TC58NYG1S3EBAI5
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
2吉比特（ 256M
×
8位）的CMOS NAND PROM
描述
该TC58NYG1S3E是1.8V单2吉比特（ 2214592512比特）的NAND电可擦除可编程
只读存储器（ NAND
2
PROM ）组织为（ 2048
+
64 ）字节
×
64页
×
2048blocks.
该设备有两个2112字节的静态寄存器，允许程序和读取之间要传送的数据
寄存器和在2112字节增量的存储单元阵列。擦除操作是在一个程序段实现
单元（ 128千字节
+
4字节： 2112字节
×
64页） 。
该TC58NYG1S3E是，它利用了I / O管脚对地址和数据的串行型存储设备
输入/输出，以及用于命令输入。在擦除和编程操作自动执行制作
该装置的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储用于静止最合适
相机和其他系统需要高密度的非易失性存储器中的数据存储。
2
特点
组织
存储单元阵列
注册
PAGE SIZE
BLOCK SIZE
x8
2112
×
128K
×
8
2112
×
8
2112字节
(128K
+
4K ）字节
模式
阅读，复位，自动页面编程，自动块擦除，状态读取，页复印，
多页编程，多块擦除，多页复印，多页读
模式控制
串行输入/输出
指挥控制
有效块数
闽2008块
最多2048块
电源
V
CC
=
1.7V至1.95V
存取时间
注册单元阵列
串行读周期
编程/擦除时间
自动页编程
自动块擦除
工作电流
阅读（ 25 ns的周期）
计划（平均）
擦除（平均）
待机
包
P-TFBGA63-1013-0.80AZ
（权重： 0.18 TYP。）
25
s
最大
25 ns（最小值） （ CL = 30pF的）
300
μS/页
典型值。
2.5毫秒/块（典型值） 。
mA（最大值） 30 。
30毫安MAX
30毫安MAX
50
A
最大
1
2011-03-01C
TC58NYG1S3EBAI5
有效块
符号
N
VB
注意：
参数
有效块数
民
2008
典型值。
最大
2048
单位
块
该设备偶尔无法使用包含块。参阅应用说明（13）朝向该文件的结束。
的第一个块（块0）是保证是在装运时的有效块。
本说明书中为有效块的最小数目是适用的整个寿命期间
有效块的数目是单平面的操作的基础上，并且这可以用两个平面被降低
操作。
建议的直流工作条件
符号
参数
民
典型值。
最大
单位
V
CC
电源电压
1.7
1.95
V
V
IH
高电平输入电压
1.7 V
≤
V
CC
≤
1.95 V
VCC ×0.8
V
CC
+
0.3
V
V
IL
*
低电平输入电压
2 V （脉冲宽度小于20纳秒）
1.7 V
≤
V
CC
≤
1.95 V
0.3
*
VCC ×0.2
V
DC特性
（大
=
-40 85 ℃ ，V
CC
=
1.7 1.95V ）
符号
I
IL
I
LO
I
CCO1
I
CCO2
I
CCO3
I
CCS
参数
输入漏电流
输出漏电流
串行读取电流
编程电流
写电流
待机电流
条件
V
IN
=
0 V至V
CC
V
OUT
=
0 V至V
CC
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安， TCYCLE
=
25纳秒
民
典型值。
最大
±
10
±
10
单位
A
A
30
30
30
50
mA
mA
mA
A
CE
=
V
CC
0.2 V ， WP
=
0 V/V
CC
V
OH
高电平输出电压
I
OH
=
0.1毫安
VCC - 0.2
V
V
OL
低电平输出电压
I
OL
=
0.1毫安
0.2
V
I
OL
（ RY / BY ）
RY / BY的输出电流
V
OL
=
0.2 V
针
4
mA
4
2011-03-01C
TC58NYG1S3EBAI5
交流特性和推荐工作条件
（大
=
-40 85 ℃ ，V
CC
=
1.7 1.95V ）
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
t
WW
t
RR
t
RW
t
RP
t
RC
t
REA
TCEA
参数
CLE建立时间
CLE保持时间
民
12
5
20
5
12
12
5
12
5
25
10
100
20
20
12
25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
CE
建立时间
CE
保持时间
把脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
WE高保持时间
WP高到WE低
准备重新下降沿
准备WE下降沿
阅读脉宽
读周期时间
RE访问时间
CE访问时间
CLE低到RE低
ALE低到RE低
RE高到输出保持时间
RE低输出保持时间
RE高到输出高阻抗
CE高到输出高阻抗
CE高到ALE和CLE无所谓
稀土高保持时间
输出高阻抗，用于─ RE下降沿
RE高到WE低
WE高到
CE
低
WE高到RE低
存储单元阵列，以起始地址
数据缓存在繁忙的读缓存（以下31H和
3Fh)
20
25
t
CLR
t
AR
t
RHOH
t
RLOH
t
RHZ
t
CHZ
t
惩教署
t
REH
t
IR
t
RHW
t
世界遗产
t
WHR
t
R
10
10
22
5
60
20
0
10
0
30
30
60
25
t
DCBSYR1
30
t
DCBSYR2
t
WB
t
RST
数据缓存忙页复印（以下3AH ）
WE高到忙
器件复位时间（就绪/读/编程/擦除）
35
100
6/6/10/500
s
ns
s
* 1： tCLS和TALS不能比TWP短
* 2 ： TCS应该比雷公藤多甙+ 8ns的时间更长。
5
2011-03-01C
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