TPS54418
www.ti.com
SLVS946A - 2009年5月 - 修订2010年5月
2.95 V至6 V输入， 4 A输出，为2MHz ，同步降压
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
1
特点
两个30毫欧（典型值）的MOSFET高
在4的负载效率
200kHz至2MHz的开关频率
0.8 V± 1 ％基准电压源过
温度
同步至外部时钟
可调慢启动/排序
UV和OV电源良好输出
低工作和关机静态
当前
安全启动至预偏置输出
逐周期电流限制，热和
频率折返保护
-40 ° C至150 ° C工作结
温度范围
耐热增强型采用3mm x 3mm 16引脚QFN
2
描述
该TPS54418器件是一个全功能的6 V ， 4 A，
下电流模式转换器，同步降压
两个集成的MOSFET。
该TPS54418实现小型设计通过整合
MOSFET管，实施电流模式控制
减少外部元件数量，降低了电感器
通过支持高达2 MHz的开关频率的大小，
并尽量减少与小型3mm x中的IC足迹
3毫米耐热增强型QFN封装。
该TPS54418提供精确调节的
各种负载用精确的±1％的电压
参考电压（VREF ）以上的温度。
效率是通过集成30mΩ到最大化
MOSFET和350毫安典型电源电流。运用
使能引脚，关断电源电流降低至
2
mA
通过进入关断模式。
欠压锁定内部设置为2.6 V ，但
可以增加通过编程与阈
一个电阻网络上的使能引脚。输出
电压启动斜坡由慢启动控制
引脚。一个开漏电源良好信号指示
输出电压为93 ％ 107 ％的额定电压。
频率折返和热关断保护
在过流情况下该设备。
该TPS54418支撑在的SwitcherPro
TM
在软件工具
www.ti.com/switcherpro 。
应用
低电压，高密度的电源系统
点负载调节的高性能
的DSP ， FPGA的ASIC和微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VIN
VIN
BOOT
CI
R4
TPS54418
EN
R5
PWRGD
VSENSE
SS
RT / CLK
COMP
SS
RT
R3
C1
PH
CO
R1
LO
VOUT
C
BOOT
欲了解更多SWIFT
TM
文档，请参阅TI
网站：
www.ti.com/swift 。
100
95
90
85
效率 - ％
80
75
70
65
60
55
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
负载电流 - 一个
3
3.5
4
V
IN
= 5 V,
V
O
= 1.8 V,
FSW = 500千赫
GND
AGND
使用PowerPad
R2
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
J
-40 ° C至150℃
包
3 × 3毫米QFN
产品型号
TPS54418RTE
绝对最大额定值
价值
输入电压
VIN
EN
BOOT
VSENSE
COMP
PWRGD
SS
RT / CLK
输出电压
BOOT -PH
PH
PH值10 ns的瞬态
源出电流
灌电流
EN
RT / CLK
COMP
PWRGD
SS
静电放电（ HBM ）
静电放电（ CDM ）
工作结温，T
j
贮藏温度，T
英镑
-0.3 7
-0.3 7
PH + 8
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 7pau
-0.3 3
-0.3 6
8
-0.6 7
-27的
100
100
100
10
100
2
500
-40至150
-65到150
(2) (3)
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
kV
V
°C
°C
包装耗散额定值
(1)
包
RTE
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
热阻抗
结到环境
37°C/W
f
JT
热特性
结到TOP
1°C/W
(3)
最大功耗可以通过过电流保护限制
额定功率在特定的环境温度T
A
应为150 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。 PCB的热管理应努力保持结点温度等于或低于
150℃为最佳性能和长期的可靠性。看
功耗估计
本数据表中的多个应用程序部分
信息。
测试板条件：
（一）2英寸× 2英寸的4层，厚度： 0.062英寸
（二） 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
（三） 2盎司在2层的内部和底层铜接地层
位于器件封装下（D ） 4散热通孔（ 10MIL ）
2
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电气特性
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
电源电压（ VIN引脚）
工作输入电压
欠压锁定阈值内
关断电源电流
静态电流 - 我
q
ENABLE和UVLO （ EN引脚）
启用阈值
升起
落下
输入电流
参考电压（ VSENSE PIN）
参考电压
MOSFET
高边开关电阻
低压侧开关电阻
误差放大器器
输入电流
误差放大器的跨导（GM ）
在误差放大器的跨导（GM ）
慢启动
误差放大器的源/汇
COMP到Iswitch克
电流限制
电流限制阈值
热关断
热关断
迟滞
定时电阻和外部时钟（RT / CLK引脚）
开关采用RT模式下频率范围
开关频率
使用CLK模式切换频率范围
最小CLK脉冲宽度
RT / CLK电压
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH上升沿延迟
PLL锁定时间
酸碱度（PH PIN）
最小导通时间
测量在50 ％点PH ， IOUT = 4的
测得的PH值的50％点， VIN = 5V ， IOUT = 0
A
最小关断时间
上升/下降时间
在此之前，跳脉冲， BOOT -PH = 2.95 V，
IOUT = 4的
VIN = 5 V
60
110
60
1.5
ns
V / ns的
ns
测量在500 kHz的RT电阻串联
测量频率为500 kHz
0.4
R（ RT / CLK ） = 400kΩ
RT = 400 kΩ的
200
400
300
75
0.5
1.6
0.6
90
14
2.2
500
2000
600
2000
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
V
ns
ms
175
15
°C
°C
5.0
6.4
A
–2
mA
<我（COMP） < 2
毫安，
V（ COMP ）= 1 V
–2
mA
<我（COMP） < 2
毫安，
V（ COMP ） = 1 V ，
VSENSE = 0.4 V
V（ COMP ） = 1 V ， 100 mV过载
7
225
70
±20
13.0
nA
毫姆欧
毫姆欧
mA
A / V
BOOT -PH = 5 V
BOOT -PH = 2.95 V
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
30
44
30
44
60
70
60
70
m
m
2.95 V
≤
VIN
≤
6 V ， -40°C <T
J
< 150℃
0.795
0.803
0.811
V
启用阈值+ 50毫伏
启用门槛 - 50 mV的
1.16
1.25
1.18
-3.2
-0.65
mA
1.37
V
无电压滞后，上升沿和下降沿
EN = 0 V ， 25 ° C， 2.95 V
≤
VIN
≤
6 V
VSENSE = 0.9 V， VIN = 5V ， 25 ° C， RT = 400 kΩ的
2.95
2.6
2
350
6
2.8
5
500
V
V
mA
mA
条件
民
典型值
最大
单位
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3
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电气特性（续）
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
引导（ BOOT引脚）
BOOT充电电阻
BOOT -PH UVLO
慢启动（ SS引脚）
充电电流
SS为交叉参考
SS放电电压（过载）
SS放电电流（ UVLO ， EN ，热
故障）
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
VSENSE落下（故障）
VSENSE门槛
VSENSE上升（好）
VSENSE上升（故障）
VSENSE下降（好）
迟滞
输出高漏
抗性
输出低
最小输入电压VIN的输出有效
我（ PWRGD ） = 3.5毫安
V（ PWRGD ） < 0.5 V ，100
mA
VSENSE下降
VSENSE = VREF ，V （ PWRGD ） = 5.5 V
91
93
107
105
2
2
100
0.3
1.2
1.6
VREF ％
VREF ％
VREF ％
VREF ％
VREF ％
nA
V
V
V（ SS ） = 0.4 V
98 ％的名义
VSENSE = 0 V
VIN = 5V ，V （ SS ）= 0.5 V
1.8
0.9
20
1.25
mA
V
mA
mA
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
16
2.1
V
条件
民
典型值
最大
单位
4
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设备信息
引脚配置
QFN16
RTE包
（ TOP VIEW ）
PWRGD
EN
16
15
14
13
VIN
VIN
GND
1
BOOT
VIN
12
PH
2
3
热
PAD
(17)
11
PH
PH
10
GND
4
9
SS
5
6
7
8
VSENSE
AGND
COMP
引脚功能
针
名字
AGND
BOOT
COMP
EN
GND
PH
使用PowerPad
PWRGD
RT / CLK
SS
VIN
VSENSE
号
5
13
7
15
3, 4
10, 11,
12
17
14
8
9
1, 2, 16
6
描述
模拟地应该是电连接至GND靠近器件。
自举电容所需的引导和PH之间。如果在该电容器上的电压低于最低
通过BOOT UVLO要求，输出被强制关闭，直到电容被刷新。
误差放大器的输出，并输入到输出开关电流比较器。连接频率补偿
组件到该引脚。
使能引脚，内部上拉电流源。低于1.2伏拉禁用。浮来启用。可用于设置
开/关阈值（调整UVLO）有两个额外的电阻。
电源地。该引脚应直接电连接到下IC中的电源焊垫。
内部高压侧功率MOSFET的源极的内部低侧和漏极（同步）整流器
MOSFET。
GND端子应连接到露出的电源垫才能正常工作。该电源焊盘应
使用多个过孔进行良好的散热性能连接到任何内部PCB接地层。
一个开漏输出，置为低电平，如果输出电压偏低，由于热关断，过流，
过压/欠压或EN关闭。
电阻的定时或外部时钟输入引脚。
慢启动。连接到这个引脚上的外部电容设置输出电压的上升时间。
输入电源电压， 2.95 V至6 V.
反相跨导（ GM）误差放大器的节点。
RT / CLK
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2.95 V至6 V输入， 4 A输出，为2MHz ，同步降压
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
1
特点
两个30毫欧（典型值）的MOSFET高
在4的负载效率
200kHz至2MHz的开关频率
0.8 V± 1 ％基准电压源过
温度
同步至外部时钟
可调慢启动/排序
UV和OV电源良好输出
低工作和关机静态
当前
安全启动至预偏置输出
逐周期电流限制，热和
频率折返保护
-40 ° C至150 ° C工作结
温度范围
耐热增强型采用3mm x 3mm 16引脚QFN
2
描述
该TPS54418器件是一个全功能的6 V ， 4 A，
下电流模式转换器，同步降压
两个集成的MOSFET。
该TPS54418实现小型设计通过整合
MOSFET管，实施电流模式控制
减少外部元件数量，降低了电感器
通过支持高达2 MHz的开关频率的大小，
并尽量减少与小型3mm x中的IC足迹
3毫米耐热增强型QFN封装。
该TPS54418提供精确调节的
各种负载用精确的±1％的电压
参考电压（VREF ）以上的温度。
效率是通过集成30mΩ到最大化
MOSFET和350毫安典型电源电流。运用
使能引脚，关断电源电流降低至
2
mA
通过进入关断模式。
欠压锁定内部设置为2.6 V ，但
可以增加通过编程与阈
一个电阻网络上的使能引脚。输出
电压启动斜坡由慢启动控制
引脚。一个开漏电源良好信号指示
输出电压为93 ％ 107 ％的额定电压。
频率折返和热关断保护
在过流情况下该设备。
该TPS54418支撑在的SwitcherPro
TM
在软件工具
www.ti.com/switcherpro 。
应用
低电压，高密度的电源系统
点负载调节的高性能
的DSP ， FPGA的ASIC和微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VIN
VIN
BOOT
CI
R4
TPS54418
EN
R5
PWRGD
VSENSE
SS
RT / CLK
COMP
SS
RT
R3
C1
PH
CO
R1
LO
VOUT
C
BOOT
欲了解更多SWIFT
TM
文档，请参阅TI
网站：
www.ti.com/swift 。
100
95
90
85
效率 - ％
80
75
70
65
60
55
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
负载电流 - 一个
3
3.5
4
V
IN
= 5 V,
V
O
= 1.8 V,
FSW = 500千赫
GND
AGND
使用PowerPad
R2
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
J
-40 ° C至150℃
包
3 × 3毫米QFN
产品型号
TPS54418RTE
绝对最大额定值
价值
输入电压
VIN
EN
BOOT
VSENSE
COMP
PWRGD
SS
RT / CLK
输出电压
BOOT -PH
PH
PH值10 ns的瞬态
源出电流
灌电流
EN
RT / CLK
COMP
PWRGD
SS
静电放电（ HBM ）
静电放电（ CDM ）
工作结温，T
j
贮藏温度，T
英镑
-0.3 7
-0.3 7
PH + 8
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 7pau
-0.3 3
-0.3 6
8
-0.6 7
-27的
100
100
100
10
100
2
500
-40至150
-65到150
(2) (3)
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
kV
V
°C
°C
包装耗散额定值
(1)
包
RTE
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
热阻抗
结到环境
37°C/W
f
JT
热特性
结到TOP
1°C/W
(3)
最大功耗可以通过过电流保护限制
额定功率在特定的环境温度T
A
应为150 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。 PCB的热管理应努力保持结点温度等于或低于
150℃为最佳性能和长期的可靠性。看
功耗估计
本数据表中的多个应用程序部分
信息。
测试板条件：
（一）2英寸× 2英寸的4层，厚度： 0.062英寸
（二） 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
（三） 2盎司在2层的内部和底层铜接地层
位于器件封装下（D ） 4散热通孔（ 10MIL ）
2
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电气特性
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
电源电压（ VIN引脚）
工作输入电压
欠压锁定阈值内
关断电源电流
静态电流 - 我
q
ENABLE和UVLO （ EN引脚）
启用阈值
升起
落下
输入电流
参考电压（ VSENSE PIN）
参考电压
MOSFET
高边开关电阻
低压侧开关电阻
误差放大器器
输入电流
误差放大器的跨导（GM ）
在误差放大器的跨导（GM ）
慢启动
误差放大器的源/汇
COMP到Iswitch克
电流限制
电流限制阈值
热关断
热关断
迟滞
定时电阻和外部时钟（RT / CLK引脚）
开关采用RT模式下频率范围
开关频率
使用CLK模式切换频率范围
最小CLK脉冲宽度
RT / CLK电压
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH上升沿延迟
PLL锁定时间
酸碱度（PH PIN）
最小导通时间
测量在50 ％点PH ， IOUT = 4的
测得的PH值的50％点， VIN = 5V ， IOUT = 0
A
最小关断时间
上升/下降时间
在此之前，跳脉冲， BOOT -PH = 2.95 V，
IOUT = 4的
VIN = 5 V
60
110
60
1.5
ns
V / ns的
ns
测量在500 kHz的RT电阻串联
测量频率为500 kHz
0.4
R（ RT / CLK ） = 400kΩ
RT = 400 kΩ的
200
400
300
75
0.5
1.6
0.6
90
14
2.2
500
2000
600
2000
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
V
ns
ms
175
15
°C
°C
5.0
6.4
A
–2
mA
<我（COMP） < 2
毫安，
V（ COMP ）= 1 V
–2
mA
<我（COMP） < 2
毫安，
V（ COMP ） = 1 V ，
VSENSE = 0.4 V
V（ COMP ） = 1 V ， 100 mV过载
7
225
70
±20
13.0
nA
毫姆欧
毫姆欧
mA
A / V
BOOT -PH = 5 V
BOOT -PH = 2.95 V
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
30
44
30
44
60
70
60
70
m
m
2.95 V
≤
VIN
≤
6 V ， -40°C <T
J
< 150℃
0.795
0.803
0.811
V
启用阈值+ 50毫伏
启用门槛 - 50 mV的
1.16
1.25
1.18
-3.2
-0.65
mA
1.37
V
无电压滞后，上升沿和下降沿
EN = 0 V ， 25 ° C， 2.95 V
≤
VIN
≤
6 V
VSENSE = 0.9 V， VIN = 5V ， 25 ° C， RT = 400 kΩ的
2.95
2.6
2
350
6
2.8
5
500
V
V
mA
mA
条件
民
典型值
最大
单位
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电气特性（续）
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
引导（ BOOT引脚）
BOOT充电电阻
BOOT -PH UVLO
慢启动（ SS引脚）
充电电流
SS为交叉参考
SS放电电压（过载）
SS放电电流（ UVLO ， EN ，热
故障）
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
VSENSE落下（故障）
VSENSE门槛
VSENSE上升（好）
VSENSE上升（故障）
VSENSE下降（好）
迟滞
输出高漏
抗性
输出低
最小输入电压VIN的输出有效
我（ PWRGD ） = 3.5毫安
V（ PWRGD ） < 0.5 V ，100
mA
VSENSE下降
VSENSE = VREF ，V （ PWRGD ） = 5.5 V
91
93
107
105
2
2
100
0.3
1.2
1.6
VREF ％
VREF ％
VREF ％
VREF ％
VREF ％
nA
V
V
V（ SS ） = 0.4 V
98 ％的名义
VSENSE = 0 V
VIN = 5V ，V （ SS ）= 0.5 V
1.8
0.9
20
1.25
mA
V
mA
mA
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
16
2.1
V
条件
民
典型值
最大
单位
4
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SLVS946A - 2009年5月 - 修订2010年5月
设备信息
引脚配置
QFN16
RTE包
（ TOP VIEW ）
PWRGD
EN
16
15
14
13
VIN
VIN
GND
1
BOOT
VIN
12
PH
2
3
热
PAD
(17)
11
PH
PH
10
GND
4
9
SS
5
6
7
8
VSENSE
AGND
COMP
引脚功能
针
名字
AGND
BOOT
COMP
EN
GND
PH
使用PowerPad
PWRGD
RT / CLK
SS
VIN
VSENSE
号
5
13
7
15
3, 4
10, 11,
12
17
14
8
9
1, 2, 16
6
描述
模拟地应该是电连接至GND靠近器件。
自举电容所需的引导和PH之间。如果在该电容器上的电压低于最低
通过BOOT UVLO要求，输出被强制关闭，直到电容被刷新。
误差放大器的输出，并输入到输出开关电流比较器。连接频率补偿
组件到该引脚。
使能引脚，内部上拉电流源。低于1.2伏拉禁用。浮来启用。可用于设置
开/关阈值（调整UVLO）有两个额外的电阻。
电源地。该引脚应直接电连接到下IC中的电源焊垫。
内部高压侧功率MOSFET的源极的内部低侧和漏极（同步）整流器
MOSFET。
GND端子应连接到露出的电源垫才能正常工作。该电源焊盘应
使用多个过孔进行良好的散热性能连接到任何内部PCB接地层。
一个开漏输出，置为低电平，如果输出电压偏低，由于热关断，过流，
过压/欠压或EN关闭。
电阻的定时或外部时钟输入引脚。
慢启动。连接到这个引脚上的外部电容设置输出电压的上升时间。
输入电源电压， 2.95 V至6 V.
反相跨导（ GM）误差放大器的节点。
RT / CLK
版权所有2009-2010，德州仪器
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5
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2.95 V至6 V输入， 4 A输出，为2MHz ，同步降压
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
1
特点
描述
该TPS54418器件是一个全功能的6 V ， 4 A，
下电流模式转换器，同步降压
两个集成的MOSFET。
该TPS54418实现小型设计通过整合
MOSFET管，实施电流模式控制
减少外部元件数量，降低了电感器
通过支持高达2 MHz的开关频率的大小，
并尽量减少与小型3mm x中的IC足迹
3毫米耐热增强型QFN封装。
该TPS54418提供精确调节的
各种负载用精确的±1％的电压
参考电压（VREF ）以上的温度。
效率是通过集成30mΩ到最大化
MOSFET和350μA典型电源电流。运用
使能引脚，关断电源电流降低至
2
A
通过进入关断模式。
欠压锁定内部设置为2.6 V ，但
可以增加通过编程与阈
一个电阻网络上的使能引脚。输出
电压启动斜坡由慢启动控制
引脚。一个开漏电源良好信号指示
输出电压为93 ％ 107 ％的额定电压。
频率折返和热关断保护
在过流情况下该设备。
该TPS54418支撑在的SwitcherPro
TM
在软件工具
www.ti.com/switcherpro 。
C
BOOT
BOOT
两个30毫欧（典型值）的MOSFET高
在4的负载效率
200kHz至2MHz的开关频率
0.8 V± 1 ％基准电压源过
温度
同步至外部时钟
可调慢启动/排序
UV和OV电源良好输出
低工作和关机静态
当前
安全启动至预偏置输出
逐周期电流限制，热和
频率折返保护
-40 ° C至150 ° C工作结
温度范围
耐热增强型采用3mm x 3mm 16引脚QFN
2
应用
低电压，高密度的电源系统
点负载调节的高性能
的DSP ， FPGA的ASIC和微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VIN
VIN
CI
R4
TPS54418
EN
R5
PWRGD
VSENSE
SS
RT / CLK
COMP
SS
RT
R3
C1
PH
CO
R1
LO
VOUT
欲了解更多SWIFT
TM
文档，请参阅TI
网站：
www.ti.com/swift 。
100
95
90
85
效率 - ％
80
75
70
65
60
55
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
负载电流 - 一个
3
3.5
4
V
IN
= 5 V,
V
O
= 1.8 V,
FSW = 500千赫
GND
AGND
使用PowerPad
R2
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT是德州仪器的商标。
版权所有 2009年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40 ° C至150℃
包
3 × 3毫米QFN
产品型号
TPS54418RTE
绝对最大额定值
价值
输入电压
VIN
EN
BOOT
VSENSE
COMP
PWRGD
SS
RT / CLK
输出电压
BOOT -PH
PH
PH值10 ns的瞬态
源出电流
灌电流
EN
RT / CLK
COMP
PWRGD
SS
静电放电（ HBM ）
静电放电（ CDM ）
工作结温，T
j
贮藏温度，T
英镑
-0.3 7
-0.3 7
PH + 8
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 7pau
-0.3 3
-0.3 6
8
-0.6 7
-27的
100
100
100
10
100
2
500
-40至150
-65到150
A
A
A
mA
A
kV
V
°C
°C
V
单位
V
包装耗散额定值
(1) (2) (3)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
包
RTE
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
37°C/W
φ
JT
热特性
结到TOP
1°C/W
(3)
最大功耗可以通过过电流保护限制
额定功率在特定的环境温度T
A
应为150 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。 PCB的热管理应努力保持结点温度等于或低于
150℃为最佳性能和长期的可靠性。看
功耗估计
本数据表中的多个应用程序部分
信息。
测试板条件：
一。 2英寸×2英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 2盎司在2层的内部和底层铜接地层
。位于设备包下4散热通孔（ 10MIL ）
2
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电气特性
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
电源电压（ VIN引脚）
工作输入电压
欠压锁定阈值内
关断电源电流
静态电流 - 我
q
ENABLE和UVLO （ EN引脚）
启用阈值
升起
落下
输入电流
参考电压（ VSENSE PIN）
参考电压
MOSFET
高边开关电阻
低压侧开关电阻
误差放大器器
输入电流
误差放大器的跨导（GM ）
在误差放大器的跨导（GM ）
慢启动
误差放大器的源/汇
COMP到Iswitch克
电流限制
电流限制阈值
热关断
热关断
迟滞
定时电阻和外部时钟（RT / CLK引脚）
开关采用RT模式下频率范围
开关频率
使用CLK模式切换频率范围
最小CLK脉冲宽度
RT / CLK电压
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH上升沿延迟
PLL锁定时间
酸碱度（PH PIN）
最小导通时间
测量在50 ％点PH ， IOUT = 4的
测得的PH值的50％点， VIN = 5V ， IOUT = 0
A
最小关断时间
上升/下降时间
在此之前，跳脉冲， BOOT -PH = 2.95 V，
IOUT = 4的
VIN = 5 V
60
110
60
1.5
ns
V / ns的
ns
测量在500 kHz的RT电阻串联
测量频率为500 kHz
0.4
R（ RT / CLK ） = 400kΩ
RT = 400 kΩ的
200
400
300
75
0.5
1.6
0.6
90
14
2.2
500
2000
600
2000
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
V
ns
s
175
15
°C
°C
5.0
6.4
A
–2
A
<我（COMP） < 2
A,
V（ COMP ）= 1 V
–2
A
<我（COMP） < 2
A,
V（ COMP ） = 1 V ，
VSENSE = 0.4 V
V（ COMP ） = 1 V ， 100 mV过载
7
225
70
±20
13.0
nA
μmhos
μmhos
A
A / V
BOOT -PH = 5 V
BOOT -PH = 2.95 V
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
30
44
30
44
60
70
60
70
m
m
2.95 V
≤
VIN
≤
6 V ， -40°C <T
J
< 150℃
0.795
0.803
0.811
V
启用阈值+ 50毫伏
启用门槛 - 50 mV的
1.16
1.25
1.18
-3.2
-0.65
A
1.37
V
无电压滞后，上升沿和下降沿
EN = 0 V ， 25 ° C， 2.95 V
≤
VIN
≤
6 V
VSENSE = 0.9 V， VIN = 5V ， 25 ° C， RT = 400 kΩ的
2.95
2.6
2
350
6
2.8
5
500
V
V
A
A
条件
民
典型值
最大
单位
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3
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电气特性（续）
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
引导（ BOOT引脚）
BOOT充电电阻
BOOT -PH UVLO
慢启动（ SS引脚）
充电电流
SS为交叉参考
SS放电电压（过载）
SS放电电流（ UVLO ， EN ，热
故障）
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
VSENSE落下（故障）
VSENSE门槛
VSENSE上升（好）
VSENSE上升（故障）
VSENSE下降（好）
迟滞
输出高漏
抗性
输出低
最小输入电压VIN的输出有效
我（ PWRGD ） = 3.5毫安
V（ PWRGD ） < 0.5 V ，100
A
VSENSE下降
VSENSE = VREF ，V （ PWRGD ） = 5.5 V
91
93
107
105
2
2
100
0.3
1.2
1.6
VREF ％
VREF ％
VREF ％
VREF ％
VREF ％
nA
V
V
V（ SS ） = 0.4 V
98 ％的名义
VSENSE = 0 V
VIN = 5V ，V （ SS ）= 0.5 V
1.8
0.9
20
1.25
A
V
A
mA
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
16
2.1
V
条件
民
典型值
最大
单位
4
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设备信息
引脚配置
QFN16
RTE包
（ TOP VIEW ）
PWRGD
16
EN
15
14
13
VIN
VIN
GND
1
BOOT
VIN
12
PH
2
3
热
PAD
(17)
11
PH
PH
10
GND
4
9
SS
5
6
7
8
VSENSE
AGND
COMP
引脚功能
针
名字
AGND
BOOT
COMP
EN
GND
PH
使用PowerPad
PWRGD
RT / CLK
SS
VIN
VSENSE
号
5
13
7
15
3, 4
10, 11,
12
17
14
8
9
1, 2, 16
6
描述
模拟地应该是电连接至GND靠近器件。
自举电容所需的引导和PH之间。如果在该电容器上的电压低于最低
通过BOOT UVLO要求，输出被强制关闭，直到电容被刷新。
误差放大器的输出，并输入到输出开关电流比较器。连接频率补偿
组件到该引脚。
使能引脚，内部上拉电流源。低于1.2伏拉禁用。浮来启用。可用于设置
开/关阈值（调整UVLO）有两个额外的电阻。
电源地。该引脚应直接电连接到下IC中的电源焊垫。
内部高压侧功率MOSFET的源极的内部低侧和漏极（同步）整流器
MOSFET。
GND端子应连接到露出的电源垫才能正常工作。该电源焊盘应
使用多个过孔进行良好的散热性能连接到任何内部PCB接地层。
一个开漏输出，置为低电平，如果输出电压偏低，由于热关断，过流，
过压/欠压或EN关闭。
电阻的定时或外部时钟输入引脚。
慢启动。连接到这个引脚上的外部电容设置输出电压的上升时间。
输入电源电压， 2.95 V至6 V.
反相跨导（ GM）误差放大器的节点。
RT / CLK
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