TISP61511D ， TISP61512P
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1995年7月 - 修订1997年9月
可编程SLIC过压保护
q
双电压可编程保护器。
- 宽0至-80 V编程范围
- 低5毫安最大。触发电流
- 高150毫安分钟。保持电流
额定国际浪涌波形
电压
波形
2/10 s
1.2/50 s
0.5/700 s
10/700 s
10/1000 s
标准
TR-NWT-001089
ETS 300 047-1
RLM88/I3124
K17, K20, K21
TR-NWT-001089
I
TSP
A
170
90
40
40
30
“ 61511D包装
（ TOP VIEW ）
（ TIP ）
K1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
K1 （ TIP）
A
A
（接地）
（接地）
（门）G
（环） K2
q
K2 （环）
MD6XAL
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
“ 61512P包装
（ TOP VIEW ）
（ TIP ）
K1
1
2
3
4
8
7
6
5
K1 （ TIP）
A
A
（接地）
（接地）
q
功能性替代品
设备类型
LCP1511,
LCP1511D,
ATTL7591AS,
MGSS150-1
LCP1512,
LCP1512D,
ATTL7591AB,
MGSS150-2
8引脚塑料DIP
TISP61512P
8引脚小外形
套餐类型
实用
更换
TISP61511D
或命令
TISP61511DR
对于录音和缠绕
（门）G
NC
（环） K2
K2 （环）
MD6XAJ
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
设备符号
K1
G
K2
描述
该TISP61511D和TISP61512P是双
向前进行缓冲P-过压门
保护者。他们的目的是保护
单片式用户线路接口电路，
SLIC组件，对在电话中过电压
雷电引起的线，交流电源接触
感应。该TISP61511D和TISP61512P
超出该SLIC供电轨限制电压
电压。
A
SD6XAE
端子K1，K2和甲对应的替代
T， R和G或A，B和C线代号
负的保护电压由电压控制，
V
GG,
适用于G终端。
在SLIC线驱动部分通常是有源
从0V （接地）和一个负电压为-10伏区域至-70 V的保护器的栅极连接到
这种负电源。此引用该保护（削波）的电压到负电源电压。作为
保护电压将跟踪负电源电压的SLIC的过压应力最小化。
正的过电压是由二极管正向导通剪切到地面。负过电压最初
限幅接近在SLIC负电源轨的值。如果有足够的电流可从过压，然后
该保护器将撬棍成通态电压低的情况。由于目前平息高控股
撬棍电流防止直流闭锁。
这些单芯片保护装置制作离子注入平面垂直权力结构的高
可靠性和系统正常运行他们几乎是透明的。该缓冲门设计减少了
期间所造成的权力交叉和感应过电压加载的SLIC供应。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TISP61511D ， TISP61512P
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1995年7月 - 修订1997年9月
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压，I
G
= 0, -40°C
≤
T
J
≤
85°C
重复峰值门极 - 阴极电压，V
KA
= 0, -40°C
≤
T
J
≤
85°C
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
10/1000 s
5/310 s
0.2/310 s
1/20 s
2/10 s
非重复性峰值通态电流， 50赫兹（见注1和2 ）
全正弦波， 20毫秒
1s
非重复性峰值栅极电流，半正弦波， 10毫秒（见注1和2 ）
结温
存储温度范围
I
GSM
T
J
T
英镑
I
TSM
5
3.5
2
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
A
T
J
= -40°C
T
J
= 25, 85°C
I
TSP
30
40
40
90
120
170
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-100
-85
单位
V
V
注： 1，最初的保护必须是热平衡与-40°C
≤
T
J
≤
85 ℃，除非另有规定。电涌可能
该设备返回到其初始条件后可重复。见脉冲发生器的细节的应用程序部分。
2.额定电流值可被应用于任一所述的RG或TG终端对。此外，这两个终端对可能有其
额定电流值同时施加（在这种情况下对G端子的电流将是一个单独的额定电流值的两倍
终端对） 。超过85° C，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
推荐工作条件
民
C
G
门去耦电容
典型值
220
最大
单位
nF
电特性，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
D
V
（BO）
V
GK （ BO ）
FF-态电流
击穿电压
栅极 - 阴极电压
在导通
通态电压
正向电压
峰值正向恢复
电压
保持电流
门反向电流
门极触发电流
门极触发电压
V
D
= -85 V, V
GK
= 0 V
测试条件
T
J
= 25°C
T
J
= 70°C
民
典型值
最大
5
50
-58
10
20
25
3
4
3
5
5
7
12
150
T
J
= 25°C
T
J
= 70°C
0.2
5
50
5
2.5
mA
A
A
mA
V
V
V
V
V
单位
A
A
V
I
T
= 30 A， 10/1000微秒， 1千伏，R
S
= 33
,
的di / dt
(i)
= 8 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 30 A， 10/700微秒， 1.5千伏，R
S
= 10
,
的di / dt
(i)
= 14 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 30 A ， 1.2 / 50微秒， 1.5千伏，R
S
= 10
,
的di / dt
(i)
= 70 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 38 A， 2/10微秒， 2.5千伏，R
S
= 61
,
的di / dt
(i)
= 40 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 0.5 A，T
w
= 500 s
I
T
= 3 A，T
w
= 500 s
I
F
= 5 A，T
w
= 500 s
I
F
= 30 A， 10/1000微秒， 1千伏，R
S
= 33
,
的di / dt
(i)
= 8 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 30 A， 10/700微秒， 1.5千伏，R
S
= 10
,
的di / dt
(i)
= 14 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 30 A ， 1.2 / 50微秒， 1.5千伏，R
S
= 10
,
的di / dt
(i)
= 70 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 38 A， 2/10微秒， 2.5千伏，R
S
= 61
,
的di / dt
(i)
= 40 A / μs的（见注3 ）
I
T
= 1 A， di / dt的= -1A / MS ，V
GG
= -48 V
V
GG
= -75连接V ，K和A端
I
T
= 3 A，T
P（ G）
≥
20微秒，V
GG
= -48 V
I
T
= 3 A，T
P（ G）
≥
20微秒，V
GG
= -48 V
V
T
V
F
V
FRM
I
H
I
气
I
GT
V
GT
记
3 ：所有的测试都
G
= 220 nF的和V
GG
= -48 V.
S
是脉冲发生器的输出和之间的限流电阻
第r或T端子。见脉冲发生器的细节的应用程序部分。
产品
信息
2
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双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1995年7月 - 修订1997年9月
电特性，T
J
= 25 ℃（除非另有说明） （续）
参数
C
AK
阳极 - 阴极摘
态电容
测试条件
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0 ， （见注4 ）
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
民
典型值
最大
100
50
单位
pF
pF
记
4 ：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
2
测试条件
P
合计
= 0.8 W，T
A
= 25°C
5厘米， FR4 PCB
包
P包
民
典型值
最大
170
125
单位
° C / W
参数测量信息
+i
I
FSP
(= |I
TSP
|)
我象限
前锋
传导
特征
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
GK （ BO ）
V
GG
V
D
I
D
-v
+v
I
（BO）
I
S
I
H
V
T
I
T
I
TSM
V
（BO）
V
S
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PM6XAAA
图1.电压 - 电流特性
产品
信息
3
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双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1995年7月 - 修订1997年9月
热信息
最大非经常性50 Hz电流
vs
当前时间
TI6LAA
I
真有效值
- 最大非经常50 Hz电流 - 一个
V
根
= 250 Vrms的
R
根
= 10150
10
TISP61512P
TISP61511D
1
0·1
1
10
100
1000
吨 - 当前时间 - S
图2中。
设备参数
一般
基于晶闸管过电压保护器，电信设备，后期开始流行
20世纪70年代。这些都是固定的电压触发导通器件，比喻为固态气体放电管。如
这是新形式的晶闸管，现有可控硅术语并不包括他们的特点。
这导致了基于应用程序的使用情况和设备特性的新术语的发明。最初，
有术语来描述相同的东西的品种繁多，但今天的项数减少
和稳定。
可编程的， （门） ，过电压保护器是比较新的，需要额外的参数
指定其操作。类似于固定电压保护器，引进这些设备造成
在术语的广泛多样性，以描述同一事物。为了帮助推广方面的理解和
他们的替代品，这部分具有替代性术语和参数定义用于此数据列表
表。在一般情况下，德州仪器的方法是使用相关的设备的内部结构而言，
而不是它的应用程序的使用为单个装置可以具有许多应用中使用的每个不同的
术语的电路连接。
另一种符号交叉参考指南
本指南旨在帮助替代符号，那些本数据表中所使用的翻译。作为
某些情况下，替代符号具有国际标准的无物质并且不被完全定义
发起人，用户必须确认标志等价。不承担任何责任将从利用这个假设
指导。
产品
信息
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可编程过电压保护
1995年7月 - 修订1997年9月
数据表替代
符号
I
TSP
I
D
I
R
I
RM
I
RG
V
R
V
RM
V
FP
V
SGL
V
门
V
G
V
DRM
V
GKM
V
GK
V
GK （ BO ）
V
K
C
AK
K1
K2
A
G
R
θ
JA
V
门
V
S
V
MLG
V
MGL
V
GL
V
DGL
V
LG
V
GND / LINE
C
关闭
TIP
环
GND
门
R
th
第（j-一）
最大电压LINE / GND
最大电压GATE / LINE
GATE /线电压
动态切换电压GATE / LINE
LINE / GND电压
关态电容LINE / GND
接线端
环形码头
接地端子
栅极端子
热阻，结到环境
GATE / GND电压
符号
I
PP
TISP61511D ， TISP61512P参数
非重复性峰值通态电流脉冲
FF-态电流
替代参数
峰值脉冲电流
反向漏电流LINE / GND
反向漏电流GATE / LINE
反向电压LINE / GND
峰值正向电压线/ GND
动态切换电压GND / LINE
门反向电流（ A和连通k端子）I
气
断态电压
峰值正向恢复电压
击穿电压
栅极电压（V
GG
在门的电源电压参考
在终端）
重复峰值断态电压
重复峰值门极 - 阴极电压
栅极 - 阴极电压
在导通时的栅极 - 阴极电压
阴极 - 阳极电压
阳极 - 阴极电容
阴极端子1
正极端子2
阳极端子
栅极端子
热阻，结到环境
V
D
V
FRM
V
（BO）
应用信息
电气特性
晶闸管过电压保护器的电特性强烈地依赖于结
温度T
J
。因此，一个特征值将取决于结温处的瞬间
测量。本数据手册中给出的值是测量在商业测试，它一般
最小化所引起的检测温度的上升。
应用电路
图3显示了一个典型的TISP6151xx SLIC卡的保护电路。进线线， R和T ，连接
经由串联过流保护继电器矩阵。可熔电阻，保险丝和正温度
系数（PTC）电阻器可用于过电流保护。电阻会降低准
从目前的两个TISP6151xx和环/保护器测试的浪涌发生器。该TISP7xxxF3
保护器具有相同的保护电压的任何终端对。本保护器用于当振铃发生器
配置也许地面或电池供电的。对于专用的地面支持振铃发生器，该
TISP3xxxF3提供更好的保护作为其跨线保护电压的两倍，电线接地价值。
继电器触点3a和3b通过TISP6151xx保护器连接线线连接到SLIC 。保护门
参考电压来自SLIC的负电源（V
BAT
） 。一个220 nF的电容门源高
栅电流脉冲引起的过快上涨的冲动。
产品
信息
5
QQ：2881677436 复制
