TPS57160-Q1
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SLVSAP1C - 2010年12月 - 修订2012年8月
1.5 -A 60 -V降压SWIFT DC / DC转换器
具有Eco-Mode 控制
检查样品：
TPS57160-Q1
1
特点
通过汽车应用认证
3.5 V至60 V的输入电压范围
200 mΩ的高边MOSFET
高效率在轻负载时的脉冲整
跳跃生态模式控制方案
116 μA的静态工作电流
1.5 μA关断电流
100 kHz至2.5 MHz的开关频率
同步至外部时钟
可调慢启动/排序
欠压和过压电源良好
产量
2
可调节的欠压锁定（ UVLO ）
电压和迟滞
0.8 V内部基准电压源
支持的SwitcherPro 软件工具
（ http://focus.ti.com/docs/toolsw/folders/print/s
witcherpro.html ）
对于SWIFT文档，请参阅TI
网站：
http://www.ti.com/swift
应用
12 V， 24 V和48 V工业与商业
低功耗系统
汽车售后配件：视频，
GPS，娱乐
描述
该TPS57160 -Q1器件是60 -V 1.5 A降压带有集成的高边MOSFET稳压器。电流 -
模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。低纹波脉冲跳跃
模式可将无负载，输入电源电流116
μA.
利用使能引脚，关断电源电流
减小到1.5
μA.
欠压闭锁在内部设定为2.5 V ，但可以通过使能引脚增加。输出电压
启动斜坡是由还可以用于测序或者跟踪配置的慢启动引脚控制。一个开放
漏电源良好信号指示输出电压为92 ％ 109 ％的额定电压。
宽的开关频率范围允许的效率和外部组件尺寸进行优化。频率
折返和热关断保护在过载条件下的一部分。
该TPS57160 -Q1采用10引脚耐热增强型MSOP使用PowerPad （ DGQ ）或10引脚SON （ DRC ）
封装。
简化的原理图
VIN
PWRGD
90
效率
vs
负载电流
85
TPS57160
EN
BOOT
效率 - ％
80
75
70
65
60
V
I
= 12 V,
V
O
= 3.3 V,
f
sw
= 1200千赫
0
0.25
0.50
0.75
1
1.25
负载电流 - 一个
1.50
1.75
2
PH
SS / TR
RT / CLK
COMP
VSENSE
55
GND
50
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
生态模式的SwitcherPro ， SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2010-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
J
-40 ° C至150℃
(1)
(2)
MSOP - DGQ
SON - 刚果（金）
包
(2)
2500卷
3000卷
订购型号
TPS57160QDGQRQ1
TPS57160QDRCRQ1
顶部端标记
5716Q
5716Q
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1)
在工作温度范围（除非另有说明）
价值
VIN
EN
(2)
0.3 V至65 V
0.3 V至5 V
73 V
0.3 V至3 V
0.3 V至3 V
0.3 V至6 V
0.3 V至3 V
0.3 V至3.6 V
8V
-0.6 V至65 V
200纳秒
30纳秒
最大直流电压，T
J
= -40°C
-1 V至65 V
-2 V至65 V
–0.85 V
= 200 mV的
100
μA
百毫安
10
μA
电流限制
100
μA
电流限制
100
μA
10毫安
200
μA
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
BOOT
V
IN
输入电压
VSENSE
COMP
PWRGD
SS / TR
RT / CLK
BOOT到PH
V
OUT
输出电压
PH
V
差异
差分电压
垫GND
EN
BOOT
I
来源
源出电流
VSENSE
PH
RT / CLK
VIN
COMP
PWRGD
SS / TR
I
SINK
灌电流
T
J
T
英镑
(1)
(2)
工作结温范围
存储温度范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。超越曝光
绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
SEE
启用和调整欠压锁定
了解详细信息。
2
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热信息
TPS57160-Q1
热公制
(1) (2)
θ
JA
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
结至环境热阻（标准板）
结至环境热阻（定制电路板）
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(3)
DGQ
10脚
62.5
57
83
28
1.7
20.1
21
的DRc
10脚
56.5
61.5
52.1
20.6
0.9
20.8
5.2
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
额定功率在特定的环境温度T
A
应为150 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。见功耗估计在此数据表的应用程序部分以获取更多信息。
测试板条件：
（ a）约3英寸× 3英寸， 2层，厚度： 0.062英寸
（二） 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
（三） 2盎司铜接地层，底层
位于器件封装下（D ） 6散热通孔（ 13mil ）
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包装耗散额定值
(1)
包
DGQ （ MSOP ）
刚果民主共和国（ SON ）
(1)
θ
JA
，热阻抗，
结到环境
57°C/W
56.5°C/W
测试板条件：
答3英寸×3英寸，两层， 0.062英寸厚
位于印刷电路板的顶部和底部B. 2盎司铜迹线
C.六（ 13密耳直径）位于器件封装在散热孔
电气特性
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 3.5 V至60 V（除非另有说明）
参数
电源电压（ VIN引脚）
工作输入电压
内部欠压锁定
门槛
关断电源电流
经营非开关电源
当前
ENABLE和UVLO （ EN引脚）
启用阈值电压
输入电流
滞环电流
参考电压
参考电压
高边MOSFET
导通电阻
误差放大器器
输入电流
误差放大器的跨导（G
M
) –2
μA
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; 2
μA,
V
COMP
= 1 V
误差放大器的跨导（G
M
) –2
μA
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; 2
μA,
V
COMP
= 1 V,
慢启动过程
V
VSENSE
= 0.4 V
误差放大器的直流增益
误差放大器的带宽
误差放大器的源/汇
COMP切换电流
跨
电流限制
电流限制阈值
热关断
热关断
182
°C
VIN = 12 V ，T
J
= 25°C
1.8
2.7
A
V
（COMP）
= 1 V ， 100 mV过
V
VSENSE
= 0.8 V
50
97
26
10,000
2700
±7
6
nA
μmhos
μmhos
V/V
千赫
μA
A / V
VIN = 3.5 V ， BOOT -PH = 3 V
VIN = 12V， BOOT -PH = 6 V
300
200
410
m
T
J
= 25°C
0.792
0.784
0.8
0.8
0.808
0.816
V
无电压滞后，上升和下降，
T
J
= 25°C
启用阈值+50毫伏
启用阈值-50毫伏
1.15
1.25
–3.8
–0.9
–2.9
1.36
V
μA
μA
无电压滞后，上升沿和下降沿
EN = 0 V ， 25 ° C， 3.5 V
≤
V
IN
≤
60 V
EN = 0 V ， 125 ℃， 3.5 V
≤
V
IN
≤
60 V
VSENSE = 0.83 V， VIN = 12 V ，T
J
= 25°C
3.5
2.5
1.5
1.9
116
4
6.5
136
μA
60
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
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电气特性（续）
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 3.5 V至60 V（除非另有说明）
参数
定时电阻和外部时钟（RT / CLK引脚）
开关采用RT频率范围
模式
f
SW
开关频率
开关使用的频率范围
CLK模式
最小CLK输入脉冲宽度
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH值上升
边沿延迟
PLL锁定时间
慢启动和跟踪（ SS / TR ）
充电电流
SS / TR到VSENSE匹配
SS / TR到参考分频器
SS / TR放电电流（过载）
SS / TR放电电压
POWER- GOOD （ PWRGD PIN）
VSENSE落下（故障）
V
VSENSE
VSENSE门槛
VSENSE上升（好）
VSENSE上升（故障）
VSENSE下降（好）
迟滞
输出高漏
抗性
最小输入电压VIN的输出定义
VSENSE下降
VSENSE = VREF ，V （ PWRGD ） = 5.5 V ，
T
J
= 25°C
我（ PWRGD ） = 3毫安， VSENSE < 0.79 V
V（ PWRGD ） < 0.5 V ， II （ PWRGD ） = 100
μA
92
94
109
107
2
10
50
0.95
1.5
nA
V
%
V
SS / TR
= 0.4 V
V
SS / TR
= 0.4 V
98 ％的名义
VSENSE = 0 V ，V （ SS / TR ） = 0.4 V
VSENSE = 0 V
2
45
1
112
54
μA
mV
V
μA
mV
VIN = 12 V
VIN = 12 V
测量在500 kHz的RT电阻串联
测量频率为500 kHz
0.45
VIN = 12 V
VIN = 12 V ，R
T
= 200 k
VIN = 12 V
100
450
300
40
1.9
0.7
60
100
2.2
581
2500
720
2200
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
ns
μs
测试条件
民
典型值
最大
单位
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5
QQ：2880707522 复制
