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TPS61060
TPS61061
TPS61062
SLVS538 - 2004年11月
恒流LED驱动器，具有数字和PWM亮度控制
特点
LED驱动器，集成过压和
短路保护
2.7 V至6.0 V的输入电压范围
500毫伏/ 250 - mV的电压反馈
TPS61060可支持多达3个LED
TPS61061可支持多达4个LED
TPS61062可支持多达5个LED
PWM亮度控制上启用
数字亮度控制上ILED
1.0 MHz的固定开关频率
400 - mA内部功率MOSFET开关
LED的过程中断开关机
工作在小输出电容器
下降到220 nF的
高达80 ％的效率
8引脚NanoFree 封装（芯片级， CSP ）
3
×
3毫米QFN封装
应用
白光LED驱动器
手机
PDA ，掌上电脑和智能手机
数字静态照相机
手持设备
描述
该TPS61060 / 61/ 62是一个高频率，同步升压转换器，具有恒定电流输出驱动最高
到5的白色LED。为了获得最大的安全性，该器件具有集成的过压和先进的短路
当输出接地短路保护。该器件采用1 MHz的固定开关频率
让小的外部元件，简化可能的EMI问题。该器件带有三个不同的
过压保护阈值（ 14 V / 18 V / 23 V） ，使廉价和小输出电容与低
额定电压。 LED电流初始设置与外部检测电阻器Rs和反馈电压
调整为500 mV或250毫伏，这取决于ILED引脚配置。数字亮度控制
通过应用简单的数字信号到ILED引脚实现的。可替换地，一个PWM信号上升至1千赫可
应用使能引脚来控制LED亮度。在关断期间，输出从断开
输入以避免漏电流的LED。
典型用途
C2
220 nF的
VIN
2.7 V至6 V
C1
1
mF
L1
22
mH
VIN
EN
ILED
SW
OUT
FB
R
S
12
W
GND地线
图1 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
过压
保护
（ OVP ）
14 V （分钟）
-40到85°C
18 V （分钟）
22.2 V（分钟）
(1)
(2)
包
NanoFree
TPS61060YZF
TPS61061YZF
TPS61062YZF
QFN
TPS61060DRB
TPS61061DRB
TPS61062DRB
包装标志
NanoFree
(1)
AKX
AKY
AKZ
QFN
(2)
水通道蛋白
AQQ
AQR
该YZF包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS61060YZFR ）订购的数量
每卷或增加T后缀（ TPS61060YZFT ） 3000份订购250份每卷。
在DRB包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS61060DRBR ）订购的数量
3000份每卷。
8引脚封装NanoFree
顶视图
8引脚3×3毫米QFN封装
顶视图
针A1
指数
1
A
B
2
3
GND
1
EN
2
ILED
3
FB
4
裸露
热
Diepad
8
VIN
7
OUT
6
SW
5
保护地
C
终端功能
终奌站
名字
VIN
EN
GND
保护地
FB
OUT
SW
ILED
号
CSP
B1
A2
A1
C3
B3
C1
C2
A3
QFN
8
2
1
5
4
7
6
3
I
O
I
I
I
I
该器件的输入电源引脚
使能引脚。该引脚必须拉高以使该设备。以允许的亮度控制的
发光二极管的PWM信号上升至1千赫均可适用。该引脚具有内部下拉电阻。
模拟地
电源地
这是该装置的反馈引脚。反馈引脚调节LED电流通过
检测电阻通过调节RS两端的电压。反馈电压是由ILED引脚设置。
ILED = GND设定的反馈电压为500毫伏。 ILED =高台反馈电压为250
毫伏。请参阅数字亮度控制部分以获取更多信息。
该装置的输出
所述装置的开关销
数字亮度控制输入。当此引脚接地的数字亮度控制
禁用。当该引脚接高电平，然后将反馈电压降低到一般
250毫伏和数字亮度控制功能。参阅对数字亮度控制部
更多的信息。
在使用PowerPad （裸露的散热diepad ）仅适用于QFN封装。该
将PowerPAD 需要被连接并焊接到模拟地（GND）通过。
I / O
描述
PowerPAD
–
–
2
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功能框图
SW
VIN
BIAS V
REF
= 1.22 V
热关断
UVLO
预充电电流/ PWM
短路检测
50-mS
倒胃口
延迟
Q2
OUT
OVP
振荡器
1兆赫
V
REF
控制逻辑
栅极驱动电路
EN
FB
错误
扩音器
EN
Q1
EN
比较
EN
EN
Σ
坡道
赔偿金
电流限制
电流检测
GND
保护地
V
REF
= 1.22 V
ILED =高V
FB
= 250毫伏
ILED =低V
FB
= 500 mV的
ILED程控V
FB
= 15.6 mV至500 mV的
5-Bit
DAC
15.6毫伏/步骤
数字
接口
ILED
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
单位
VIN
(2)
EN ， ILED ， FB
(2)
OUT
(2)
SW
(2)
供应电压引脚
引脚电压
引脚电压
引脚电压
连续功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
-0.3 V至7 V
-0.3 V至7 V
33 V
33 V
见耗散额定值表
-40 ° C至150℃
-55_C到150_C
260°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
3
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耗散额定值
包
QFN
(1)
QFN
(2)
CSP
(3)
CSP
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
R
θJA
270°C/W
60°C/W
220°C/W
110°C/W
T
A
≤
25°C
额定功率
370毫瓦
1.6W
454毫瓦
909毫瓦
T
A
= 70° C
额定功率
204毫瓦
916mW
250毫瓦
500mW
T
A
= 85°C
额定功率
148毫瓦
666mW
181毫瓦
363毫瓦
焊接使用PowerPad在标准2层PCB过孔不热垫。
焊接使用PowerPad在标准的4层PCB过孔的散热片。
R
θ
根据JEDEC标准的基础上有1层印刷电路板。
R
θ
根据JEDEC标准的基础上的2层印刷电路板。请参阅应用部分的如何
改善热阻R
θJA
.
推荐工作条件
民
V
I
L
C
I
C
O
T
A
T
J
(1)
输入电压范围
感应器
(1)
输入
电容
(1)
0.22
-40
-40
输出电容
(1)
工作环境温度
工作结温
请参阅有关详细信息，应用程序部分
2.7
22
1
1
85
125
典型值
最大
6.0
单位
V
H
F
F
°C
°C
电气特性
V
in
= 3.6 V ， EN = V
IN
, T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
电源电流
V
IN
I
Q
I
SD
V
UVLO
V
HYS
V
EN
V
EN
R
EN
t
shtdn
t
PWML
V
ILED
V
ILED
I
ILED
TUP
tdown长
tDELAY时间
花花公子
(1)
输入电压范围
工作静态电流为VIN
关断电流
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
启用高电平电压
使低电平电压
使能下拉电阻
能到关机延时
PWM低电平信号时
ILED高电平电压
ILED低电平电压
ILED输入漏电流
DAC分辨率
加大反馈电压一步
降低反馈电压一步
上/下步骤之间的延迟时间
数字节目了， VFB = 500mV的
(1)
(1)
测试条件
民
2.7
典型值
最大
6.0
1
单位
V
mA
A
V
mV
V
设备未切换
EN = GND
V
IN
落下
1
1.65
50
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
200
EN =高后低
适用于EN PWM信号
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
ILED = GND或VIN
5位
ILED =高后低
ILED =高后低
ILED =低到高
ILED =高后低
1
180
1.5
720
0.1
15.6
1.2
300
1.2
10
1.8
启用和ILED
0.4
50
25
0.4
3
75
300
V
k
ms
ms
V
V
A
mV
us
us
us
us
施加到EN一段时间（ ≥25毫秒）一个PWM低信号可能会导致设备停机。经过一段时间的
≥50
MS设备
肯定进入关断模式。
4
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参数
FB反馈
I
FB
V
FB
V
FB
r
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
SWLEAK
I
SW
f
s
产量
VOVP
VOVP
VOVP
VOVP
Vo
Vo
输出过压保护
输出过压保护
输出过压保护
输出过压保护迟滞
为短路的输出电压阈值
发现
为短路的输出电压阈值
发现
反馈输入偏置电流
反馈调节电压
反馈调节电压
P沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
开关漏电流
N沟道MOSFET电流限制
开关频率
测试条件
V
FB
= 500 mV的
ILED = GND ，在启动后
ILED =高，启动后
V
O
= 10 V ，电流Isw = 10毫安
V
IN
= V
GS
= 3.6 V ，电流Isw = 100毫安
V
IN
= V
GS
= 2.7 V ，电流Isw = 100毫安
V
IN
= V
SW
=6.0 V, V
OUT
= GND ，
EN = GND
V
O
= 10 V
民
典型值
1
最大
1.5
515
260
3.7
0.9
1.0
2
475
1.2
16
19.8
25
单位
uA
mV
mV
A
mA
兆赫
V
V
V
V
V
V
485
240
500
250
2.5
0.6
0.7
0.1
电源开关同步整流和电流限制（ SW ）
325
0.8
400
1.0
14.5
18.5
23.5
0.7
V
IN
–0.7
V
IN
–0.3
振荡器
V
O
上升; TPS61060
V
O
上升; TPS61061
V
O
上升; TPS61062
TPS61060 / 61/ 62 V
O
落下
V
O
落下
V
O
升起
启动时， EN =低到高，
OUT = GND
14
18
22.2
IPRE
预充电电流和短路电流V
IN
= 6 V
V
IN
= 3.6 V
V
IN
= 2.7 V
最大占空比
180
95
65
95%
mA
D
典型特征
表图的
科幻gure
η
效率
VS LED电流; 2个LED ， ILED =高
VS LED电流; 3个LED ， ILED =低
VS LED电流; 3个LED ， ILED =高
VS LED电流; 4个LED ， ILED =低
VS LED电流; 4个LED ， ILED =高
VS LED电流; 5个LED ， ILED =高
PWM调光
数字亮度控制
LED电流
软启动运作
短路保护
过压保护
输入电压纹波
反馈电压Vs ILED编程
明步
VS PWM占空比
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
5
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恒流LED驱动器，具有数字和PWM亮度控制
特点
LED驱动器，集成过压和
短路保护
2.7 V至6.0 V的输入电压范围
500毫伏/ 250 - mV的电压反馈
TPS61060可支持多达3个LED
TPS61061可支持多达4个LED
TPS61062可支持多达5个LED
PWM亮度控制上启用
数字亮度控制上ILED
1.0 MHz的固定开关频率
400 - mA内部功率MOSFET开关
LED的过程中断开关机
工作在小输出电容器
下降到220 nF的
高达80 ％的效率
8引脚NanoFree 封装（芯片级， CSP ）
3
×
3毫米QFN封装
应用
白光LED驱动器
手机
PDA ，掌上电脑和智能手机
数字静态照相机
手持设备
描述
该TPS61060 / 61/ 62是一个高频率，同步升压转换器，具有恒定电流输出驱动最高
到5的白色LED。为了获得最大的安全性，该器件具有集成的过压和先进的短路
当输出接地短路保护。该器件采用1 MHz的固定开关频率
让小的外部元件，简化可能的EMI问题。该器件带有三个不同的
过压保护阈值（ 14 V / 18 V / 23 V） ，使廉价和小输出电容与低
额定电压。 LED电流初始设置与外部检测电阻器Rs和反馈电压
调整为500 mV或250毫伏，这取决于ILED引脚配置。数字亮度控制
通过应用简单的数字信号到ILED引脚实现的。可替换地，一个PWM信号上升至1千赫可
应用使能引脚来控制LED亮度。在关断期间，输出从断开
输入以避免漏电流的LED。
典型用途
C2
220 nF的
VIN
2.7 V至6 V
C1
1
mF
L1
22
mH
VIN
EN
ILED
SW
OUT
FB
R
S
12
W
GND地线
图1 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
过压
保护
（ OVP ）
14 V （分钟）
-40到85°C
18 V （分钟）
22.2 V（分钟）
(1)
(2)
包
NanoFree
TPS61060YZF
TPS61061YZF
TPS61062YZF
QFN
TPS61060DRB
TPS61061DRB
TPS61062DRB
包装标志
NanoFree
(1)
AKX
AKY
AKZ
QFN
(2)
水通道蛋白
AQQ
AQR
该YZF包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS61060YZFR ）订购的数量
每卷或增加T后缀（ TPS61060YZFT ） 3000份订购250份每卷。
在DRB包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS61060DRBR ）订购的数量
3000份每卷。
8引脚封装NanoFree
顶视图
8引脚3×3毫米QFN封装
顶视图
针A1
指数
1
A
B
2
3
GND
1
EN
2
ILED
3
FB
4
裸露
热
Diepad
8
VIN
7
OUT
6
SW
5
保护地
C
终端功能
终奌站
名字
VIN
EN
GND
保护地
FB
OUT
SW
ILED
号
CSP
B1
A2
A1
C3
B3
C1
C2
A3
QFN
8
2
1
5
4
7
6
3
I
O
I
I
I
I
该器件的输入电源引脚
使能引脚。该引脚必须拉高以使该设备。以允许的亮度控制的
发光二极管的PWM信号上升至1千赫均可适用。该引脚具有内部下拉电阻。
模拟地
电源地
这是该装置的反馈引脚。反馈引脚调节LED电流通过
检测电阻通过调节RS两端的电压。反馈电压是由ILED引脚设置。
ILED = GND设定的反馈电压为500毫伏。 ILED =高台反馈电压为250
毫伏。请参阅数字亮度控制部分以获取更多信息。
该装置的输出
所述装置的开关销
数字亮度控制输入。当此引脚接地的数字亮度控制
禁用。当该引脚接高电平，然后将反馈电压降低到一般
250毫伏和数字亮度控制功能。参阅对数字亮度控制部
更多的信息。
在使用PowerPad （裸露的散热diepad ）仅适用于QFN封装。该
将PowerPAD 需要被连接并焊接到模拟地（GND）通过。
I / O
描述
PowerPAD
–
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功能框图
SW
VIN
BIAS V
REF
= 1.22 V
热关断
UVLO
预充电电流/ PWM
短路检测
50-mS
倒胃口
延迟
Q2
OUT
OVP
振荡器
1兆赫
V
REF
控制逻辑
栅极驱动电路
EN
FB
错误
扩音器
EN
Q1
EN
比较
EN
EN
Σ
坡道
赔偿金
电流限制
电流检测
GND
保护地
V
REF
= 1.22 V
ILED =高V
FB
= 250毫伏
ILED =低V
FB
= 500 mV的
ILED程控V
FB
= 15.6 mV至500 mV的
5-Bit
DAC
15.6毫伏/步骤
数字
接口
ILED
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
单位
VIN
(2)
EN ， ILED ， FB
(2)
OUT
(2)
SW
(2)
供应电压引脚
引脚电压
引脚电压
引脚电压
连续功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
-0.3 V至7 V
-0.3 V至7 V
33 V
33 V
见耗散额定值表
-40 ° C至150℃
-55_C到150_C
260°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
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耗散额定值
包
QFN
(1)
QFN
(2)
CSP
(3)
CSP
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
R
θJA
270°C/W
60°C/W
220°C/W
110°C/W
T
A
≤
25°C
额定功率
370毫瓦
1.6W
454毫瓦
909毫瓦
T
A
= 70° C
额定功率
204毫瓦
916mW
250毫瓦
500mW
T
A
= 85°C
额定功率
148毫瓦
666mW
181毫瓦
363毫瓦
焊接使用PowerPad在标准2层PCB过孔不热垫。
焊接使用PowerPad在标准的4层PCB过孔的散热片。
R
θ
根据JEDEC标准的基础上有1层印刷电路板。
R
θ
根据JEDEC标准的基础上的2层印刷电路板。请参阅应用部分的如何
改善热阻R
θJA
.
推荐工作条件
民
V
I
L
C
I
C
O
T
A
T
J
(1)
输入电压范围
感应器
(1)
输入
电容
(1)
0.22
-40
-40
输出电容
(1)
工作环境温度
工作结温
请参阅有关详细信息，应用程序部分
2.7
22
1
1
85
125
典型值
最大
6.0
单位
V
H
F
F
°C
°C
电气特性
V
in
= 3.6 V ， EN = V
IN
, T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
电源电流
V
IN
I
Q
I
SD
V
UVLO
V
HYS
V
EN
V
EN
R
EN
t
shtdn
t
PWML
V
ILED
V
ILED
I
ILED
TUP
tdown长
tDELAY时间
花花公子
(1)
输入电压范围
工作静态电流为VIN
关断电流
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
启用高电平电压
使低电平电压
使能下拉电阻
能到关机延时
PWM低电平信号时
ILED高电平电压
ILED低电平电压
ILED输入漏电流
DAC分辨率
加大反馈电压一步
降低反馈电压一步
上/下步骤之间的延迟时间
数字节目了， VFB = 500mV的
(1)
(1)
测试条件
民
2.7
典型值
最大
6.0
1
单位
V
mA
A
V
mV
V
设备未切换
EN = GND
V
IN
落下
1
1.65
50
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
200
EN =高后低
适用于EN PWM信号
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
V
IN
= 2.7 V至6.0 V
ILED = GND或VIN
5位
ILED =高后低
ILED =高后低
ILED =低到高
ILED =高后低
1
180
1.5
720
0.1
15.6
1.2
300
1.2
10
1.8
启用和ILED
0.4
50
25
0.4
3
75
300
V
k
ms
ms
V
V
A
mV
us
us
us
us
施加到EN一段时间（ ≥25毫秒）一个PWM低信号可能会导致设备停机。经过一段时间的
≥50
MS设备
肯定进入关断模式。
4
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TPS61060
TPS61061
TPS61062
SLVS538 - 2004年11月
参数
FB反馈
I
FB
V
FB
V
FB
r
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
SWLEAK
I
SW
f
s
产量
VOVP
VOVP
VOVP
VOVP
Vo
Vo
输出过压保护
输出过压保护
输出过压保护
输出过压保护迟滞
为短路的输出电压阈值
发现
为短路的输出电压阈值
发现
反馈输入偏置电流
反馈调节电压
反馈调节电压
P沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
开关漏电流
N沟道MOSFET电流限制
开关频率
测试条件
V
FB
= 500 mV的
ILED = GND ，在启动后
ILED =高，启动后
V
O
= 10 V ，电流Isw = 10毫安
V
IN
= V
GS
= 3.6 V ，电流Isw = 100毫安
V
IN
= V
GS
= 2.7 V ，电流Isw = 100毫安
V
IN
= V
SW
=6.0 V, V
OUT
= GND ，
EN = GND
V
O
= 10 V
民
典型值
1
最大
1.5
515
260
3.7
0.9
1.0
2
475
1.2
16
19.8
25
单位
uA
mV
mV
A
mA
兆赫
V
V
V
V
V
V
485
240
500
250
2.5
0.6
0.7
0.1
电源开关同步整流和电流限制（ SW ）
325
0.8
400
1.0
14.5
18.5
23.5
0.7
V
IN
–0.7
V
IN
–0.3
振荡器
V
O
上升; TPS61060
V
O
上升; TPS61061
V
O
上升; TPS61062
TPS61060 / 61/ 62 V
O
落下
V
O
落下
V
O
升起
启动时， EN =低到高，
OUT = GND
14
18
22.2
IPRE
预充电电流和短路电流V
IN
= 6 V
V
IN
= 3.6 V
V
IN
= 2.7 V
最大占空比
180
95
65
95%
mA
D
典型特征
表图的
科幻gure
η
效率
VS LED电流; 2个LED ， ILED =高
VS LED电流; 3个LED ， ILED =低
VS LED电流; 3个LED ， ILED =高
VS LED电流; 4个LED ， ILED =低
VS LED电流; 4个LED ， ILED =高
VS LED电流; 5个LED ， ILED =高
PWM调光
数字亮度控制
LED电流
软启动运作
短路保护
过压保护
输入电压纹波
反馈电压Vs ILED编程
明步
VS PWM占空比
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
5
QQ：2881677436 复制
