典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
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TPS54880
SLVS450A
2002年10月修订2005年4月
4 V至6 V的输入， 8 -A输出跟踪同步降压
具有集成FET （ SWIFT ）进行测序PWM SWITCHER
特点
D
上电/断电跟踪测序
D
30毫欧， 12 - A峰值MOSFET开关高
D
D
D
D
效率在8 -A的连续输出源
或灌电流
宽PWM频率：
固定的350 kHz或可调280 kHz至
700千赫
电源良好和启用
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员，
该TPS54880低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。使用TRACKIN销
与其他监管机构，同时上电和断电
很容易实现的。包括在衬底上
在列出的功能是一个真正的，高性能，电压
误差放大器，实现最佳的性能和
在选择输出滤波器L和C的灵活性
成分;欠电压锁定电路
防止启动直到输入电压达到3.8 V ;一
在内部或外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位。
该TPS54880是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT设计者软件工具来辅助
在迅速实现高性能电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压，高密度分布式电源
D
D
系统
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器需要测序
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VO
输出电压
1
V / DIV
I / O电源
输入
核心供电
STARTUP时序
V
I
= 5 V
f
s
= 700千赫
I / O
CORE
VIN
PH
TPS54880
BOOT
TRACKIN保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
PWRGD （ I / O）
PWRGD （ CORE）
t
时间
500
微秒/格
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002
2005年，德州仪器
电源良好
5 V / DIV
TPS54880
SLVS450A
2002年10月修订2005年4月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
40°C
至85℃
(1)
(2)
输出电压
0.9 V至3.3 V
包
塑料HTSSOP
（ PWP ）
(1)(2)
产品型号
TPS54880PWP
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者参阅TI的网站
www.ti.com 。
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54880PWPR ） 。看到的应用程序部分
此数据表使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS54880
VIN ， ENA
输入电压范围V
I
范围内，
RT
VSENSE ， TRACKIN
BOOT
输出电压范围V
O
范围内，
源电流我
O
目前，
VBIAS ， COMP ， PWRGD
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流，我
S
电压差动
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
0.3
V至7 V
0.3
V至6 V
0.3
V到4V
0.3
V到17 V
0.3
V至7 V
0.6
V到10 V
内部限制
6毫安
12 A
6毫安
10毫安
±0.3
V
40°C
至125℃
65°C
至150℃
300°C
COMP
ENA ， PWRGD
AGND至PGND
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压V
I
工作结温，T
J
4
40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
耗散额定值
(1)(2)
包
28引脚PWP焊锡
28引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
18.2
° C / W
40.5
° C / W
T
A
= 25°C
额定功率
5.49 W
(3)
2.48 W
T
A
= 70°C
额定功率
3.02 W
1.36 W
T
A
= 85°C
额定功率
2.20 W
0.99 W
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
1. 3 “×3” ， 4层，厚度： 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 0.5盎司在2层内部的铜接地层
5. 12散热通孔（参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” ）
(3)
最大功率耗散可过电流保护限制的。
2
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
参数
电源电压VIN
输入电压范围， VIN
f
s
= 350 kHz时， RT开放，
PH引脚开路
f
s
= 500 kHz时， RT = 100 kΩ的， PH引脚开路
关机， ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
累计参考
V
REF
准确性
I
L
= 3 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 3 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 6 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 6 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
RT开放
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
外部设置的自由运行频率范围
放
斜坡谷
(1)
斜坡幅度
（峰 - 峰值）
(1)
90%
最小可控时间
(1)
最大占空比
(1)
(2)
(2)
测试条件
民
4.0
典型值
最大
6.0
单位
V
11
16
1
3.8
3.4
0.14
3.5
0.16
2.5
15.8
23.5
1.4
3.85
V
V
V
s
2.90
100
V
A
V
mA
I
(Q)
静态电流
UVLO
(1)
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
0.882
0.891
0.900
0.04
0.04
0.03
0.03
规
线路调整
(1)(3)
负载调整率
(1)(3)
振荡器
内部设置自由运行频率
280
252
460
663
350
280
500
700
0.75
1
200
420
308
540
762
V
V
ns
千赫
千赫
%/V
%/A
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
3
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
启用
启用阈值电压， ENA
启用滞后电压， ENA
下降沿抗尖峰脉冲， ENA
(1)
漏电流， ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后
电压
(1)
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 4.5 V输出短路
(1)
V
I
= 6 V
输出短路
(1)
9
10
1
12
100
200
135
150
10
V
I
= 6 V
(4)
V
I
= 4.5 V
(4)
V
SENSE
= TRACKIN = 1.25 V
见注1
1.5
0
26
30
47
60
1.5
V
REF
165
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
(1)
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
C
吨李毅吧T I
余吨
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
(1)
热关断迟滞
(1)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
m
°C
°C
A
ns
ns
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.3
1
%V
REF
%V
REF
s
V
A
V
I
= 5.5 V
0.82
1.20
0.03
2.5
1
1.40
V
V
s
A
10 mV过
(1)
70
85
ns
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(1)
本站由内部LDO
(1)
VSENSE = V
REF
1.0
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
TRACKIN
输入失调， TRACKIN
输入电压范围， TRACKIN
(1)
(2)
mV
V
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
(4)
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
生产测试，高侧R
DS （ ON）
按设计规定
4
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PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
ENA
TRACKIN
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
ENA
保护地
号
1
5
3
27
1519
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容， RT电阻。
连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
使能输入。逻辑高电平使振荡器， PWM控制和MOSFET驱动电路。逻辑低禁用操作和
设备放置在低静态电流的状态。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。
外部参考输入。高阻抗输入到内部基准/多路复用器和误差放大器电路。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
TRACKIN
VBIAS
VIN
614
4
28
26
25
2024
2
VSENSE
5
QQ：2880707522 复制
