【a特点-55℃至+ 125 ℃（ -67 F到257 F）操作1.0 C的精度温度（典型值）温度成比】,IC型号TMP01FS,TMP01FS PDF资料,TMP01FS经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

-55℃至+ 125 ℃（ -67 F到257 F）操作

1.0 C的精度温度（典型值）

温度成比例的电压输出

用户可编程温度触发点

用户可编程迟滞

20毫安集电极开路触发点输出

TTL / CMOS兼容

单电源供电（ 4.5 V至13.2 V）

低成本8引脚DIP和SO封装

应用

上/下盘温度传感器和报警

板级温度传感

温度控制器

电子温控器

热保护

暖通空调系统

工业过程控制

远程传感器

概述

低功耗，可编程

温度控制器

TMP01*

功能框图

2.5V

VREF 1

温度

传感器

传感器&

电压

参考

8 V+

SET

高

SET

低

GND

窗口

比较

7 OVER

6下

迟滞

发电机

5 VPTAT

TMP01

的TMP01是一个温度传感器，它产生一个电压

输出正比于绝对温度以及控制信号

从两个输出中的一个时，该设备的上方或

低于特定温度范围。无论是高/低温度

TURE跳变点和迟滞（冲）频段确定

由用户选择的外部电阻器。对于大批量的生产，

这些电阻器可在板上。

该TMP01由一个带隙基准电压源组合

有一对相匹配的比较器。该参考提供

两个恒定的2.5 V输出的电压成比例的abso-

琵琶温度（ VPTAT ），它具有一个精确的温度共聚

高效的为5 mV / K和1.49 V（标称值），在+ 25°C 。该

比较器与外部设定温度比较VPTAT

TURE跳变点，并产生集电极开路输出信号

当它们各自的阈值中的一个已经被超过。

*受保护

由美国专利号5195827 。

迟滞也设定了外部电阻链

被拉出的2.5伏为参考的总电流来确定

ENCE 。该电流被镜像和用于产生一个滞后

抵消相应极性的电压后，比较有

跳闸。比较器是并联的，它

保证不存在磁滞重迭并消除

相邻的行程区之间不稳定的过渡。

该TMP01采用专有的薄膜电阻要结合

化生产激光微调，以保持温度

精度

1 ° C（典型值）在额定温度范围内，

出色的线性度。集电极开路输出能力

下沉20 mA，且使TMP01驱动控制继电器二

正确。从+5 V电源供电，静态电流仅为

500

（最大值）。

的TMP01是在低成本的8引脚环氧小型DIP可用

和SO （小外形）封装，裸片形式。

版本C

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

ADI公司， 1995年

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德。 MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 617 / 329-4700

传真： 617 / 326-8703

TMP01EP/FP,

TMP01ES/FS–SPECIFICATIONS

塑料DIP和表面贴装封装

（V + = + 5V ， GND = O V， -40

≤

85 C除非另有说明）

参数

INPUTS置高，置低

失调电压

失调电压漂移

输入偏置电流， “E”

输入偏置电流， “F”

输出VPTAT

输出电压

放大系数

温度精度， “E”

温度精度， “F”

温度精度， “E”

温度精度， “F”

温度精度， “E”

温度精度， “F”

温度精度， “E”

温度精度， “F”

重复性误差

长期漂移误差

电源抑制比

输出Vref的

输出电压， “E”

输出电压， “F”的

输出电压， “E”

输出电压， “F”的

输出电压， “E”

输出电压， “F”的

漂移

线路调整

负载调整率

输出电流，零迟滞

滞环电流比例因子

开启建立时间

符号

TCV

VPTAT

条件

民

典型值

0.25

最大

单位

μV/°C

毫伏/ K

°C

度

%/V

PPM /°C的

%/V

％ / mA的

μA /°C的

100

= + 25 ° C，无负载

10℃ <牛逼

< 40 ° C，无负载

10℃ <牛逼

< 40 ° C，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

注4

注2和6

= + 25 ° C， 4.5 V

≤

V+

≤

13.2 V

= + 25 ° C，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

4.5 V

≤

V+

≤

13.2 V

A ≤

VREF

≤

500

（注1 ）

额定精度

–1.5

–3

–3.0

–5.0

= VPTAT

PSRR

VREF

HYS

1.49

0.5

1.0

0.75

1.5

2.5

0.25

0.02

2.500

2.5

0.01

2.5

0.015

–10

0.01

0.1

5.0

0.25

0.6

1.5

3.0

5.0

0.5

0.1

2.505

2.510

2.515

2.495

2.490

2.485

0.05

0.25

集电极开路输出上方，下方

SINK

= 1.6毫安

输出低电压

SINK

= 20毫安

输出低电压

V+ = 12 V

输出漏电流

下降时间

看到测试负载

电源

供应范围

电源电流

功耗

V+

DISS

4.5

卸载， + V = 5 V

卸载， + V = 13.2 V

+V = 5 V

0.4

100

400

450

2.0

13.2

500

800

2.5

笔记

K =

°C

+ 273.15.

保证，但未经测试。

不考虑由于输出负载电流的损耗引起的热误差。

在+ 25 ℃的读数后的最大偏差为-55 °C至+ 125°C的温度循环。

典型值测量表明在T性能

= +25°C.

观察到的一组样品中超过500小时的加速寿命试验，在150 ℃。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

测试负载

V+

20pF

–2–

版本C

TMP01FJ–SPECIFICATIONS

参数

INPUTS置高，置低

失调电压

失调电压漂移

输入偏置电流， “F”

输出VPTAT

输出电压

放大系数

温度精度， “F”

重复性误差

长期漂移误差

电源抑制比

输出Vref的

输出电压， “F”的

漂移

线路调整

负载调整率

输出电流，零迟滞

滞环电流比例因子

开启建立时间

符号

TCV

VPTAT

TO- 99金属罐包装（V + = + 5V ， GND = 0V ， -40℃

≤

+85 C

除非另有说明）

民

典型值

0.25

最大

TMP01

单位

μV/°C

毫伏/ K

°C

度

%/V

PPM /°C的

%/V

％ / mA的

μA /°C的

条件

100

= + 25 ° C，无负载

10℃ <牛逼

< 40 ° C，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

注4

注2和6

= + 25 ° C， 4.5 V

≤

V+

≤

13.2 V

= + 25 ° C，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

4.5 V

≤

V+

≤

13.2 V

A ≤

VREF

≤

500

（注1 ）

额定精度

–3

–5.0

= VPTAT

PSRR

VREF

HYS

1.49

1.0

1.5

2.5

0.25

0.02

2.500

2.5

0.015

–10

0.01

0.1

5.0

0.25

0.6

5.0

0.5

0.1

2.510

2.520

0.05

0.25

2.490

2.480

集电极开路输出上方，下方

SINK

= 1.6毫安

输出低电压

SINK

= 20毫安

输出低电压

V+ = 12 V

输出漏电流

下降时间

见测试负载，注2

电源

供应范围

电源电流

功耗

V+

DISS

4.5

卸载， + V = 5 V

卸载， + V = 13.2 V

+V = 5 V

0.4

100

400

450

2.0

13.2

500

800

2.5

笔记

K =

°C

+ 273.15.

保证，但未经测试。

不考虑由于输出负载电流的损耗引起的热误差。

在+ 25 ℃的读数后的最大偏差为-55 °C至+ 125°C的温度循环。

典型值测量表明在T性能

= +25°C.

观察到的一组样品中超过500小时的加速寿命试验，在150 ℃。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

–3–

TMP01

晶圆测试极限

参数

INPUTS置高，置低

输入偏置电流

输出VPTAT

温度精度

输出Vref的

面值

线路调整

负载调整率

VREF

= + 5.0V ， GND = 0 V ，T

= 25 ℃，除非另有说明）

符号

= + 25 ° C，无负载

4.5 V

≤

V+

≤

13.2 V

A ≤

VREF

≤

500

2.490

条件

民

典型值

最大

100

1.5

2.510

0.05

0.25

0.4

1.0

100

4.5

卸载

13.2

600

单位

°C

%/V

％ / mA的

集电极开路输出上方，下方

输出低电压

SINK

= 1.6毫安

输出低电压

SINK

= 20毫安

输出漏电流

电源

供应范围

电源电流

V+

笔记

电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常产量损失，包装后产率，不能保证

对于标准产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资质洽谈规格。

芯片尺寸0.078

0.071英寸， 5538平方密耳

(1.98

1.80毫米，3.57平方毫米）

晶体管数量： 105

DICE特性

VREF

SETHIGH

SETLOW

GND （两处）

（连接到衬底）

5. VPTAT

6.在

7.在

8. V+

有关其他DICE订购信息，请参阅数据手册。

–4–

版本C

TMP01

绝对最大额定值

概述

最大电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至+15 V

最大输入电压

（ SETHIGH ， SETLOW ）。。。。。。。。。 0.3 V至[ （V + ） +0.3 V]

最大输出电流（ VREF ， VPTAT ）。。。。。。。。。 2毫安

最大输出电流（开路集电极输出）。。 50毫安

最大输出电压（集电极开路输出）。。。。 15 V

工作温度范围。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 150°C

骰子结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 - 65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 60秒）。。。。。。。。。。。。。 + 300℃

套餐类型

8引脚塑料DIP （ P）

8引脚SOIC （ S）

8引脚TO- 99能（J ）

103

158

150

单位

° C / W

该TMP01是一个非常线性的电压输出温度传感器，

同一个窗口比较器，它可以由用户编程

激活两个集电极开路输出之一，当一个predeter-

开采温度设定点电压已超出。低

漂移参考电压可以设定编程。

温度传感器基本上是一个非常精确地温度

TURE补偿，带隙型电压基准具有缓冲的

ERED输出电压正比于绝对温度

（ VPTAT ），精确地修整，以5毫伏/ K的比例因子。看

应用信息如下。

低漂移2.5 V基准电压VREF的输出是很容易划分EX-

ternally固定电阻器或电位器来准确地第ES

tablish设定的加热/冷却设定点，独立的

温度。可替换地，给定值的电压可以供给

其他接地参考电压源，如用户可

编程的DAC或控制器。高和低的设定值

电压进行比较，以将温度传感器的电压，从而

创建一个双温调温功能。此外，

基准的总的输出电流（I

VREF

）确定

温度滞后带的大小。在（集电极）开路

比较器器输出可以用于控制一个宽弗吉尼亚州

riety设备。

迟滞

当前

VREF 1

启用

当前

镜

HYS

V+

笔记

被指定为设备在插座（最差情况）。

被指定为设备安装在PCB上。

小心

1.强调以上这些绝对最大额定在“上市

英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个

值仅为运行在或高于这个

规范是不是暗示。暴露于上述最大

额定值条件下工作会影响器件

可靠性。

2.有数字输入和输出但是保护的，永久的

损害可能来自高能无保护单位发生

静电场。保持单位导电泡棉或packag-

荷兰国际集团在任何时候，直到准备使用。使用适当的防静电han-

危及周围的程序。

3.插入或从单位取出前取出自己的力量

插槽。

订购指南

SET

高

窗口

比较

过度

SET

低

下

GND

电压

参考

和

传感器

迟滞

电压

温度

产量

VPTAT

型号/牌号

TMP01EP

TMP01FP

TMP01ES

TMP01FS

TMP01FJ

TMP01GBC

温度

范围

XIND

+25°C

包

描述

塑料DIP

SOIC

TO- 99能

DIE

包

选项

N-8

SO-8

H-08A

TMP01

图1.详细的框图

笔记

XIND = -40 ° C至+ 85°C 。

在TO- 99可以咨询工厂的MIL / 883版本的可用性。

版本C

–5–

低功耗可编程

温度控制器

TMP01

特点

-55 ° C至+ 125°C （ -67 °F至+ 257 °F ）操作

± 1.0 ° C的精度在整个温度范围（典型值）

温度成比例的电压输出

用户可编程的温度触发点

用户可编程迟滞

20毫安集电极开路跳变点输出

TTL / CMOS兼容

单电源供电（ 4.5 V至13.2 V）

PDIP ，SOIC和TO- 99封装

功能框图

VREF 1

设置2

高

集3

低

GND 4

迟滞

发电机

5 VPTAT

窗口

比较

6下

2.5V

温度

传感器和传感器

电压

参考

8 V+

7 OVER

TMP01

应用

上/下盘温度传感器和报警

板级温度传感

温度控制器

电子温控器

热保护

暖通空调系统

工业过程控制

远程传感器

图1 。

概述

的TMP01是一个温度传感器，其产生的电压

输出正比于绝对温度以及控制

从两个输出中的一个信号时，该设备可以是以上

或低于一个特定的温度范围内。无论是高/低

温度跳变点和迟滞（冲）乐队是

由用户选择的外部电阻来确定。对于高容量

生产，这些电阻可在船上。

的TMP01由一个带隙电压基准组合

有一对相匹配的比较器。该参考提供

两个恒定的2.5 V输出和成比例的电压

绝对温度（ VPTAT ），它具有一个精确的温度

5毫伏/ K的系数，其为1.49 V（标称值），在25℃ 。该

比较器与外部设定温度比较VPTAT

TURE跳变点，并产生集电极开路输出信号

当它们各自的阈值中的一个已经被超过。

迟滞也设定了外部电阻链

并且通过拉出的2.5伏的总电流来确定

参考。该电流被镜像和用于产生

合适的极性后的滞后偏移电压

比较器已跳闸。比较器连接

平行，从而保证不存在磁滞重迭

并消除了相邻的行程区域之间不稳定的过渡。

该TMP01采用专有的薄膜电阻要结合

化生产激光微调，以保持温度

±1° C（典型值）在额定温度范围内精度，

具有优异的线性度。集电极开路输出可

下沉20 mA，且使TMP01驱动控制继电器

直接。从5 V电源供电，静态电流仅为

500 μA （最大值）。

该TMP01采用8引脚小型PDIP ，SOIC和TO- 99

包。

英文内容

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

00333-001

TMP01

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

TMP01EST ， TMP01FP ， TMP01FS ............................................. 3

TMP01FJ ................................................. ....................................... 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

典型性能特征............................................. 6

工作原理............................................... ......................... 8

温度迟滞................................................ ............... 8

编程TMP01 ............................................... ............ 8

了解误差来源............................................... ...... 9

在加热和冷却系统的安全注意事项

设计................................................. ........................................... 9

应用信息................................................ .............. 10

自热效应.............................................. ...................... 10

缓冲电压基准.............................................. 10

保持准确度宽温

操作................................................. ................................... 10

热响应时间............................................... ............ 10

负荷开关与集电极开路输出.............. 11

大电流开关............................................... ............. 12

缓冲温度输出引脚................................... 13

差压变送器................................................ ............. 13

4 mA至20 mA电流环路........................................... ....... 13

温度 - 频率转换器.................................... 14

隔离放大器................................................ ..................... 15

走出超范围警告............................................ .................. 15

转换为5 mV / K 10毫伏/°C的....................................... ..... 16

翻译VPTAT到华氏温标........................... 16

外形尺寸................................................ ....................... 17

订购指南................................................ .......................... 18

修订历史

7月9日 - 修订版。 D钮英文内容

更新格式................................................ ..................通用

更新的外形尺寸............................................... ........ 18

更改订购指南.............................................. ............ 19

1月2日 - 修订版。 C： Rev. D的

编辑一般说明部分........................................... 1

编辑规格第.............................................. .......... 2

编辑晶圆测试限制部分............................................ ...... 4

编辑骰子特性部分............................................. 4

编辑订购指南.............................................. .................... 5

93分之7 -版本0 ：初始版

修订版E |第20页2

TMP01

特定网络阳离子

TMP01ES ， TMP01FP ， TMP01FS

PDIP和SOIC封装。 V + = 5V ， GND = O V， -40 ° C≤牛逼

= + 85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

INPUTS置高，置低

失调电压

失调电压漂移

输入偏置电流， E级

输入偏置电流， F级

输出VPTAT

输出电压

放大系数

温度精度， E级

温度精度， F级

温度精度， E级

温度精度， F级

温度精度， E级

温度精度， F级

温度精度， E级

温度精度， F级

重复性误差

长期漂移误差

3,4

电源抑制比

输出Vref的

输出电压， E级

输出电压， F级

输出电压， E级

输出电压， F级

输出电压， E级

输出电压， F级

漂移

线路调整

负载调整率

输出电流，零迟滞

滞环电流比例因子

开启建立时间

集电极开路输出上方，下方

输出低电压

输出漏电流

下降时间

电源

供应范围

电源电流

功耗

符号

TCV

VPTAT

TCV

PTAT

条件

民

典型值

0.25

最大

单位

μV/°C

毫伏/ K

°C

度

%/V

PPM /°C的

%/V

％ / mA的

μA

μA /°C的

μs

μA

100

= 25 ℃，无负荷

10℃ <牛逼

< 40 ° C，无负载

10℃ <牛逼

< 40 ° C，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

1.5

3.0

5.0

= VPTAT

PSRR

VREF

= 25 ° C， 4.5 V≤ V + ≤ 13.2 V

= 25 ℃，无负荷

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

4.5 V ≤ V+ ≤ 13.2 V

10 μA ≤我

VREF

≤ 500 μA

2.495

2.490

2.485

1.49

±0.5

±1.0

±0.75

±1.5

±1

±2

±1.5

±2.5

0.25

±0.02

2.500

2.5 ± 0.01

2.5 ± 0.015

±0.01

±0.1

5.0

0.25

0.6

1.5

3.0

5.0

0.5

±0.1

2.505

2.510

2.515

±0.05

±0.25

REF

HYS

额定精度

V+

DISS

SINK

= 1.6毫安

SINK

= 20毫安

V+ = 12 V

见图2

4.5

卸载， + V = 5 V

卸载， + V = 13.2 V

+V = 5 V

0.4

100

400

450

2.0

13.2

500

800

2.5

K = ° C + 273.15 。

-55 ° C至+ 125°C温度循环后25 ℃的读数之间的最大偏差。

保证，但未经测试。

观察到的一组样品中超过500小时的加速寿命试验，在150 ℃。

修订版E |第20页3

TMP01

V+

20pF

00333-002

图2.测试负载

TMP01FJ

TO- 99金属罐包装。 V + = 5V ， GND = 0 V ， -40 ° C≤牛逼

= + 85 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

INPUTS置高，置低

失调电压

失调电压漂移

输入偏置电流， F级

输出VPTAT

输出电压

放大系数

温度精度， F级

重复性误差

长期漂移误差

3, 4

电源抑制比

输出Vref的

输出电压， F级

漂移

线路调整

负载调整率

输出电流，零迟滞

滞环电流比例因子

开启建立时间

集电极开路输出上方，下方

输出低电压

输出漏电流

下降时间

电源

供应范围

电源电流

功耗

符号

TCV

VPTAT

TCV

PTAT

条件

民

典型值

0.25

最大

单位

μV/°C

毫伏/ K

°C

度

%/V

PPM /°C的

%/V

％ / mA的

μA

μA /°C的

μs

μA

100

= 25 ℃，无负荷

10℃ <牛逼

< 40 ° C，无负载

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

5.0

= VPTAT

PSRR

VREF

= 25 ° C， 4.5 V≤ V + ≤ 13.2 V

= 25 ℃，无负荷

-40°C <牛逼

< 85°C ，无负载

-55°C <牛逼

< 125°C ，无负载

4.5 V ≤ V+ ≤ 13.2 V

10 μA ≤我

VREF

≤ 500 μA

2.490

2.485

1.49

±1.0

±1.5

±2

±2.5

0.25

±0.02

2.500

2.5 ± 0.015

±0.01

±0.1

5.0

0.25

0.6

5.0

0.5

±0.1

2.510

2.515

±0.05

±0.25

REF

HYS

额定精度

V+

DISS

SINK

= 1.6毫安

SINK

= 20毫安

V+ = 12 V

见图2

4.5

卸载， + V = 5 V

卸载， + V = 13.2 V

+V = 5 V

0.4

100

400

450

2.0

13.2

500

800

2.5

K = ° C + 273.15 。

-55 ° C至+ 125°C温度循环后25 ℃的读数之间的最大偏差。

保证，但未经测试。

观察到的一组样品中超过500小时的加速寿命试验，在150 ℃。

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TMP01

绝对最大额定值

表3中。

参数

最大电源电压

最大输入电压（置高，置低）

最大输出电流（ VREF ， VPTAT ）

最大输出电流（集电极开路

输出）

最大输出电压（集电极开路

输出）

工作温度范围

管芯结温

存储温度范围

引线温度（焊接60秒）

等级

0.3 V至+15 V

0.3 V到V + +0.3 V

2毫安

50毫安

15 V

-55 ° C至+ 150°C

150°C

-65 ° C至+ 150°C

300°C

数字输入和输出保护;然而，永久

损害可能来自高能无保护单位发生

静电场。保持单位导电泡棉或包装

在任何时候，直到准备使用。使用适当的防静电处理

程序。

插入或取出从单位前取出自己的力量

插槽。

表4 。

套餐类型

8引脚PDIP （N - 8 ）

8引脚SOIC （ R- 8 ）

8引脚TO- 99能（ H- 08 ）

103

158

150

单位

° C / W

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

被指定为设备在插座（最坏的条件下）。

被指定为设备安装在PCB上。

ESD警告

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