【TC55VEM316AXBN40,55暂定东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS524,288 - WO】,IC型号TC55VEM316AXBN55,TC55VEM316AXBN55 PDF资料,TC55VEM316AXBN55经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC55VEM316AXBN40,55

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

524,288 - WORD 16位全CMOS静态RAM

描述

该TC55VEM316AXBN是组织为524,288字由8,388,608位的静态随机存取存储器（ SRAM ）

16位。采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从一个单一的2.3操作

3.6 V电源。先进的电路技术，在工作电流同时提供高速和低功耗

3毫安/ MHz和40 ns的最小周期时间。 0.7它会自动放置在低功耗模式

A

待机

电流（在V

DD

=

3 V ，TA

=

25 ° C，典型值）时，芯片使能（ CE1 ）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。那里

三个控制输入。 CE1和CE2分别用于选择设备和用于数据保持控制，并输出

启用（ OE ）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（ LB ， UB ）提供了下限和上限字节访问。

该装置非常适合于各种微处理器系统的应用中高速，低功耗和电池

备份是必需的。并且，随着一个工作保证极端温度范围

40°

至85℃ ，在

TC55VEM316AXBN可以在表现出极端的温度条件下的环境中使用。该

TC55VEM316AXBN可在一个塑料48球BGA封装。

特点

低功耗

操作： 9毫瓦/兆赫（典型值）

2.3 3.6 V单电源电压

使用CE1和CE2关机功能

1.5 3.6 V数据保持电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

宽工作温度范围

40°

至85℃

待机电流（最大）：

3.6 V

3.0 V

10

A

5

A

访问次数：

TC55VEM316AXBN

40

存取时间

CE1

存取时间

55

55纳秒

30纳秒

40纳秒

25纳秒

CE2

OE

存取时间

包装：

P- TFBGA48-0811-0.75BZ （重量：

克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

48引脚BGA

1

A

B

LB

I/O9

2

OE

UB

引脚名称

3

A0

A3

A5

A17

OP

A14

A12

A9

4

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

5

A2

CE1

6

CE2

I/O1

I/O3

V

DD

V

SS

I/O7

I/O8

NC

A0~A18

CE1

， CE2

地址输入

芯片使能

读/写控制

OUTPUT ENABLE

数据字节控制

数据输入/输出

动力

地

无连接

选项

读/写

OE

C I / O10 I / O11

D

E

V

SS

V

DD

I/O12

I/O13

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

读/写

A11

磅，

UB

I/O1~I/O16

V

DD

GND

NC

OP *

F I / O15 I / O14

G I / O16

H

A18

NC

A8

*:

OP引脚必须开路或连接到GND 。

2002-07-23

1/14

TC55VEM316AXBN40,55

框图

CE

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A17

A18

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

V

DD

GND

存储单元阵列

4,096

×

128

×

16

(8,388,608)

行地址

卜FF器

行地址

注册

行地址

解码器

SENSE AMP

数据

产量

卜FF器

CE

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A16

数据

输入

卜FF器

列地址

解码器

列地址

注册

列地址

卜FF器

时钟

发电机

CE1

CE2

CE

LB

UB

读/写

OE

数据

产量

卜FF器

数据

输入

卜FF器

2002-07-23

2/14

TC55VEM316AXBN40,55

经营模式

模式

CE1

CE2

H

*

L

*

OE

读/写

H

L

H

*

LB

L

H

L

H

L

H

L

*

H

UB

I/O1~I/O8

产量

高-Z

产量

输入

高-Z

输入

高-Z

I/O9~I/O16

产量

高-Z

输入

高-Z

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDS

I

DDS

L

读

L

写

L

输出取消

L

H

待机

*

=不关心

H =逻辑高

L =逻辑低

L

*

H

*

L

H

L

H

L

H

*

H

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.3~4.2

0.3*~4.2

0.5~V

DD

+

0.5

0.6

260

55~125

40~85

单位

V

W

°C

*:

2.0

V电压为20ns的脉冲宽度测量时

DC推荐工作条件（

Ta

=

40℃至85℃

)

符号

V

DD

V

IH

V

IL

V

DH

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

V

DD

=

2.3 V~2.7 V

V

DD

=

2.7 V~3.6 V

民

2.3

2.0

2.2

0.3*

1.5

V

DD

×

0.24

3.6

V

典型值

最大

3.6

V

DD

+

0.3

单位

V

*:

2.0

V电压为20ns的脉冲宽度测量时

2002-07-23

3/14

TC55VEM316AXBN40,55

DC特性

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

2.3 3.6 V）

符号

I

IL

I

OH

I

OL

I

LO

参数

输入漏

当前

输出低电流

输出漏

当前

V

IN

=

0 V~V

DD

测试条件

民

0.5

2.1

民

1

s

t

周期

民

1

s

典型值

最大单位

±1.0

35

mA

8

30

mA

3

1

10

2

5

A

mA

A

mA

A

输出大电流V

OH

=

V

DD

0.5 V

V

OL

=

0.4 V

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

或LB

=

UB

=

V

IH

or

读/写

=

V

IL

or

OE

=

V

IH

, V

OUT

=

0 V~V

DD

CE1

=

V

IL

和CE2

=

V

IH

和

读/写

=

V

IH

，磅

=

UB

=

V

IL

,

I

OUT

=

0毫安

其他输入

=

V

IH

/V

IL

0.7

I

DDO1

工作电流

I

DDO2

CE1

=

0.2 V和CE2

=

V

DD

0.2 V和

读/写

=

V

DD

0.2 V ， LB

=

UB

=

0.2 V,

I

OUT

=

0毫安

其他输入

=

V

DD

0.2 V/0.2 V

I

DDS1

1)

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

2 ） LB

=

UB

=

V

IH

V

DD

=

Ta

= 40~85°C

1)

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

0.2 V 3.3V± 0.3 V

2 ） CE2

=

0.2 V

Ta

=

25°C

待机电流

I

DDS2

3)

LB

=

UB

=

V

DD

0.2 V,

V

DD

=3.0

V的Ta

= 40~40°C

CE1

=

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

Ta

= 40~85°C

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

测试条件

最大

10

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-07-23

4/14

TC55VEM316AXBN40,55

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

2.7至3.6 V ）

读周期

TC55VEM316AXBN

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO1

t

CO2

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

40

5

0

5

10

40

最大

40

25

40

20

民

55

5

0

5

10

55

最大

55

30

55

25

ns

单位

交流特性和操作条件

写周期

TC55VEM316AXBN

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

注意：

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

40

30

35

0

20

0

40

最大

20

民

55

40

45

0

25

0

55

最大

25

ns

单位

t

OD

, t

ODO

, t

BD

和T

ODW

中时的输出变成高阻抗的时间被指定，并且根据所判断出没有

的输出电压电平。

2002-07-23

5/14

TC55VEM316AXBN40,55

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

524,288 - WORD 16位全CMOS静态RAM

描述

该TC55VEM316AXBN是组织为524,288字由8,388,608位的静态随机存取存储器（ SRAM ）

16位。采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从一个单一的2.3操作

3.6 V电源。先进的电路技术，在工作电流同时提供高速和低功耗

3毫安/ MHz和40 ns的最小周期时间。 0.7它会自动放置在低功耗模式

A

待机

电流（在V

DD

=

3 V ，TA

=

25 ° C，典型值）时，芯片使能（ CE1 ）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。那里

三个控制输入。 CE1和CE2分别用于选择设备和用于数据保持控制，并输出

启用（ OE ）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（ LB ， UB ）提供了下限和上限字节访问。

该装置非常适合于各种微处理器系统的应用中高速，低功耗和电池

备份是必需的。并且，随着一个工作保证极端温度范围

40°

至85℃ ，在

TC55VEM316AXBN可以在表现出极端的温度条件下的环境中使用。该

TC55VEM316AXBN可在一个塑料48球BGA封装。

特点

低功耗

操作： 9毫瓦/兆赫（典型值）

2.3 3.6 V单电源电压

使用CE1和CE2关机功能

1.5 3.6 V数据保持电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

宽工作温度范围

40°

至85℃

待机电流（最大）：

3.6 V

3.0 V

10

A

5

A

访问次数：

TC55VEM316AXBN

40

存取时间

CE1

存取时间

55

55纳秒

30纳秒

40纳秒

25纳秒

CE2

OE

存取时间

包装：

P- TFBGA48-0811-0.75BZ （重量：

克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

48引脚BGA

1

A

B

LB

I/O9

2

OE

UB

引脚名称

3

A0

A3

A5

A17

OP

A14

A12

A9

4

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

5

A2

CE1

6

CE2

I/O1

I/O3

V

DD

V

SS

I/O7

I/O8

NC

A0~A18

CE1

， CE2

地址输入

芯片使能

读/写控制

OUTPUT ENABLE

数据字节控制

数据输入/输出

动力

地

无连接

选项

读/写

OE

C I / O10 I / O11

D

E

V

SS

V

DD

I/O12

I/O13

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

读/写

A11

磅，

UB

I/O1~I/O16

V

DD

GND

NC

OP *

F I / O15 I / O14

G I / O16

H

A18

NC

A8

*:

OP引脚必须开路或连接到GND 。

2002-07-23

1/14

TC55VEM316AXBN40,55

框图

CE

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A17

A18

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

V

DD

GND

存储单元阵列

4,096

×

128

×

16

(8,388,608)

行地址

卜FF器

行地址

注册

行地址

解码器

SENSE AMP

数据

产量

卜FF器

CE

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A16

数据

输入

卜FF器

列地址

解码器

列地址

注册

列地址

卜FF器

时钟

发电机

CE1

CE2

CE

LB

UB

读/写

OE

数据

产量

卜FF器

数据

输入

卜FF器

2002-07-23

2/14

TC55VEM316AXBN40,55

经营模式

模式

CE1

CE2

H

*

L

*

OE

读/写

H

L

H

*

LB

L

H

L

H

L

H

L

*

H

UB

I/O1~I/O8

产量

高-Z

产量

输入

高-Z

输入

高-Z

I/O9~I/O16

产量

高-Z

输入

高-Z

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDS

I

DDS

L

读

L

写

L

输出取消

L

H

待机

*

=不关心

H =逻辑高

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L

*

H

*

L

H

L

H

L

H

*

H

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.3~4.2

0.3*~4.2

0.5~V

DD

+

0.5

0.6

260

55~125

40~85

单位

V

W

°C

*:

2.0

V电压为20ns的脉冲宽度测量时

DC推荐工作条件（

Ta

=

40℃至85℃

)

符号

V

DD

V

IH

V

IL

V

DH

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

V

DD

=

2.3 V~2.7 V

V

DD

=

2.7 V~3.6 V

民

2.3

2.0

2.2

0.3*

1.5

V

DD

×

0.24

3.6

V

典型值

最大

3.6

V

DD

+

0.3

单位

V

*:

2.0

V电压为20ns的脉冲宽度测量时

2002-07-23

3/14

TC55VEM316AXBN40,55

DC特性

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

2.3 3.6 V）

符号

I

IL

I

OH

I

OL

I

LO

参数

输入漏

当前

输出低电流

输出漏

当前

V

IN

=

0 V~V

DD

测试条件

民

0.5

2.1

民

1

s

t

周期

民

1

s

典型值

最大单位

±1.0

35

mA

8

30

mA

3

1

10

2

5

A

mA

A

mA

A

输出大电流V

OH

=

V

DD

0.5 V

V

OL

=

0.4 V

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

或LB

=

UB

=

V

IH

or

读/写

=

V

IL

or

OE

=

V

IH

, V

OUT

=

0 V~V

DD

CE1

=

V

IL

和CE2

=

V

IH

和

读/写

=

V

IH

，磅

=

UB

=

V

IL

,

I

OUT

=

0毫安

其他输入

=

V

IH

/V

IL

0.7

I

DDO1

工作电流

I

DDO2

CE1

=

0.2 V和CE2

=

V

DD

0.2 V和

读/写

=

V

DD

0.2 V ， LB

=

UB

=

0.2 V,

I

OUT

=

0毫安

其他输入

=

V

DD

0.2 V/0.2 V

I

DDS1

1)

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

2 ） LB

=

UB

=

V

IH

V

DD

=

Ta

= 40~85°C

1)

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

0.2 V 3.3V± 0.3 V

2 ） CE2

=

0.2 V

Ta

=

25°C

待机电流

I

DDS2

3)

LB

=

UB

=

V

DD

0.2 V,

V

DD

=3.0

V的Ta

= 40~40°C

CE1

=

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

Ta

= 40~85°C

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

测试条件

最大

10

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-07-23

4/14

TC55VEM316AXBN40,55

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

2.7至3.6 V ）

读周期

TC55VEM316AXBN

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO1

t

CO2

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

40

5

0

5

10

40

最大

40

25

40

20

民

55

5

0

5

10

55

最大

55

30

55

25

ns

单位

交流特性和操作条件

写周期

TC55VEM316AXBN

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

注意：

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

40

30

35

0

20

0

40

最大

20

民

55

40

45

0

25

0

55

最大

25

ns

单位

t

OD

, t

ODO

, t

BD

和T

ODW

中时的输出变成高阻抗的时间被指定，并且根据所判断出没有

的输出电压电平。

2002-07-23

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