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TPS61163
www.ti.com
SLVSBQ2C - 2013年1月 - 修订2013年8月
双通道WLED驱动器适用于智能手机
检查样品:
TPS61163
1
特点
2.7V至6.5V的输入电压
集成1.5A / 40V MOSFET
1.2MHz开关频率
双吸电流高达30mA的电流
1 %的典型电流匹配精度和
37.5V OVP阈值
自适应升压输出至WLED电压
非常低的电压余量控制( 90MV )
灵活的数字和PWM亮度控制
1线控制接口( EasyScale )
PWM调光控制接口
高达100: 1的PWM调光比
截至10位调光分辨率
高达90%的英法fi效率
内置软启动
过电压保护
内置WLED开路/短路保护
热关断
支持器4.7uH电感的应用
9L 1.31毫米X 1.31毫米CSP封装
描述
该TPS61163是一款双通道WLED驱动器,其
为单细胞高度集成的解决方案俪
锂离子电池供电的智能手机的背光源。该
装置具有一个内置的高效率升压调节器
集成了1.5A / 40V功率MOSFET和
支持低至2.7V的输入电压。两个高
当前的匹配能力的灌电流调节器,
该器件可驱动多达10s2p WLED二极管。该
升压输出可以自动调整到WLED
正向电压,并允许非常低的电压裕量
控制,从而提高LED串的效率
有效的。
该TPS61163支持PWM调光的
接口和1-Wire数字EasyScale 调光
接口,并可以实现的9位亮度代码
编程。
该TPS61163集成了内置软启动,过
电压/电流保护和热关机
保护措施。
该器件采用节省空间的1.31毫米X
1.31毫米CSP封装。
2
典型用途
2.7V ~ 6.5V
L1
4.7
H
R2
10
D1
VBAT
C1
1
F
应用
智能手机
掌上电脑,掌上电脑
GPS接收器
逆光下小媒体外形
液晶显示器用单节电池输入
VIN
C3
1
F
SW
C2
1
F
启用/
关闭
PWM
调光
C4
330nF
EN
TPS61163
PWM
COMP
IFB1
IFB2
ISET
GND
R1
63.4k
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Easyscale是德州仪器的商标。
版权所有 2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS61163
SLVSBQ2C - 2013年1月 - 修订2013年8月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
产品型号
TPS61163
LED开路
保护
37.5V (典型值)
9球WSCP
订购
(2)
TPS61163YFF
记号
TPS61163
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
该YFF包在磁带和卷轴可用。添加R后缀(如TPS61163YFFR )订购了3000份的数量。加一件T后缀
(如TPS61163YFFT )订购250份的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
价值
VIN , EN , PWM , IFB1 , IFB2
电压范围
(2)
最大
7
3
40
2
200
750
单位
V
V
V
kV
V
V
°C
°C
–0.3
–0.3
–0.3
COMP , ISET
SW
人体模式 - ( HBM )
ESD额定值
P
D
T
J
T
英镑
(1)
(2)
机模式 - ( MM )
充电设备模式 - ( CDM )
连续功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
–40
–65
见热信息表
150
150
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止,并在规定的操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
热信息
TPS61163
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳(顶部)热阻
(3)
结至电路板的热阻
(4)
(1)
YFF ( 9球
WSCP )
107
0.9
18.1
4.0
18
NA
单位
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳(底部)热阻
(7)
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体(顶部)的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度,如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数,
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
结至电路板的特征参数,
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
通过在暴露的(功率)垫模拟冷板试验获得的结到壳体(底部)的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
2
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版权所有 2013年,德州仪器
TPS61163
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SLVSBQ2C - 2013年1月 - 修订2013年8月
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
IN
V
OUT
L
C
I
C
O
C
COMP
F
PWM
T
A
T
J
输入电压范围
输出电压范围
感应器
输入电容
输出电容
补偿电容
PWM调光信号的频率
工作环境温度
工作结温
40
–40
–40
2.7
V
IN
4.7
1.0
1.0
330
100
85
125
2.2
典型值
最大
6.5
38
10
单位
V
V
H
F
F
nF
千赫
°C
°C
电气特性
V
IN
= 3.6V , EN =高, PWM =高,售后不退电流= 20mA下,T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,典型值是在T
A
= 25 ° C(除非
另有说明)
参数
电源
V
IN
V
VIN_UVLO
V
VIN_HYS
I
q
I
SD
V
H
V
L
V
H
V
L
R
PD
t
PWM_SD
t
EN_SD
V
ISET_full
K
ISET_full
I
FB_avg
K
M
I
IFB_max
输入电压范围
欠压锁定阈值
VIN UVLO迟滞
工作静态电流为VIN
关断电流
EN逻辑高
EN逻辑低
PWM逻辑高
PWM逻辑低
EN引脚和PWM引脚内部上拉
下拉电阻
PWM逻辑低电平宽度关机
EN逻辑低电平宽度关机
ISET引脚电压
当前MULTIPLIER
电流精度
(I
最大
– I
AVG
) / I
AVG
灌电流最大输出电流
PWM高到低
EN HIGH到LOW
全亮
全亮
I
ISET
= 20
μA,
D = 100 %,0 ℃至70 ℃的
I
ISET
= 20 μA , D = 100 % , -40 ° C至85°C
D = 100%
D = 25%
I
ISET
= 35
μA,
每个IFBx销
30
–2%
–2.3%
1%
1%
mA
400
20
2.5
1.204
1.229
1030
2%
2.3%
2%
1.253
800
1.2
0.4
1600
设备启用,开关1.2 MHz和无
负载,V
IN
= 3.6V
EN =低
1.2
0.4
V
IN
落下
V
IN
升起
100
1.2
1
2
2
2.7
2.2
6.5
2.3
2.45
V
V
mV
mA
A
V
V
V
V
k
ms
ms
V
测试条件
典型值
最大
单位
EN和PWM
电流调节
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3
TPS61163
SLVSBQ2C - 2013年1月 - 修订2013年8月
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电气特性(续)
V
IN
= 3.6V , EN =高, PWM =高,售后不退电流= 20mA下,T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,典型值是在T
A
= 25 ° C(除非
另有说明)
参数
开关
R
DS ( ON)
I
LEAK_SW
f
SW
D
最大
开关MOSFET的导通电阻
开关MOSFET的漏电流
振荡器频率
最大占空比
测量开关的驱动信号
MOSFET
I
IFBx
= 20mA时, IFBx引脚上测得的
它具有较低的电压
V
IN
= 3.6 V
V
IN
= 3.0 V
V
SW
= 35 V ,T
A
= 25°C
1000
91
1200
95
0.25
0.3
1
1500
A
千赫
%
测试条件
典型值
最大
单位
振荡器
升压控制
V
IFB_REG
I
SINK
I
来源
G
ea
R
ea
f
ea
I
LIM
I
LIM_Start
t
Half_LIM
V
OVP_SW
V
OVP_IFB
t
es_delay
t
es_det
t
es_win
t
开始
t
EOS
t
H_LB
t
L =磅
t
H_HB
t
L_HB
t
valACKN
t
ACKN
V
ACKNL
T
关闭
T
HYS
(1)
(2)
IFBx反馈调节电压
COMP引脚吸收电流
COMP引脚源电流
误差放大器跨导器
误差放大器的输出电阻
误差放大器交叉频率
MOSFET的开关电流限制
开关MOSFET的启动电流限制
时间窗口的一半电流限制
SW引脚的过压阈值
IFBx销过压阈值
EasyScale检测延迟
EasyScale检测时间
EasyScale检测窗口
(1)
启动程序流的时间
节目流的结束时间
低位的时候(逻辑0 )
低位低时(逻辑0 )
高位的时候(逻辑1 )
低历史新高位(逻辑1 )
确认有效时间
确认条件的持续时间
确认输出电压低
热关断阈值
热关断迟滞
(2)
90
12
5
30
55
45.5
1.65
1
1.5
0.7
5
36
37.5
4.5
39
4.8
2
80
mV
A
A
μmho
M
兆赫
A
A
ms
V
V
s
s
ms
s
360
180
360
360
180
2
512
s
s
s
s
s
s
s
V
°C
°C
5pF的连接到COMP引脚
D = D
最大
为0℃至70℃
D = D
最大
保护
测量IFBx引脚
EN从低到高的测量
EN引脚为低电平时
EN从低到高的测量
4.2
100
260
1
2
2
2
2 x深
H_LB
2 x深
L_HB
2
EASYSCALE接口
漏极开路,R
上拉
= 15 kΩ至VIN
160
15
0.4
热关断
要选择EasyScale接口,T后
es_delay
从延迟EN低到高,驱动EN引脚为低电平的时间超过吨
es_det
吨前
es_win
到期
应答条件激活0 ,当RFA位设置为1。要使用此功能,这个条件只适用,主机必须有一个
漏极开路输出,并且数据线需要被拉到由主用一个电阻负载。
4
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TPS61163
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设备信息
引脚分配
9球1.31毫米X 1.31毫米YFF封装
顶视图
1
A
ISET
底部视图
3
IFB1
2
IFB2
3
IFB1
2
IFB2
1
ISET
A
B
PWM
COMP
GND
GND
COMP
PWM
B
C
EN
VIN
SW
SW
VIN
EN
C
引脚功能
A1
A2
A3
B1
B2
B3
C1
C2
C3
名字
ISET
IFB2
IFB1
PWM
COMP
GND
EN
VIN
SW
I / O
I
I
I
I
O
O
I
I
I
描述
满量程LED电流设定引脚。连接一个电阻到脚节目的满量程LED
当前
规范的灌电流输入引脚
规范的灌电流输入引脚
PWM调光信号输入
输出跨导误差放大器。外部电容连接到这个引脚
补偿升压回路
使能控制,以及1-Wire数字信号输入
电源输入引脚
沥干内部功率MOSFET的连接
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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