结构采用恒流
汇驱动多达三个白光LED并联
（ 445毫安/ 890毫安/ 445毫安最大闪光电流） 。
该
扩展的高电流模式（ HC_SEL ）允许高达
到1025毫安/ 2050毫安/ 1025毫安闪光电流输出的
存储电容器。
上的输出端的大容量的存储电容器
升压稳压器提供高的峰值闪光LED
电流，从而降低了峰值电流需求
从电池到最低限度。
在2 MHz的开关频率允许使用
小型和薄型2.2mH电感。要优化
整体效率，该器件采用的400mV
LED的反馈电压。
该TPS6132x器件不仅作为一个
调节电流源，也可作为一个标准
升压稳压器。该装置使输出
电压调节，即使在输入电压
超过额定输出电压。该装置
进入省电模式操作在轻负载
电流，以保持高效率，在整个
负载电流范围内。
为了简化DC光手电筒同步
用相机模块，该器件提供了一个
零专用控制接口（ STRB0 ， STRB1 ）
潜伏期LED导通时间。
23
应用
单/双/三路白光LED手电筒供应
手机和智能手机
基于LED的氙气"Killer"手电筒
TPS61325
L
SW
SW
VOUT
SUPER -CAP
2.2
mH
AVIN
2.5 V..5.5 V
C
I
4.7
mF
HC_SEL
C
O
10mF
D1
D2
BAL
手机电源ON
STRB0
STRB1
I
2
C I /女
SCL
SDA
LED1
LED2
LED3
INDLED
1.8 V
TX- MASK
隐私
指标
TS
GPIO / PG
保护地
保护地
NTC
AGND
闪光灯准备就绪
图1.典型应用
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
I
2
C是恩智浦半导体公司的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
可选项
产品型号
(1)
TPS61325YFF
(1)
(2)
包装标志
61325
包
CSP-20
设备特有功能
(2)
双线摄像头模块接口（ STRB0 ， STRB1 ）
LED温度监控输入（ TS ）
该YFF包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS6132xYFFR ）下令每卷3000份，T后缀为250的数量
部分每卷。
有关详细信息，请参见
应用框图。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
在AVIN ， VOUT ， SW ， LED1 ， LED2 ， LED3电压范围
(2)
V
I
在SCL ， SDA ， STRB0 ， STRB1 ， GPIO / PG电压范围
在HC_SEL ，TX - MASK ， TS ， BAL电压范围
电流GPIO / PG
功耗
T
A
T
J
(3)
（最大）
(2)
(2)
单位
V
V
V
mA
°C
°C
°C
kV
V
V
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 7
±25
内部限制
-40到85
150
-65到150
2
500
100
工作环境温度范围
最大工作结温
存储温度范围
人体模型
(4)
T
英镑
ESD额定值
充电器型号
机器型号
(1)
(2)
(3)
(4)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最大环境温度[T
A（最大值）
]是依赖于最大工作结温[T
J（下最大）
]，则
该装置的应用程序中的最大功耗〔P
D（最大）
]和部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（Q
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
– (q
JA
× P
D（最大）
)
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
耗散额定值
包
YFF
(1)
(2)
热阻
(1)
q
JA
71°C/W
热阻
(1)
q
JB
21°C/W
额定功率
T
A
= 25°C
1.4 W
降额因子
以上
(2)
T
A
= 25°C
14mW/°C
模拟高-K主板
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
q
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
– T
A
)/
q
JA
.
2
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电气特性
除非另有说明，否则该规范适用于V
IN
= 3.6V以上的工作结温。 -40°C
≤
T
J
≤
125°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
J
= 25°C.
参数
电源电流
V
IN
输入电压范围
I
OUT
= 0 mA时，设备没有开关
–40°C
≤
T
J
≤
+85°C
I
OUT （DC）的
= 0毫安， PWM操作
V
OUT
= 4.95V ，电压调节方式
HC_SEL = 0 ， -40°C
≤
T
J
≤
+85°C
HC_SEL = 1时，存储电容器均衡
–40°C
≤
T
J
≤
+85°C
0V
≤
V
OUT
≤
3.3V，设备在预充电模式
–40°C
≤
T
J
≤
+85°C
V
OUT
升， -40°C
≤
T
J
≤
+85°C
40
V
IN
落下
80
2.5
590
11.3
1
2
180
3.35
75
2.3
2.4
5
5
220
3.6
5.5
700
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
mV
V
测试条件
民
TYP MAX
单位
I
Q
工作静态电流为AVIN
I
SD
I
STBY
关断电流
待机电流
预充电电流
预充电终止阈值
预充电滞后（称为V
OUT
)
V
UVLO
产量
欠压锁定阈值
（模拟电路）
输出电压范围
V
OUT
内部反馈电压准确度
省电模式的纹波电压
OVP
输出过压保护
输出过压保护迟滞
开关
r
DS （ ON）
I
LKG （ SW）的
开关MOSFET的导通电阻
整流MOSFET的导通电阻
泄漏到SW
电流调节模式
电压调节方式
2.5V
≤
V
IN
≤
4.8V ， -20℃
≤
T
J
≤
+125°C
升压模式， PWM电压调节
I
OUT
= 10毫安
V
OUT
上升， 0000
≤
OV [3：0 ]
≤
0100
V
OUT
上升， 0101
≤
OV [3：0 ]
≤
1111
V
OUT
下降， 0101
≤
OV [3：0 ]
≤
1111
V
OUT
= V
GS
= 3.6 V
V
OUT
= V
GS
= 3.6 V
V
OUT
= 0V ， SW = 3.6V ， -40°C
≤
T
J
≤
+85°C
VOUT = 4.95V ， HC_SEL = 0
–20°C
≤
T
J
≤
+85°C
PWM操作， ILIM位= 0
(1)
VOUT = 4.95V ， HC_SEL = 0
–20°C
≤
T
J
≤
+85°C
PWM操作， ILIM位= 1
(1)
VOUT = 4.95V ， HC_SEL = 1的Tx -MASK = 0
–20°C
≤
T
J
≤
+85°C
PWM操作， ILIM位= 0
(1)
VOUT = 4.95V ， HC_SEL = 1的Tx -MASK = 0
–20°C
≤
T
J
≤
+85°C
PWM操作， ILIM位= 1
VIN
3.825
–2%
0.015 V
OUT
4.5
5.8
4.65
6.0
0.15
90
135
0.3
775
5.5
5.7
2%
V
V
V
P-P
4.8
6.2
V
V
V
m
m
4
mA
mA
1150 1600
1050
1600 2225
mA
I
LIM
整流器谷电流限制（开环）
-85
30
150
mA
175
250
300
mA
振荡器
f
OSC
f
加
振荡器频率
振荡器频率
热关断
(1)
热关断迟滞
(1)
热作模具精度检测仪
(1)
(1)
1.92
–10
140
–8
160
20
8
+7
兆赫
%
°C
°C
°C
热关断，热作模具探测器
验证通过鉴定。在生产中测试。
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3
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电气特性（续）
除非另有说明，否则该规范适用于V
IN
= 3.6V以上的工作结温。 -40°C
≤
T
J
≤
125°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
J
= 25°C.
参数
LED电流调节器
0.4V
≤
V
LED1/3
≤
2.0V
0毫安< ILED1 / 3
≤
111毫安，T
J
= +85°C
0.4V
≤
V
LED2
≤
2.0V
ILED1 / 3 > 111毫安，T
J
= +85°C
0.4V
≤
V
LED2
≤
2.0V
0毫安< ILED2
≤
250毫安，T
J
= +85°C
0.4V
≤
V
LED2
≤
2.0V
ILED2 > 250毫安，T
J
= +85°C
0.4V
≤
V
LED1/3
≤
2.0V
0毫安< ILED1 / 3
≤
1027毫安，T
J
= +85°C
0.4V
≤
V
LED2
≤
2.0V
0毫安< ILED2
≤
2052毫安，T
J
= +85°C
V
LED1/3
= 1.0V ，我
LED1/3
= 444毫安，T
J
= +85°C
1.5V
≤
（ VIN - VINDLED ）
≤
2.5V
0000
≤
INDC [3 ：0]的
≤
0111
T
J
= +25°C
I
LED1-3
=满量程电流， HC_SEL = 0
I
LED1-3
=满量程电流， HC_SEL = 1
I
OUT
= -15.8mA ，T
J
= + 25 ° C，设备不
开关
V
LED1/2/3
= V
OUT
= 5V ， -40℃
≤
T
J
≤
+85°C
V
INDLED
= 0V ， -40°C
≤
T
J
≤
+85°C
0.1
0.1
–10
–7.5
–10
–7.5
–10
–10
–7.5
0.05
–20
0.04
400
400
450
200
4
1
+20
+10
+7.5
+10
+7.5
+10
+10
+7.5
%
%
%
%
%
%
%
%/°C
%
%/°C
mV
mV
mV
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
LED1 / 3电流精度
(1)
HC_SEL = 0
LED2电流精度
(1)
LED1 / 3电流精度
(1)
HC_SEL = 1
LED2电流精度
(1)
LED1 / 3的电流匹配
(1)
HC_SEL = 0
LED1 / 2/3的电流温度系数
INDLED电流精度
INDLED电流温度系数
LED1 / 2/3的感应电压
V
DO
LED1 / 2/3的感应电压
VOUT电压差
LED1 / 2/3输入漏电流
INDLED输入漏电流
(1)
验证通过鉴定。在生产中测试。
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电气特性
除非另有说明，否则该规范适用于V
IN
= 3.6V以上的工作结温。 -40°C
≤
T
J
≤
125°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
J
= 25°C.
参数
储能电容主动电池平衡
主动电池平衡电路
静态电流为VOUT
主动电池平衡精度
BAL输出驱动能力
主动放电电阻
LED温度监控
I
O（ TS ）
温度感应电流源
TS电阻（热温）
V
（ 1H）
V
（ IL ）
V
（ OL ）
V
（ OH ）
I
（ LKG ）
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压（ SDA ）
低电平输出电压（ GPIO ）
高电平输出电压（GPIO）
逻辑输入漏电流
STRB0 ， STRB1下拉电阻
R
PD
的Tx -MASK下拉电阻
HC_SEL下拉电阻
SDA输入电容
SCL输入电容
GPIO / PG输入电容
C
（中）
STRB0输入电容
STRB1输入电容
HC_SEL输入电容
TX- MASK输入电容
I
OL
= 8毫安
DIR = 1 ，余
OL
= 5毫安
DIR = 1， GPIOTYPE = 0，余
OH
= 8毫安
输入连接到VIN或GND
–40°C
≤
T
J
≤
+85°C
STRB0 ， STRB1
≤
0.4 V
TX- MASK
≤
0.4 V
HC_SEL
≤
0.4 V
SDA = VIN或GND
SCL = VIN或GND
DIR = 0时， GPIO / PG = VIN或GND
STRB0 = VIN或GND
STRB1 = VIN或GND
HC_SEL = VIN或GND
TX- MASK = VIN或GND
V
IN
–0.4
0.01
350
350
350
9
4
9
3
3
3.5
4
0.1
热敏电阻偏置电流
39
12.5
1.2
0.4
0.3
0.3
LEDHOT位= 1 ，T
J
≥
25°C
23.8
44.5
14.5
50
16.5
mA
k
k
V
V
V
V
V
mA
k
k
k
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
TS电阻（警告温度） LEDWARN位= 1 ，T
J
≥
25°C
SDA ， SCL ， GPIO / PG ，TX - MASK ， STRB0 ， STRB1 ， HC_SEL
HC_SEL = 1时，存储电容器均衡
–40°C
≤
T
J
≤
+85°C
（ VOUT - BAL ）与BAL电压差
储能电容平衡HC_SEL = 1
V
OUT
= 5.7V
V
OUT
= 4.95V ，接收器和电流源
HC_SEL = 0时，器件处于关断模式
VOUT为BAL和BAL到GND
–100
±10
±15
0.85
1.5
1.7
3.0
100
mA
mV
mA
k
测试条件
民
典型值
最大
单位
2010 ，德州仪器
提交文档反馈
5
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