【STP51716TPS51716www.ti.comSLUSB94 - 2012年10月完整的DDR】,IC型号TPS51716RUKT,TPS51716RUKT PDF资料,TPS51716RUKT经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPS51716

www.ti.com

SLUSB94 - 2012年10月

完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和LPDDR3内存电源解决方案

同步降压控制器， 2 -A LDO ，具有缓冲基准

检查样品：

TPS51716

特点

同步降压控制器（ VDDQ ）

- 转换电压范围： 3 V至28 V

- 输出电压范围： 0.7 V至1.8 V

– 0.8% V

REF

准确性

- D- CAP2 模式的陶瓷输出

电容器

- 可选择500千赫/ 670 kHz的开关

频率

- 在轻重优化效率

负载时自动跳过功能

- 支持软关机在S4 / S5状态

- OCL / OVP / UVP / UVLO保护功能

- 电源良好输出

2 -A LDO （ VTT ），缓冲基准（ VTTREF ）

- 2 -A （峰值）库和源电流

- 需要陶瓷输出只有10 μF

电容

- 缓冲，低噪声， 10毫安VTTREF

产量

- 0.8 ％ VTTREF ， 20 mV的VTT精度

- 支持高-Z在S3和软关断S4 / S5

热关断

20引脚为3mm × 3mm时， QFN封装

描述

该TPS51716提供一个完整的电源

DDR2 ， DDR3 ， DDR3L和LPDDR3内存

系统中的最低总成本和最小的空间。

它集成了一个同步降压稳压控制器

（ VDDQ ）与2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）

和缓冲的低噪声基准（ VTTREF ）。该

TPS51716采用加上D- CAP2 模式

500 kHz或670 kHz的工作频率是

不支持的陶瓷输出电容器

外部补偿电路。该VTTREF轨道

VDDQ / 2具有优异的0.8 ％的准确度。的VTT ，

它提供了2 -A汇/源极峰值电流

能力，需要的陶瓷仅10 μF

电容。此外，该器件具有一个

专用LDO的电源输入。

该TPS51716提供丰富，实用的功能以及

作为出色的电源性能。它支持

灵活的电源状态控制，将VTT高-Z在

S3和放电VDDQ ， VTT和VTTREF （软

关）在S4 / S5状态。它包括可编程OCL

同

低端

MOSFET

DS （ ON）

传感，

OVP / UVP / UVLO和热关断保护。

TI提供了TPS51716采用20引脚为3mm × 3mm时，

QFN封装，并指定它的环境

在-40°C至85 ° C温度范围。

VIN

5VIN

保护地

TPS51716

VBST 15

12 V5IN

17 S3

16 S5

DRVH 14

SW 13

DRVL 11

VREF

保护地10

PGOOD 20

REFIN

VDDQSNS

VLDOIN

GND

VTT

VTTSNS

VTTGND

VTTREF

VTT

POWERGOOD

应用

DDR2 / DDR3 / DDR3L / LPDDR3内存电源

耗材

SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL

终止

VDDQ

保护地

19 MODE

18 TRIP

UDG-12146

AGND PGND

AGND

保护地

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

D- CAP2 ，的NexFET是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TPS51716

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

(1)

-40 ° C至85°C

(1)

包

塑料方形扁平封装（ QFN ）

订购设备

数

TPS51716RUKR

TPS51716RUKT

引脚

产量

供应

磁带和卷轴

迷你盘

最低

QUANTITY

3000

250

对于最新的封装和订购信息，请参阅

封装选项附录

在这个文件的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

价值

民

VBST

输入电压范围

(2)

VLDOIN ， VDDQSNS ， REFIN

VTTSNS

保护地， VTTGND

V5IN ， S3 ， S5 ， TRIP ， MODE

DRVH

(3)

输出电压范围

(2)

VTTREF ， VREF

VTT

DRVL

PGOOD

结温范围，T

存储温度范围，T

英镑

(1)

(2)

(3)

–55

(3)

单位

最大

3.6

0.3

3.6

125

150

°C

–0.3

–5

–0.3

–5

–0.3

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示

条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。

电压值是相对于于SW端子。

热信息

TPS51716

热公制

JCtop

JCbot

结至环境热阻

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

结至顶部的特征参数

结至电路板的特征参数

结至外壳（底部）热阻

RUK

（ 20 ）引脚

94.1

58.1

64.3

31.8

58.0

5.9

° C / W

单位

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TPS51716

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推荐工作条件

民

电源电压

V5IN

VBST

(1)

输入电压范围

(2)

VLDOIN ， VDDQSNS ， REFIN

VTTSNS

保护地， VTTGND

S3 ， S5 ， TRIP ， MODE

DRVH

输出电压范围

(1)

典型值

最大

5.5

33.5

5.5

3.5

0.1

5.5

33.5

5.5

33.5

3.5

5.5

单位

4.5

–0.1

-3

–4.5

–0.1

–3

–0.1

–4.5

–0.1

–40

DRVH

(2)

VTTREF ， VREF

VTT

DRVL

PGOOD

(1)

(2)

工作自由空气的温度

电压值是相对于于SW端子。

此电压应适用于重复周期的不到30％。

°C

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电气特性

在工作自由空气的温度范围内，V

V5IN

= 5V ， VLDOIN被连接到VDDQ输出V

模式

= 0 V, V

= V

= 5 V

（除非另有说明）

参数

电源电流

V5IN(S0)

V5IN(S3)

V5INSDN

VLDOIN(S0)

VLDOIN(S3)

VLDOINSDN

VREF输出

VREF

= 30

μA,

= 25°C

VREF

VREFOCL

VTTREF

VTTREFOCLSRC

VTTREFOCLSNK

VTTREFDIS

VTT输出

VTT

输出电压

VTT

≤

10毫安， 1.2 V

≤

VDDQSNS

≤

1.8 V，I

VTTREF

= 0 A

VTTTOL

输出电压容差为VTTREF

VTT

≤

1 A, 1.2

≤

VDDQSNS

≤

1.8 V，I

VTTREF

= 0 A

VTT

≤

2 A， 1.4 V

≤

VDDQSNS

≤

1.8 V，I

VTTREF

= 0 A

VTT

≤

1.5 A ， 1.2 V

≤

VDDQSNS

≤

1.4 V，I

VTTREF

= 0 A

VTTOCLSRC

VTTOCLSNK

VTTLK

VTTSNSBIAS

VTTSNSLK

VTTDIS

VDDQ输出

VDDQSNS

REFIN

VDDQDIS

VLDOINDIS

VDDQ电压感

VDDQSNS输入电流

REFIN输入电流

VDDQ放电电流

VLDOIN放电电流

VDDQSNS

= 1.8 V

REFIN

= 1.8 V

= V

= 0 V, V

VDDQSNS

= 0.5 V ，非追踪

放电模式

= V

= 0 V, V

VDDQSNS

= 0.5 V ，跟踪放电

模式

–0.1

REFIN

0.0

1.2

0.1

μA

源电流限制

灌电流限制

漏电流

VTTSNS输入偏置电流

VTTSNS漏电流

VTT放电电流

VDDQSNS

= 1.8 V, V

VTT

= V

VTTSNS

= 0.7 V，I

VTTREF

= 0 A

VDDQSNS

= 1.8V, V

VTT

= V

VTTSNS

= 1.1 V，I

VTTREF

= 0 A

= 25 ° C，V

= 0 V, V

= 5 V, V

VTT

= V

VTTREF

= 5 V, V

VTTSNS

= V

VTTREF

= 0 V, V

= 5 V, V

VTTSNS

= V

VTTREF

= 25 ° C，V

= V

= 0 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V,

VTT

= 0.5 V，I

VTTREF

= 0 A

–0.5

–1

0.0

7.8

–20

–30

–40

0.5

μA

VTTREF

输出电压

μA ≤

VREF

<300

μA,

= -10 ° C至85°C

μA ≤

VREF

<300

μA,

= -40 ° C至85°C

电流限制

VREF

= 1.7 V

VTTREF输出

输出电压

输出电压容差为V

VDDQ

源电流限制

灌电流限制

VTTREF放电电流

VTTREF

| <100

μA,

1.2 V

≤

VDDQSNS

≤

1.8 V

VTTREF

| <10毫安， 1.2 V

≤

VDDQSNS

≤

1.8 V

VDDQSNS

= 1.8 V, V

VTTREF

= 0 V

VDDQSNS

= 1.8 V, V

VTTREF

= 1.8 V

= 25 ° C，V

= V

= 0 V, V

VTTREF

= 0.5 V

49.2%

49%

0.8

1.3

VDDQSNS

50.8%

51%

1.7856

1.7820

0.4

0.8

1.8000

1.8144

1.8180

V5IN电源电流，在S0

V5IN电源电流，在S3中

V5IN关断电流

VLDOIN电源电流，在S0

VLDOIN电源电流，在S3中

VLDOIN关断电流

= 25 ° C，无负载，V

= V

= 5 V

= 25 ° C，无负载，V

= 0 V, V

= 5 V

= 25 ° C，无负载，V

= V

= 0 V

= 25 ° C，无负载，V

= V

= 5 V

= 25 ° C，无负载，V

= 0 V, V

= 5 V

= 25 ° C，无负载，V

= V

= 0 V

590

500

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关模式电源（ SMPS ）频率

开（分钟）

关（ MIN）的

VDDQ开关频率

最小导通时间

最小关断时间

= 12 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V ，R

模式

= 1 kΩ

= 12 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V ，R

模式

= 12 kΩ

DRVH上升到下降

(1)

DRVH下降至上升

200

500

670

320

450

千赫

(1)

由设计保证。未经生产测试。

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电气特性（续）

在工作自由空气的温度范围内，V

V5IN

= 5V ， VLDOIN被连接到VDDQ输出V

模式

= 0 V, V

= V

= 5 V

（除非另有说明）

参数

VDDQ MOSFET驱动器

DRVH

DRVL

DEAD

DRVH性

资料来源，我

DRVH

= -50毫安

水槽，我

DRVH

= 50毫安

资料来源，我

DRVL

= -50毫安

水槽，我

DRVL

= 50毫安

DRVH客来DRVL上

DRVL客来DRVH上

1.6

0.6

0.9

0.5

3.0

1.5

2.0

1.2

测试条件

民

典型值

最大

单位

DRVL性

死区时间

内部自举SW

FBST

VBSTLK

模式

THMODE

IHYST

ILK

软启动

VDDQ软启动时间

内部软启动时间，C

VREF

= 0.1

μF,

S5上升到V

VDDQSNS

> 0.99 ×V

REFIN

PGOOD从高

THPG

VDDQ PGOOD门槛

PGOOD在从下

PGOOD出更高

PGOOD出降低

PGDLY

PGSSDLY

PGOOD灌电流

PGOOD延迟时间

PGOOD启动延时

PGOOD

= 0.5 V

延迟的PGOOD

延迟PGOOD出来，与100毫伏以上的驱动器

VREF

= 0.1

μF,

S5上升到PGOOD上升

106%

90%

114%

82%

0.8

1.1

正向电压

VBST泄漏电流

V5IN-VBST

, T

= 25 ° C，I

= 10毫安

= 25 ° C，V

VBST

= 33 V, V

= 28 V

MODE 0-1

模式阈值电压

MODE 1-2

MODE 2-3

S3 / S5的低电平电压

S3 / S5的高电平电压

S3 / S5滞后电压

S3 / S5输入漏电流

–1

1.8

0.25

μA

109

235

392

0.1

0.01

0.2

1.5

μA

逻辑阈值

MODE源电流

129

255

412

149

275

432

0.5

μA

PGOOD比较器

108%

92%

116%

84%

5.9

330

2.5

1.2

110%

94%

118%

86%

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