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TPS610(F)
东芝光电晶体管
NPN硅外延平面
TPS610(F)
铅(Pb ) - 免费
光电计数器
各类读者
位置检测
φ5mm
环氧树脂封装
高灵敏度:我
L
= 250μA (典型值)。
半值角:
θ1/2
= ± 8 ° (典型值)。
以毫米单位
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
集电极耗散功率
集电极耗散功率
降额( Ta>25 ° C)
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
PC
ΔP
C
/ °C
T
OPR
T
英镑
等级
30
5
50
150
2
20~75
30~100
单位
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
东芝
重量: 0.3克(典型值)。
05C1
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
引脚连接
2
1
1 。发射器
2 。收藏家
光电特性
( TA = 25°C )
特征
暗电流
光电流
集电极 - 发射极饱和
电压
开关时间
上升时间
下降时间
符号
I
D
(I
首席执行官
)
I
L
V
CE (SAT)
t
r
t
f
λ
P
θ
测试条件
V
CE
= 24V , E = 0
V
CE
= 3V , E = 0.1MW /厘米
2
分钟。
(注)
2
典型值。
0.005
250
0.25
6
6
800
±8
马克斯。
0.1
0.4
单位
μA
μA
V
μs
nm
°
100
I
C
= 50μA , E = 0.1MW /厘米
V
CC
= 5V ,我
C
= 2毫安
R
L
= 100
(注)
峰值灵敏度波长
半值角
1
2
注:色温= 2870K ,标准的钨灯
1
2007-10-01
TPS610(F)
注意事项
请注意以下事项的。
1.焊接应在从引塞子顶端部来执行。
2.焊接温度: 260 ℃以下。焊接时间: 5秒最大。
3.当形成引线,该引线须形成在所述止动件的顶部不留下形成
应力向装置的主体。焊后应率先形成进行。
2
2007-10-01
TPS610(F)
图1开关时间测试电路
输入
TLN110(F)
R
V
CC
TPS610(F)
产量
R
L
输出脉冲
0
t
r
t
f
10%
输入脉冲
0
90%
P
C
- TA
160
10
2
I
D
- TA
E =0
10
(典型值)。
VCE = 24 V
允许集电极电源
耗散P
C
( mW)的
暗电流I
D
(A)
20
40
60
80
100
120
1
80
10
1
10
2
40
10
3
0
0
10
4
0
20
40
60
80
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
I
L
– E
50
VCE = 3V
30 TA = 25°C
色温
= 2870K
(典型值)。
200
100
光谱响应
TA = 25℃
(典型值)。
光电流I
L
(MA )
10
5
3
(%)
相对灵敏度
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
1
400
600
800
1000
1200
辐射率E(毫瓦/平方厘米
2
)
波长
λ
(纳米)
3
2007-10-01
TPS610(F)
定向灵敏度特性
(典型值)。
( TA = 25°C )
12
8
4
0
-4
-8
-12
频率特性
(典型值)。
VCC = 5 V
TA = 25°C
光源= TLN110 ( F)
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
相对输出
20°
10°
10°
20°
( dB)的
辐射角
R
L
=100Ω
500Ω
1kΩ
-16
-20
1
3
10
30
100
300
1000
相对灵敏度
频率f
(千赫)
开关特性
(典型值)。
30
Ta=25°C
输入
TLN110(F)
VCC
10V
产量
RL
tr
tf
输出脉冲
输入脉冲
td
90%
10%
耦合特性有了
TLN110(F)
TLN110 (F )I
E
= 50毫瓦/ SR
(MA )
集电极电流I
C
切换时间( μS )
R
10
200
100
50
30
t
r
(R
L
=10kΩ)
5
3
10
TA = 25°C
TPS610 ( F)采用样本
1 :I
L
= 150μA在V
CE
= 3V
2
E = 0.1MW /厘米
0.5
0.3
TLN110(F)
d
30
t
f
(R
L
=10kΩ)
t
r
(R
L
=1kΩ)
10
t
d
(R
L
=10kΩ)
3 t
d
(R
L
=100Ω,1kΩ)
t
f
(R
L
=100Ω)
t
r
(R
L
=100Ω)
1
0.02
0.1
0.3
5
t
f
(R
L
=1kΩ)
IC
3V
TPS610(F)
1
3
10
0.1
1
3
5
10
30
50
100
集电极电流I
C
(MA )
距离
深(mm )
4
2007-10-01
TPS610(F)
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-10-01
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