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TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
D
D
D
直接升级到TL05x , TL07x和
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽( 10兆赫)和
3 ×压摆率( 45 V / μs)内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
D
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的, 17 -NV / √Hz的最大保证,一个典型的本底噪声,提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨,增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能,便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ,实行更严格的输入
失调电压,并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范,但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五,适用于低电压和/或单电源系统的操作,
推荐运算放大器( TLC-和TLV -前缀)德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
芯片载体
( FK )
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
( JG )
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
CHIP FORM
(Y)
TLE2071Y
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2071ACDR ) 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
芯片
支架
( FK )
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
芯片
形成的?
(Y)
TLE2072Y
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2072ACDR ) 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
外形
( DW )
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
芯片
支架
( FK )
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
芯片
形成的?
(Y)
TLE2074Y
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2074ACDWR ) 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071和TLE2071A
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2072和TLE2072A
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J或N包装
( TOP VIEW )
TLE2074和TLE2074A
DW包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC –
NC
3IN+
2IN -
2OUT
V
CC –
NC
偏移N2
NC
V
CC –
NC
2IN+
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
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NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似TLE2071C特点。热压
或超声波接合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(1)
(8)
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
(1)
(3)
(2)
(5)
VCC +
(7)
+
(4)
VCC =
(6)
OUT
(2)
85
(7)
(3)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(4)
(5)
(6)
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
58
4
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TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2072Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似TLE2072C特点。热压
或超声波接合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
VCC +
(8)
+
+
(4)
VCC =
(5)
(6)
2IN -
2IN +
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
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TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
D
D
D
直接升级到TL05x , TL07x和
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽( 10兆赫)和
3 ×压摆率( 45 V / μs)内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
D
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的, 17 -NV / √Hz的最大保证,一个典型的本底噪声,提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨,增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能,便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ,实行更严格的输入
失调电压,并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范,但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五,适用于低电压和/或单电源系统的操作,
推荐运算放大器( TLC-和TLV -前缀)德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年,德州仪器
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1
TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
芯片载体
( FK )
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
( JG )
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
CHIP FORM
(Y)
TLE2071Y
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2071ACDR ) 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
芯片
支架
( FK )
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
芯片
形成的?
(Y)
TLE2072Y
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2072ACDR ) 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
外形
( DW )
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
芯片
支架
( FK )
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
芯片
形成的?
(Y)
TLE2074Y
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2074ACDWR ) 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071和TLE2071A
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2072和TLE2072A
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J或N包装
( TOP VIEW )
TLE2074和TLE2074A
DW包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC –
NC
3IN+
2IN -
2OUT
V
CC –
NC
偏移N2
NC
V
CC –
NC
2IN+
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
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NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似TLE2071C特点。热压
或超声波接合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(1)
(8)
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
(1)
(3)
(2)
(5)
VCC +
(7)
+
(4)
VCC =
(6)
OUT
(2)
85
(7)
(3)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(4)
(5)
(6)
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
58
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
TLE207x , TLE207xA , TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2072Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似TLE2072C特点。热压
或超声波接合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
VCC +
(8)
+
+
(4)
VCC =
(5)
(6)
2IN -
2IN +
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
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