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典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
www.ti.com
TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
3 V至6 V的输入, 6 -A输出跟踪同步降压
具有集成FET ( SWIFT )进行测序PWM SWITCHER
特点
D
上电/断电跟踪测序
D
30毫欧, 12 - A峰值MOSFET开关高
D
D
D
D
效率在6 -A的连续输出源
或灌电流
宽PWM频率:
固定的350 kHz或可调280 kHz至
700千赫
电源良好和启用
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员,
该TPS54680低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。使用TRACKIN销
与其他监管机构,同时上电和断电
很容易实现的。包括在衬底上
在列出的功能是一个真正的,高性能,电压
误差放大器,实现最佳的性能和
在选择输出滤波器L和C的灵活性
成分;欠电压锁定电路
防止启动直到输入电压达到3 V ;一
在内部或外部设置慢启动电路,以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位。
该TPS54680是采用热增强型
28引脚TSSOP ( PWP ) PowerPAD包,
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT设计者软件工具来辅助
在迅速实现高性能电源
设计,以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压,高密度分布式电源
D
D
系统
负载调整高点
高性能DSP , FPGA的ASIC和
微处理器需要测序
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VO - 输出电压-1 V / DIV
I / O电源
输入
VIN
PH
TPS54680
BOOT
核心供电
STARTUP时序
VI = 5 V
FS = 700千赫
I / O
CORE
TRACKIN保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
PWRGD ( I / O)
PWRGD ( CORE)
吨 - 时间 - 500
微秒/格
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002年,德州仪器
电源良好 - 5 V / DIV
TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
- 40 ° C至85°C
输出电压
0.9 V至3.3 V
塑料HTSSOP (PWP )(1)
产品型号
TPS54680PWP
( 1 ) PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(即, TPS54680PWPR ) 。看到的应用程序部分
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明( 1 )
TPS54680
VIN , ENA
RT
输入电压范围VI
范围内,
VSENSE , TRACKIN
BOOT
VBIAS , COMP , PWRGD
输出电压范围VO
范围内,
源电流IO
目前,
PH
PH
COMP , VBIAS
PH
灌电流, IS
电压差动
工作结温范围, TJ
存储温度, TSTG
COMP
ENA , PWRGD
AGND至PGND
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至4V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6
12
6
10
±0.3
-40至125
-65到150
mA
V
°C
°C
mA
A
V
V
单位
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
300
°C
( 1 )强调超越“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
输入电压VI
工作结温, TJ
3
–40
最大
6
125
单位
V
°C
耗散额定值
(1)(2)
28引脚PWP焊锡
28引脚PWP无焊料
热阻抗
结到环境
18.2
° C / W
40.5
° C / W
TA = 25°C
额定功率
5.49 W(3)
2.48 W
TA = 70℃
额定功率
3.02 W
1.36 W
TA = 85°C
额定功率
2.20 W
0.99 W
( 1 )有关PWP包的详细信息,请参见TI技术简介,文献数量SLMA002 。
(2)试验板的条件:
1. 3 “×3” , 4层,厚度: 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 0.5盎司在2层内部的铜接地层
5. 12散热通孔(参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” )
(3)最大功率耗散可通过过电流保护是有限的。
2
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TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
电气特性
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
参数
电源电压VIN
输入电压范围, VIN
FS = 350 kHz时, RT开放,
PH引脚开路
Ⅰ(Q )
静态电流
FS = 500 kHz时, RT = 100 kΩ的, PH引脚开路
关机, ENA = 0 V
3.0
11
16
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
我( VBIAS )= 0
2.70
2.80
2.90
100
0.882
IL = 3 A, FS = 350 kHz时, TJ = 85°C
IL = 3 A, FS = 550 kHz时, TJ = 85°C
IL = 0 6 A, FS = 350 kHz时, TJ = 85°C
IL = 0 6 A, FS = 550 kHz时, TJ = 85°C
RT开放
RT = 180 kΩ的( 1 %电阻AGND )
在外部自由设定运行频率范围
设置免费
斜坡谷( 1 )
斜坡幅度(峰 - 峰值)(1)
最小可控时间( 1 )
最大占空比
( 1 )指定设计
只有( 2 )静态电阻负载
(3 )规定的由图9中所用的电路
90%
RT = 100 kΩ的( 1 %电阻AGND )
RT = 68 kΩ的( 1 %电阻AGND )
280
252
460
663
350
280
500
700
0.75
1
200
0.891
0.900
0.04
0.04
0.03
0.03
420
308
540
762
V
V
ns
千赫
6.0
15.8
23.5
1.4
3.0
V
V
V
s
V
A
V
mA
V
测试条件
典型值
最大
单位
欠压锁定
启动阈值电压时, UVLO
断阈值电压时, UVLO
滞后电压, UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲, UVLO ( 1 )
偏压
输出电压, VBIAS
输出电流, VBIAS ( 2 )
累计参考
VREF
准确性
线路调整
Lineregulation(1)(3)
负载调整率
Loadregulation(1)(3)
振荡器
内部设置自由运行频率
千赫
%/V
%/A
3
TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
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电气特性(续)
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流, VSENSE
输出电压转换速率(对称) , COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间,
PWM比较器输入PH引脚(不包括
死区时间)
启用
启用阈值电压, ENA
启用滞后电压, ENA
下降沿抗尖峰脉冲, ENA ( 1 )
漏电流, ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压( 1 )
电源良好下降沿抗尖峰脉冲( 1 )
输出饱和电压, PWRGD
漏电流, PWRGD
电流限制
目前李毅吧T I点
C
吨极限之旅I T
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点( 1 )
热关断迟滞( 1 )
输出功率MOSFET
RDS ( ON)
功率MOSFET开关
VI = 6 V ( 4 )
VI = 3 V ( 4 )
VSENSE = TRACKIN = 1.25 V
见注1
–1.5
0
26
36
47
65
1.5
VREF
m
135
150
10
165
°C
°C
VI = 3 V输出短路( 1 )
VI = 6 V输出短路( 1 )
7.2
10
10
12
100
200
A
ns
ns
我(汇) = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.3
1
VREF %
VREF %
s
V
A
VI = 5.5 V
0.82
1.20
0.03
2.5
1
1.40
V
V
s
A
10 mV过( 1 )
70
85
ns
1 kΩ的COMP和AGND ( 1 )
平行的10kΩ , 160 pF的COMP到AGND ( 1 )
本站由内部LDO ( 1 )
VSENSE = VREF
1.0
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
典型值
最大
单位
TRACKIN
输入失调, TRACKIN
输入电压范围, TRACKIN
mV
V
( 1 )指定设计
只有( 2 )静态电阻负载
(3 )规定的由图9中所用的电路
( 4 )符合条件的MOSFET的低侧RDS(ON)生产测试,高侧RDS(ON)指定的设计
4
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TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
PWP封装
( TOP VIEW )
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
ENA
TRACKIN
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
ENA
保护地
1
5
3
27
15–19
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器,软启动电容, VBIAS电容, RT电阻。
连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
使能输入。逻辑高电平使振荡器, PWM控制和MOSFET驱动电路。逻辑低禁用操作和
设备放置在低静态电流的状态。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复,和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
90% Vref时,否则PWRGD低。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。
外部参考输入。高阻抗输入到内部基准/多路复用器和误差放大器电路。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量,低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装,高品质,低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
TRACKIN
VBIAS
VIN
VSENSE
6–14
4
28
26
25
20–24
2
5
典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
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TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
3 V至6 V的输入, 6 -A输出跟踪同步降压
具有集成FET ( SWIFT )进行测序PWM SWITCHER
特点
D
上电/断电跟踪测序
D
30毫欧, 12 - A峰值MOSFET开关高
D
D
D
D
效率在6 -A的连续输出源
或灌电流
宽PWM频率:
固定的350 kHz或可调280 kHz至
700千赫
电源良好和启用
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员,
该TPS54680低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。使用TRACKIN销
与其他监管机构,同时上电和断电
很容易实现的。包括在衬底上
在列出的功能是一个真正的,高性能,电压
误差放大器,实现最佳的性能和
在选择输出滤波器L和C的灵活性
成分;欠电压锁定电路
防止启动直到输入电压达到3 V ;一
在内部或外部设置慢启动电路,以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位。
该TPS54680是采用热增强型
28引脚TSSOP ( PWP ) PowerPAD包,
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT设计者软件工具来辅助
在迅速实现高性能电源
设计,以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压,高密度分布式电源
D
D
系统
负载调整高点
高性能DSP , FPGA的ASIC和
微处理器需要测序
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VO - 输出电压-1 V / DIV
I / O电源
输入
VIN
PH
TPS54680
BOOT
核心供电
STARTUP时序
VI = 5 V
FS = 700千赫
I / O
CORE
TRACKIN保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
PWRGD ( I / O)
PWRGD ( CORE)
吨 - 时间 - 500
微秒/格
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002年,德州仪器
电源良好 - 5 V / DIV
TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
- 40 ° C至85°C
输出电压
0.9 V至3.3 V
塑料HTSSOP (PWP )(1)
产品型号
TPS54680PWP
( 1 ) PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(即, TPS54680PWPR ) 。看到的应用程序部分
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明( 1 )
TPS54680
VIN , ENA
RT
输入电压范围VI
范围内,
VSENSE , TRACKIN
BOOT
VBIAS , COMP , PWRGD
输出电压范围VO
范围内,
源电流IO
目前,
PH
PH
COMP , VBIAS
PH
灌电流, IS
电压差动
工作结温范围, TJ
存储温度, TSTG
COMP
ENA , PWRGD
AGND至PGND
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至4V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6
12
6
10
±0.3
-40至125
-65到150
mA
V
°C
°C
mA
A
V
V
单位
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
300
°C
( 1 )强调超越“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
输入电压VI
工作结温, TJ
3
–40
最大
6
125
单位
V
°C
耗散额定值
(1)(2)
28引脚PWP焊锡
28引脚PWP无焊料
热阻抗
结到环境
18.2
° C / W
40.5
° C / W
TA = 25°C
额定功率
5.49 W(3)
2.48 W
TA = 70℃
额定功率
3.02 W
1.36 W
TA = 85°C
额定功率
2.20 W
0.99 W
( 1 )有关PWP包的详细信息,请参见TI技术简介,文献数量SLMA002 。
(2)试验板的条件:
1. 3 “×3” , 4层,厚度: 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 0.5盎司在2层内部的铜接地层
5. 12散热通孔(参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” )
(3)最大功率耗散可通过过电流保护是有限的。
2
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
参数
电源电压VIN
输入电压范围, VIN
FS = 350 kHz时, RT开放,
PH引脚开路
Ⅰ(Q )
静态电流
FS = 500 kHz时, RT = 100 kΩ的, PH引脚开路
关机, ENA = 0 V
3.0
11
16
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
我( VBIAS )= 0
2.70
2.80
2.90
100
0.882
IL = 3 A, FS = 350 kHz时, TJ = 85°C
IL = 3 A, FS = 550 kHz时, TJ = 85°C
IL = 0 6 A, FS = 350 kHz时, TJ = 85°C
IL = 0 6 A, FS = 550 kHz时, TJ = 85°C
RT开放
RT = 180 kΩ的( 1 %电阻AGND )
在外部自由设定运行频率范围
设置免费
斜坡谷( 1 )
斜坡幅度(峰 - 峰值)(1)
最小可控时间( 1 )
最大占空比
( 1 )指定设计
只有( 2 )静态电阻负载
(3 )规定的由图9中所用的电路
90%
RT = 100 kΩ的( 1 %电阻AGND )
RT = 68 kΩ的( 1 %电阻AGND )
280
252
460
663
350
280
500
700
0.75
1
200
0.891
0.900
0.04
0.04
0.03
0.03
420
308
540
762
V
V
ns
千赫
6.0
15.8
23.5
1.4
3.0
V
V
V
s
V
A
V
mA
V
测试条件
典型值
最大
单位
欠压锁定
启动阈值电压时, UVLO
断阈值电压时, UVLO
滞后电压, UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲, UVLO ( 1 )
偏压
输出电压, VBIAS
输出电流, VBIAS ( 2 )
累计参考
VREF
准确性
线路调整
Lineregulation(1)(3)
负载调整率
Loadregulation(1)(3)
振荡器
内部设置自由运行频率
千赫
%/V
%/A
3
TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
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电气特性(续)
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流, VSENSE
输出电压转换速率(对称) , COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间,
PWM比较器输入PH引脚(不包括
死区时间)
启用
启用阈值电压, ENA
启用滞后电压, ENA
下降沿抗尖峰脉冲, ENA ( 1 )
漏电流, ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压( 1 )
电源良好下降沿抗尖峰脉冲( 1 )
输出饱和电压, PWRGD
漏电流, PWRGD
电流限制
目前李毅吧T I点
C
吨极限之旅I T
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点( 1 )
热关断迟滞( 1 )
输出功率MOSFET
RDS ( ON)
功率MOSFET开关
VI = 6 V ( 4 )
VI = 3 V ( 4 )
VSENSE = TRACKIN = 1.25 V
见注1
–1.5
0
26
36
47
65
1.5
VREF
m
135
150
10
165
°C
°C
VI = 3 V输出短路( 1 )
VI = 6 V输出短路( 1 )
7.2
10
10
12
100
200
A
ns
ns
我(汇) = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.3
1
VREF %
VREF %
s
V
A
VI = 5.5 V
0.82
1.20
0.03
2.5
1
1.40
V
V
s
A
10 mV过( 1 )
70
85
ns
1 kΩ的COMP和AGND ( 1 )
平行的10kΩ , 160 pF的COMP到AGND ( 1 )
本站由内部LDO ( 1 )
VSENSE = VREF
1.0
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
典型值
最大
单位
TRACKIN
输入失调, TRACKIN
输入电压范围, TRACKIN
mV
V
( 1 )指定设计
只有( 2 )静态电阻负载
(3 )规定的由图9中所用的电路
( 4 )符合条件的MOSFET的低侧RDS(ON)生产测试,高侧RDS(ON)指定的设计
4
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TPS54680
SLVS429 - 2002年10月
PWP封装
( TOP VIEW )
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
ENA
TRACKIN
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
ENA
保护地
1
5
3
27
15–19
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器,软启动电容, VBIAS电容, RT电阻。
连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
使能输入。逻辑高电平使振荡器, PWM控制和MOSFET驱动电路。逻辑低禁用操作和
设备放置在低静态电流的状态。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复,和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
90% Vref时,否则PWRGD低。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。
外部参考输入。高阻抗输入到内部基准/多路复用器和误差放大器电路。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量,低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装,高品质,低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
TRACKIN
VBIAS
VIN
VSENSE
6–14
4
28
26
25
20–24
2
5
选购指南
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
SWIFT转换器产品组合
SWIFT产品
部分
V
IN
(V)
V
OUT
(V)
I
OUT
(A)
I
q
(典型值)
(MA )
开关频率
固定
(千赫)
500
-
500
500
500
可调整的
(千赫)
-
300 2500
-
-
-
特点
宽输入电压,非同步降压
TPS5410
TPS54160
TPS5420
TPS5430
TPS5450
5.5 36
3.5 60
5.5 36
5.5 36
5.5 36
1.23 31
0.8 57
1.23 31
1.23 31
1.22 31
1
1.5
2
3
5
3
0.116
3
3
3
8SOIC
EN ,诠释。比较。
TM , PG , EN ,软启动,欠压锁定, RT ,
10MSOP,
TRACKIN , CLK ,分机。照例,
PowerPAD
Eco模式
8SOIC
EN ,诠释。比较。
8SO
EN ,诠释。比较。
PowerPAD
8HSOIC
EN ,诠释。比较。
PowerPAD
PG , EN , SYNC , UVLO , LSG , RT ,
分机。照例, 180 °的相位差
PG , EN , SYNC , UVLO , LSG , RT ,
诠释。照例, 180 °的相位差
PG , EN ,软启动,同步, UVLO ,
LSG , RT ,诠释。照例,
180 °的相位差
EN ,软启动,欠压锁定,分机。照例,
Eco模式
EN ,软启动,欠压锁定,分机。照例,
Eco模式
EN1 , EN2 , ILIM2 , SEQ ,诠释。比较。
EN1 , EN2 , ILIM2 , SEQ ,诠释。比较。
EN1 , EN2 , ILIM2 , SEQ ,诠释。比较。
EN1 , EN2 , ILIM2 , SEQ ,诠释。比较。
EN1 , EN2 , ILIM2 , SEQ ,分机。
比较。
EN1 , EN2 , ILIM2 , SEQ ,分机。
比较。
中秋节输入电压同步降压
TPS54350
TPS5435x
4.5 20的
4.5 20的
0.9 12
1.2, 1.5,
1.8, 2.5,
3.3, 5.0
0.9 12
3
3
9
9
250, 500
250, 500
250 700
250 700
16HTSSOP
16HTSSOP
TPS54550
4.5 20的
6
9
250, 500
250 700
16HTSSOP
中秋节输入电压,非同步降压
TPS54231
TPS54331
3.5 28
3.5 28
0.8 25
0.8 25
2
3
0.11
0.11
570
570
-
-
8SOIC
8SOIC
中秋节输入电压,双通道,非同步降压
TPS54283
TPS54286
TPS54383
TPS54386
TPS55383
TPS55386
4.528
4.528
4.528
4.528
4.528
4.528
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
2/2
2/2
3/3
3/3
3/3
3/3
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
300
600
300
600
300
600
-
-
-
-
-
-
14HTSSOP
14HTSSOP
14HTSSOP
14HTSSOP
16HTSSOP
16HTSSOP
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
提交文档反馈
SWIFT转换器产品组合
1
www.ti.com
SWIFT产品(续)
部分
V
IN
(V)
V
OUT
(V)
I
OUT
(A)
I
q
(典型值)
(MA )
开关频率
固定
(千赫)
可调整的
(千赫)
特点
低输入电压同步降压
TPS54110
TPS54310
TPS5431x
TPS54317
TPS54610
TPS5461x
TPS54810
TPS54910
TPS54010
3至6
3至6
3至6
3至6
3至6
3至6
46
3至4个
2.2到4
0.9 4.5
0.9 3.3
0.9, 1.2,
1.8, 2.5,
3.3
0.9 3.3
0.9 4.5
0.9, 1.2,
1.8, 2.5,
3.3
0.9 3.3
0.9 2.5
0.9 2.5
1.5
3
3
3
6
6
8
9
14
4.2
6.2
6.2
6.2
11
11
11
11
13
350, 550
350, 550
350, 550
-
350, 550
350, 550
350, 550
350, 550
350, 550
280 700
280 700
280 700
280 1600
280 700
280 700
280 700
280 700
280 700
20HTSSOP
20HTSSOP
20HTSSOP
24QFN
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
PG , EN ,软启动,同步, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,软启动,同步, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,软启动,同步, RT ,
诠释。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,软启动, RT ,诠释。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分离轨,分机。比较。
PG , EN , RT , REFIN ,分机。比较。
PG , EN , RT , REFIN ,分机。比较。
PG , EN , RT , REFIN ,分机。比较。
PG , EN , RT , REFIN ,分机。比较。
DDR内存(有源总线终端) ,同步降压
TPS54372
TPS54672
TPS54872
TPS54972
3至6
3至6
46
3至4个
为0.2 4.5
为0.2 4.5
0.2 3.3
为0.2 2.5
3
6
8
9
6.2
11
11
11
350
350
350
350
280 700
280 700
280 700
280 700
20HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
20HTSSOP
2
SWIFT转换器产品组合
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
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www.ti.com
SWIFT产品(续)
部分
V
IN
(V)
V
OUT
(V)
I
OUT
(A)
I
q
(典型值)
(MA )
开关频率
固定
(千赫)
可调整的
(千赫)
特点
测序,同步降压
TPS54380
TPS54680
TPS54880
TPS54980
3至6
3至6
46
3至4个
0.9 4.5
0.9 4.5
0.9 3.3
0.9 2.5
3
6
8
9
6.2
11
11
11
350
350
350
350
280 700
280 700
280 700
280 700
20HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
PG , EN , RT , TRACKIN ,
分机。比较。
PG , EN , RT , TRACKIN ,
分机。比较。
PG , EN , RT , TRACKIN ,
分机。比较。
PG , EN , RT , TRACKIN ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
PG , EN ,同步,软启动, RT ,
分机。比较。
预偏置,同步降压
TPS54073
TPS54373
TPS54377
TPS54673
TPS54873
TPS54973
2.2到4
3至6
3至6
3至6
46
3至4个
0.9 2.5
0.9 3.3
0.9 3.3
0.9 4.5
0.9 3.3
0.9 2.5
14
3
3
6
8
9
13
6.2
6.2
11
11
11
350, 550
350, 550
-
350, 550
350, 550
350, 550
280 700
280 700
280 1600
280 700
280 700
280 700
28HTSSOP
20HTSSOP
24QFN
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
词汇表
名字
PG电源良好引脚
EN使能引脚
SYNC同步控制器引脚
UVLO欠压锁定引脚
LSG栅极驱动低侧MOSFET
RT频率设置引脚
软启动调节慢启动
TRACKIN外部基准输入引脚同时排序
外部基准输入引脚有源总线终端
分离轨独立的电源和控制电压输入
限流门限调节引脚输出2只
SEQ配置输出启动模式引脚
分机。比较。外部补偿
诠释。比较。内部补偿
Eco模式高效率在轻负载
CLK引脚的时钟同步频率(内部PLL )
德网络nition
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
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SWIFT转换器产品组合
3
重要通知
德州仪器(TI)及其附属公司( TI)保留随时更正,修改,增强,改进的权利,
等改变其产品和服务在任何时间,停止任何产品或服务,恕不另行通知。客户应
在下订单前获得最新相关信息,并验证这些信息是否是最新的,完整的。所有产品均
出售须TI销售条款与在订单确认时所提供的条件。
其硬件产品的TI保证产品性能在销售按照与TI的标准时间规范
质保。测试及其它质量控制技术被用来程度TI认为有必要支持这项保证。除
政府要求的,否则没有必要对每种产品的所有参数进行测试。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户有责任为他们的产品和
使用TI组件的应用程序。为尽量减小与客户产品和应用相关的风险,客户应提供
充分的设计与操作安全措施。
TI不保证或表示任何许可,无论明示或暗示,在任何TI专利权,版权,屏蔽作品权授予,
或其他TI知识产权有关的任何组合,机器或过程,其中TI产品或服务的使用。信息
TI所第三方产品或服务,不能构成从TI获得使用这些产品或服务或授权刊登
保证或认可。使用此类信息可能需要获得第三方的专利权或其它知识产权的许可
第三方,或通过TI的专利权或TI的其它知识产权的许可的财产。
对于TI的数据手册或数据表TI的信息再现允许的,只要还原度没有改变,并伴随
相关授权,条件,限制和声明。这些信息与变更再现是一种不公平和欺骗性
商业行为。 TI是不负责或承担此类篡改过的文件。第三方的信息可能会受到额外的
限制。
TI的产品或服务,或超出TI针对产品或服务规定的参数声明不同的则会失去所有
快递及相关TI产品或服务的任何默示保证,是一种不公平和欺诈性商业行为。 TI是不
负责或承担任何此类陈述。
TI产品未被授权用于安全关键型应用(如生命支持)使用,其中TI产品的失败会合理
预计将造成严重的人身伤害或死亡,除非各方人员签订的协议具体管理
这样使用。购房者表示,他们有足够的能力在他们的应用程序的安全性和可能产生的后果,并
承认并同意,他们全权负责有关产品的所有法律,法规和安全相关要求
和任何使用TI产品在此类关键安全应用中,尽管任何应用相关信息或支持,可能是
由TI提供的。此外,购买者必须全额赔偿TI及其代理人因在使用TI产品的任何损失
这样的安全关键型应用程序。
TI产品并非设计或专门用于军事/航空应用,以及除非TI的产品环境中使用
由TI专门指定由TI指定的军用产品才满足军用军用级或"enhanced plastic."只产品
规格。购买者认可并同意,任何此类使用TI产品而TI未指定为军用级完全是在
买方的风险,他们全权负责遵守与此类使用相关的所有法律和法规要求。
TI产品并非设计或专门用于汽车应用以及环境中,除非特定的TI产品的使用
由TI指定为符合ISO / TS 16949的要求。购买者认可并同意,如果他们使用任何非指定的
产品在汽车应用中,TI将不承担任何未能满足这些要求。
以下是URL地址以获取有关其它TI产品和应用解决方案的信息:
制品
放大器器
数据转换器
DSP
时钟和计时器
接口
逻辑
电源管理
微控制器
RFID
RF / IF和ZigBee解决方案
amplifier.ti.com
dataconverter.ti.com
dsp.ti.com
www.ti.com/clocks
interface.ti.com
logic.ti.com
power.ti.com
microcontroller.ti.com
www.ti-rfid.com
www.ti.com/lprf
应用
音频
汽车
宽带
数字控制
军事
光网络
安全
电话
视频&影像
无线
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www.ti.com/automotive
www.ti.com/broadband
www.ti.com/digitalcontrol
www.ti.com/medical
www.ti.com/military
www.ti.com/opticalnetwork
www.ti.com/security
www.ti.com/telephony
www.ti.com/video
www.ti.com/wireless
邮寄地址:德州仪器,邮政信箱655303 ,达拉斯,德克萨斯州75265
2008 ,德州仪器
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    -
    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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TI
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联系人:刘经理
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TI/德州仪器
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
TPS54680
TI
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电话:400-15695632345
联系人:薛女士
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德州仪器
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