TPS53315
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SLUSAE6 - 2010年12月
12 -A降压调节器，内置切换器
检查样品：
TPS53315
1
特点
转换输入电压范围： 3 V至15 V
VDD输入电压范围： 4.5 V至25 V
输出电压范围： 0.6 V至5.5 V
5 -V LDO输出
集成了功率MOSFET具有12 -A
连续输出电流
<10 mA的关机电流
自动跳过Eco模式轻载
效率
具有快速瞬态响应的D- CAP 模式
从250 kHz的可选择的开关频率
以1 MHz的外部电阻
内置1 ％ ， 0.6 -V参考
0.7毫秒， 1.4毫秒， 2.8毫秒和5.6毫秒可选
内部电压伺服软启动
预充电启动能力
集成的升压开关
通过外部可调的过流限制
电阻器
过压/欠压， UVLO和
过温保护
支持所有的陶瓷输出电容器
开漏电源良好指示
40引脚QFN封装，带有使用PowerPad
应用
服务器和台式机
笔记本电脑
电信设备
2
描述
TPS53315是D -CAP 模式， 12 -A同步
切换器集成MOSFET 。它被设计为
易用性，低外部元件数量，并
小包装的动力系统。
该器件采用单轨输入支持， 1
19毫欧和1个7毫欧的MOSFET集成，精确
1 ％ ， 0.6 V基准电压和集成的升压开关。一
竞争特点的样品包括：大于
最高效率96 ％ ， 3 V至15 V的宽输入
电压范围，非常低外部元件数量，
D- CAP 模式控制的超快速瞬态，
可选择自动跳过和PWM操作，内部
软启动控制，频率可调，并且没有必要
要求赔偿。
转换输入电压范围为3 V至
15 V时，电源电压范围是从4.5伏到25伏，
和输出电压范围是从0.6伏至5.5伏
该TPS53315是采用5 mm × 7毫米40引脚可用，
QFN封装，工作在-40° C至85°C 。
32
PGOOD
31
N / C
30
VBST
29
N / C
28
LL
27
LL
26
LL
25
LL
24
LL
23
LL
22
LL
21
LL
V
OUT
LL 20
LL 19
LL 18
LL 17
33
VREG
PGOOD
34
35
EN
36
37
38
39
40
N / C
N / C
旅
EN
TPS53315
VFB
RF
模式
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
VREG
GND1
GND2
LL 16
VIN 15
VIN 14
VIN 13
VIN
VIN
V
IN
3 V至15 V
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VDD
4.5 V至25 V
UDG-10199
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
经济模式下， D- CAP ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
包
塑料QFN
（ RGF ）
订购
数
TPS53315RGFR
TPS53315RGFT
引脚
40
40
运输
媒体
磁带和卷轴
迷你盘
最低
QUANTITY
3000
250
环保计划
绿色环保（RoHS和
不含Pb /溴）
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
价值
VIN （主电源）
VDD
输入电压范围
VBST
VBST （相对于LL）上
EN ， TRIP ， VFB ， RF ， MODE
LL
输出电压范围
DC
脉冲< 20纳秒， E = 5
mJ
-0.3至17
-0.3至28
-0.3至24
-0.3 7
-0.3 7
-1至23
–7
-0.3 7
-0.3 0.3
50
-40到85
-55到150
-40至150
300
mA
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
PGOOD ， VREG
保护地
源出/吸入电流
VBST
经营自由的空气温度，T
A
存储温度范围，T
英镑
结温范围，T
J
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热信息
热公制
(1)
q
JA
q
JCtop
q
JB
y
JT
y
JB
q
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS53315
RGF （ 40引脚）
35.8
23.8
10.1
0.4
10.0
2.8
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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推荐工作条件
价值
VIN （主电源）
VDD
输入电压范围
VBST
VBST （相对于LL）上
EN ， TRIP ， VFB ， RF ， MODE
输出电压范围
源出/吸入电流
LL
PGOOD ， VREG
VBST
3至15个
4.5至25
4.5 21
4.56.5
-0.1 6.5
-0.8至15
-0.1 6.5
50
-40至125
V
mA
°C
V
单位
结温范围，T
J
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内， VDD = 12 V （除非另有说明）
参数
电源电压和电源电流
V
VIN
V
DD
I
VIN （泄漏）
I
VDD
I
VDDSDN
VIN引脚的电源转换输入
电压
电源输入电压
VIN引脚漏电流
VDD电源电流
VDD关断电流
V
EN
= 0 V
VDD电流，T
A
= 25 ° C，无负载，V
EN
= 5 V,
V
VFB
= 0.630 V
VDD电流，T
A
= 25 ° C，无负载，V
EN
= 0 V
VFB电压， CCM条件
(1)
V
VFB
VFB调节电压
T
A
= 25°C
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
I
VFB
V
VREG
I
VREG
V
DO
V
FBST
I
VBSTLK
t
关（ MIN）的
t
开（分钟）
VFB输入电流
LDO输出电压
LDO输出电流
(1)
条件
民
典型值
最大
单位
3
4.5
15
25
1
420
590
10
0.6000
V
V
A
A
A
V
内部参考电压
0.597
0.5952
0.594
0.600
0.600
0.600
0.002
4.77
5.0
0.603
0.6048
0.606
0.2
5.35
30
295
0.1
0.01
150
260
35
0.2
1.5
400
ns
A
V
mA
mV
V
A
V
V
VFB
= 0.630 V，T
A
= 25°C
0毫安
≤
I
VREG
≤
30毫安
从LDO允许的最大电流
V
DD
= 4.5 V，I
VREG
= 30毫安
V
VREG - VBST
, I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
V
VBST
= 23 V, V
LL
= 17 V ，T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
VIN
= 17 V, V
OUT
= 0.6 V ，R
RF
= 0
Ω
到VREG ，
T
A
= 25°C
(1)
R
模式
= 39 kΩ
LDO输出
LDO降稳压
正向电压
VBST泄漏电流
最小关断时间
最小导通时间
自举开关
占空比和频率的控制
软启动
0.7
1.4
2.8
5.6
92.5%
107.5%
2.5%
15
0.8
96%
5%
30
1
98.5%
7.8%
55
1.2
Ω
ms
ms
R
模式
= 100 kΩ
R
模式
= 200 kΩ
R
模式
= 470 kΩ
POWERGOOD
的PG在较低
V
THPG
R
PG
t
PGDEL
(1)
PG门槛
PG的晶体管的导通电阻
软启动后， PG延迟
PG从高
PG滞后
110% 112.5%
t
SS
从V内部SS时间
OUT
= 0到
V
OUT
= 95%
由设计保证。未经生产测试。
4
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内， VDD = 12 V （除非另有说明）
参数
逻辑阈值与设定条件
V
EN
I
EN
EN电压阈值
EN输入电流
启用
关闭
V
EN
= 5 V
R
RF
= 0
Ω
到GND ，T
A
= 25°C
(1)
测试条件
民
1.8
典型值
最大
单位
V
0.6
1.0
200
250
350
450
580
670
770
880
9.4
0.2
140
19
–160
–33
3
150
26
–150
–26
15
–15
115%
65%
0.8
2.0
4.00
120%
1
70%
1
2.6
4.20
0.25
145
10
75%
1.2
3.2
4.32
ms
ms
–3
125%
s
250
300
400
500
650
750
850
970
10.0
4700
1.2
160
33
–140
–19
mV
mV
300
350
450
550
720
820
930
1070
10.6
A
PPM /°C的
V
千赫
A
R
RF
= 187 kΩ到GND ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 619 kΩ到GND ，T
A
= 25°C
(1)
f
SW
开关频率
R
RF
=开放，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 866 kΩ到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 309 kΩ到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 124 kΩ到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 0
Ω
到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
保护：电流检测
I
旅
TC
ITRIP
V
旅
V
OCL
V
OCLN
V
AZCADJ
TRIP源电流
跳闸电流温度系数
电流限制阈值设定范围
电流限制阈值
负电流限制阈值
汽车零交叉调节范围
V
旅
= 1 V ，T
A
= 25°C
在25℃的基础
V
TRIP- GND
电压
V
旅
= 1.2 V
V
旅
= 0.2
V
旅
= 1.2 V
V
旅
= 0.2 V
积极
负
OVP检测
VFB延迟， 50 mV过
UVP检测
从英文到UVP可行，R
模式
= 39 kΩ
醒来
迟滞
关断温度
(2)
迟滞
(2)
(2)
保护： UVP和OVP
V
OVP
t
OVPDEL
V
UVP
t
UVPDEL
t
UVPEN
UVLO
V
UVVREG
VREG UVLO阈值
V
OVP阈值之旅
OVP传播延迟时间
输出的UVP跳变门限时间
输出的UVP传播延迟时间
输出的UVP使延迟时间
热关断
T
SDN
(1)
(2)
热关断阈值
°C
未经生产测试。测试条件为V
IN
= 12 V, V
OUT
= 1.1 V，I
OUT
= 5 A使用显示在应用电路
图33 。
由设计保证。未经生产测试。
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