TB7001FL
初步
东芝多芯片模块
TB7001FL
用于高电流和低电压应用
同步降压转换器模块
本产品是一款同步降压开关转换器模块。用于DC-DC转换器的其他组件是一个
的PWM控制IC，外部电感，以及输入和输出电容器。
特点
3芯片（高边MOSFET ，低侧MOSFET ， MOSFET栅极驱动程序 - IC ），在1包。
最大输入电压为19V ，它能够为笔记电脑的应用程序。
欠压锁定和热关机
保持关闭低侧MOSFET的功能。当负载电流低，低边MOSFET能够一直保持关闭。
因此效率提高，在低负载状态。
内部控制电路禁用功能。静态电流小于10
μ
A.
工作频率高
高输出电流
高效率
: f
c
= 1MHz的（最大）
: I
OUT
= 20A （最大）
:
η
= 85% (＠V
IN
= 12 V、V
OUT
= 1.5 V，I
OUT
= 20A ，女
c
= 1MHz的）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
V
IN
到PGND电压
L
X
到PGND电压
V
DD
到SGND电压
BST到L
X
电压
BST到SGND电压
ON / OFF ，以SGND电压
标清到SGND电压
DISBL到SGND电压
输出RMS电流
功耗
工作通道温度
储存温度
符号
V
IN
V
LX
V
DD
V
BST- LX
V
BST
V
开/关
V
SD
V
DISBL
I
OUT
P
D
T
CH- OPR
T
英镑
评级
30
-2
30
-0.3
6
-0.3
V
DD
+0.3
-0.3
30
-0.3
V
DD
+0.3
-0.3
V
DD
+0.3
-0.3
V
DD
+0.3
20
待定
40
~ 150
55
~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
°C
°C
1
2004-12-24
TB7001FL
终端刀豆网络gurations
CGND
SGND
SD
BST
HO
NC
NC
NC
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
开/关
DISBL
V
DD
保护地线（ IC ）
LO
CGND
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
1
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11 12 13 14
15
16
CGND
V
IN
17
18
19
20
21
22
23
L
X
24
25
26
27
28
43
42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
L
X
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
名字
CGND
SGND
SD
BST
HO
NC
V
IN
L
X
保护地
LO
保护地线（ IC ）
V
DD
DISBL
1,51,Tab
2
3
4
5
6,7,8,39
920,Tab
21,4050,Tab
2238
52
53
54
55
号
内部驱动器IC芯片床
内部驱动器， IC信号地
关闭信号为低侧MOSFET 。当设置为低，
低边MOSFET关断。
连接到外部自举电容
高边MOSFET的栅极信号
无内部连接。保持通畅。
输入电压为直流 - 直流转换器
开关节点。连接到输出电感器。
电源地
低端MOSFT门信号
内部驱动器，电源IC地
电源电压为内部驱动程序IC
禁止信号的内部控制电路。当设置为低，
内部控制电路被禁用。高边MOSFET
和低侧MOSFET被关断。
输入信号
监测
监测
功能
笔记
连接到SGND
连接到保护接地
开/关
56
L
X
L
X
L
X
NC
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
底部视图
3
2004-12-24
TB7001FL
初步
东芝多芯片模块
TB7001FL
用于高电流和低电压应用
同步降压转换器模块
本产品是一款同步降压开关转换器模块。用于DC-DC转换器的其他组件是一个
的PWM控制IC，外部电感，以及输入和输出电容器。
特点
3芯片（高边MOSFET ，低侧MOSFET ， MOSFET栅极驱动程序 - IC ），在1包。
最大输入电压为19V ，它能够为笔记电脑的应用程序。
欠压锁定和热关机
保持关闭低侧MOSFET的功能。当负载电流低，低边MOSFET能够一直保持关闭。
因此效率提高，在低负载状态。
内部控制电路禁用功能。静态电流小于10
μ
A.
工作频率高
高输出电流
高效率
: f
c
= 1MHz的（最大）
: I
OUT
= 20A （最大）
:
η
= 85% (＠V
IN
= 12 V、V
OUT
= 1.5 V，I
OUT
= 20A ，女
c
= 1MHz的）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
V
IN
到PGND电压
L
X
到PGND电压
V
DD
到SGND电压
BST到L
X
电压
BST到SGND电压
ON / OFF ，以SGND电压
标清到SGND电压
DISBL到SGND电压
输出RMS电流
功耗
工作通道温度
储存温度
符号
V
IN
V
LX
V
DD
V
BST- LX
V
BST
V
开/关
V
SD
V
DISBL
I
OUT
P
D
T
CH- OPR
T
英镑
评级
30
-2
30
-0.3
6
-0.3
V
DD
+0.3
-0.3
30
-0.3
V
DD
+0.3
-0.3
V
DD
+0.3
-0.3
V
DD
+0.3
20
待定
40
~ 150
55
~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
°C
°C
1
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TB7001FL
终端刀豆网络gurations
CGND
SGND
SD
BST
HO
NC
NC
NC
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
开/关
DISBL
V
DD
保护地线（ IC ）
LO
CGND
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
1
56
55
54
53
52
51
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45
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2
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4
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6
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10
11 12 13 14
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CGND
V
IN
17
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L
X
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42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
L
X
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
名字
CGND
SGND
SD
BST
HO
NC
V
IN
L
X
保护地
LO
保护地线（ IC ）
V
DD
DISBL
1,51,Tab
2
3
4
5
6,7,8,39
920,Tab
21,4050,Tab
2238
52
53
54
55
号
内部驱动器IC芯片床
内部驱动器， IC信号地
关闭信号为低侧MOSFET 。当设置为低，
低边MOSFET关断。
连接到外部自举电容
高边MOSFET的栅极信号
无内部连接。保持通畅。
输入电压为直流 - 直流转换器
开关节点。连接到输出电感器。
电源地
低端MOSFT门信号
内部驱动器，电源IC地
电源电压为内部驱动程序IC
禁止信号的内部控制电路。当设置为低，
内部控制电路被禁用。高边MOSFET
和低侧MOSFET被关断。
输入信号
监测
监测
功能
笔记
连接到SGND
连接到保护接地
开/关
56
L
X
L
X
L
X
NC
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
底部视图
3
2004-12-24
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