TPS5450
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SLVS757 - 2007年3月
5 -A ，宽输入范围，降压SWIFT 转换器
特点
宽输入电压范围： 5.5 V至36 V
截至5连续（ 6 - A峰值）输出
当前
高效率大于90 ％，启用由
110 mΩ的集成MOSFET开关
宽输出电压范围：可调低至
1.22 V ，1.5 ％的初始精度
内部补偿最大限度地减小外部
件数
固定的500 kHz开关频率小
滤镜尺寸
18
A
关闭电源电流
改进的线性调整率和瞬态
响应由输入电压前馈
系统由过电流限制保护，
过压保护和过热
关闭
-40 ° C至125°C的工作结
温度范围
可在小型耐热增强型8引脚
SOIC使用PowerPad 封装
对于SWIFT 文档，应用程序
笔记和设计软件，请参阅TI
网站：
www.ti.com/swift
应用
高密度负载点稳压器
液晶显示器，等离子体显示器
电池充电器
12 -V / 24 -V分布式电源系统
描述
由于SWIFT 系列DC中的一员/ DC
调节器，所述TPS5450是一个高输出的电流
PWM转换器集成了低电阻高
侧的N沟道MOSFET 。包括在衬底上
与上市的特点是高性能
电压误差放大器，实现了严格的电压
瞬态条件下调节精度;一
欠压锁定电路，以防止启动直到
输入电压达到5.5伏;内部设置
慢启动电路，以限制浪涌电流;和
电压前馈电路，以改善瞬态
反应。使用ENA引脚，关断电源
电流减少到18
A
典型的。其他特点
包括高电平有效使能，过流限制，
过压保护和热关断。对
降低设计复杂性和外部组件
算，在TPS5450反馈回路是内部
补偿。
该TPS5450装置处于热可
增强， 8引脚SOIC使用PowerPad 封装。 TI
提供评估板和软件工具，以帮助
在实现高性能的电源设计
为满足积极的设备开发周期。
EF网络效率与输出电流
100
简化的原理图
VIN
VOUT
VIN
PH
95
90
NC
NC
效率 - ％
BOOT
85
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
5
I
O
- 输出电流 - 一个
6
V
I
= 12 V,
V
O
= 5 V,
f
s
= 500 kHz时，
T
A
= 25°C
ENA VSENSE
GND
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2007- ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40_C到125_C
(1)
(2)
输入电压
5.5 V至36 V
输出电压
可调至1.22 V
包
(1)
耐热增强型SOIC （ DDA ）
(2)
产品型号
TPS5450DDA
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
多哈发展议程包也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即TPS5450DDAR ） 。请参阅应用章节
数据表使用PowerPad 绘图和布局的信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VIN
V
I
输入电压范围
BOOT
PH （稳态）
ENA
BOOT -PH
VSENSE
PH值（瞬时< 10纳秒）
I
O
I
LKG
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
源出电流
漏电流
经营虚拟结温范围
储存温度
PH
PH
(1) (2)
价值
-0.3 40
(3)
-0.3 50
-0.6至40
(3)
-0.3 7
10
-0.3 3
–1.2
内部限制
10
-40至150
-65到150
单位
V
A
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
接近绝对最大额定值为VIN引脚可能对PH引脚上的电压超过绝对最大额定值。
耗散额定值
(1) (2)
包
8引脚DDA （ 4层电路板焊锡）
(3)
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
30°C/W
(3)
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
额定功率在特定的环境温度T
A
应为125 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。最终PCB的热管理应努力保持结温达到或
低于125 ℃，以获得最佳性能和长期的可靠性。看
热计算
本数据表中的应用更加节
信息。
测试板条件：
一。 2英寸× 1.85中， 4层，厚度： 0.062英寸（ 1.57毫米）。
B 。 2盎司铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
c.
d.
2盎司铜地平面上的2个内部层。
4散热孔，在器件封装下使用PowerPad区域。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围
工作结温
5.5
–40
喃
最大
36
125
单位
V
°C
2
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电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 5.5 V - 36 V （除非另有说明）
参数
电源电压（ VIN引脚）
I
Q
静态电流
VSENSE = 2 V ，不切换，
PH引脚开路
关机， ENA = 0 V
欠压锁定（ UVLO ）
启动阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
参考电压
参考电压精度
振荡器
内部设置自由运行频率
最小可控时间
最大占空比
ENABLE （ ENA PIN）
启动阈值电压， ENA
停止阈值电压， ENA
滞后电压， ENA
内部慢启动时间（0 100％）
电流限制
电流限制
电流限制打嗝时间
热关断
热关断触发点
热关断迟滞
输出MOSFET
r
DS （ ON）
高侧功率MOSFET开关
VIN = 5.5 V
150
110
230
m
135
162
14
°C
°C
6.0
13
7.5
16
9.0
20
A
ms
6.6
0.5
450
8
10
1.3
V
V
mV
ms
87
400
500
150
89
600
200
千赫
ns
%
T
J
= 25°C
I
O
= 0 A – 5 A
1.202
1.196
1.221
1.221
1.239
1.245
V
5.3
330
5.5
V
mV
3
18
4.4
50
mA
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
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3
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引脚分配
DDA包装
（ TOP VIEW ）
BOOT
NC
NC
VSENSE
1
2
3
4
使用PowerPad
（引脚9 ）
8
7
6
5
PH
VIN
GND
ENA
终端功能
终奌站
名字
BOOT
NC
VSENSE
ENA
GND
VIN
PH
使用PowerPad
号
1
2, 3
4
5
6
7
8
9
没有内部连接。
反馈电压稳压器。连接到输出电压分压器。
开/关控制。低于0.5 V时，器件停止开关。浮针来使能。
地面上。连接到使用PowerPad 。
输入电源电压。旁路VIN引脚连接到GND引脚靠近器件封装具有高品质，低ESR的陶瓷
电容。
源高侧功率MOSFET的。连接到外部电感和二极管。
GND引脚必须连接到正常工作的裸露焊盘。
描述
升压电容为高侧FET的栅极驱动器。连接0.01
F
低ESR电容从BOOT引脚到引脚的PH值。
4
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