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TC75S58AFE/AFC
TC75S58AFE,TC75S58AFC
单比较器(漏极开路输出)
该TC75S58AFE和TC75S58AFC是CMOS通用
单比较。该器件可从单电源供电
电压和被设计为一个较低的电源电流比
现有的通用双极比较器。的输出是
专为漏极开路输出,可以提供更高的电压
比电源。因此,有可能对上拉的
电压的电平比电源的更高。该
漏极开路输出可连接,或使用其他漏极开路
输出电路。
*输出电压应不超过最大额定值
TC75S58AFC
TC75S58AFE
特征
低电源电流:I
DD
= 10
μA
(典型值)。
单电源工作
宽共模输入电压: V
SS
~V
DD
0.9 V
漏极开路输出电路
低输入偏置电流
小型封装
CSON6-P-0.45
重量
SON5-P-0.50
:0.003克(典型值)。
CSON6 -P - 0.45 0.002克(典型值)。
记号
( TOP VIEW )
TC75S58AFE
5
4
引脚配置(顶视图)
TC75S58AFE
V
DD
5
OUT
4
TG
1
2
3
1
IN ( - )
2
V
SS
3
IN (+)
TC75S58AFC
记号
6
5
4
TC75S58AFC
V
DD
6
NC
5
OUT
4
TG
1
2
3
每月指示
1
2
3
IN ( - )
VSS
IN (+)
1
2007-10-01
TC75S58AFE/AFC
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
电源电压
差分输入电压
输入电压
输出电流
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DD
, V
SS
DV
IN
V
IN
I
O
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
±3.5
或7
±7
V
SS
~V
DD
±35
V
SS
~ V
SS
+ 7
TC75S58AFE
TC75S58AFC
100
100(Note1)
单位
V
V
V
mA
V
mW
°C
°C
40~85
55~125
注意:由于在CMOS结构,这种装置可以是易受闩锁。为了防止闩锁,请走
以下防范措施;
确保没有I / O引脚的电平超过以往任何时候都Vdd或低于Vss的。
电源接通定时。
此外,检查
不要使设备噪音过大。
(注1)
:FR4
在船上实施
(25.4mm
× 25.4毫米× 1.6吨,铜垫: 0.4毫米
2
2
2007-10-01
TC75S58AFE/AFC
电气特性
(V
DD
=
5 V, V
SS
=
GND ,TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
电压增益
灌电流
输出漏电流
断态泄漏电流
输出低电压
工作电源电压范围
传播延迟
(打开)
传播延迟
(关)
响应时间
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
G
V
I
SINK
I
泄漏
I
关闭
V
OL
V
DD
t
PLH (1)
t
PLH (2)
t
PHL ( 1 )
t
PHL ( 2 )
t
TLH
t
THL
(注)
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
DD
=
5 V , V
O
=
5 V
V
DD
=
0 V , V
O
=
5 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
分钟。
0
13
1.8
典型值。
±1
1
1
11
94
25
5
5
0.1
800
620
230
350
190
6
马克斯。
±7
4.1
22
0.3
7.0
单位
mV
pA
pA
V
μA
dB
mA
nA
nA
V
V
ns
ns
ns
电气特性
(V
DD
=
3 V, V
SS
=
GND ,TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
灌电流
输出漏电流
断态泄漏电流
输出低电压
传播延迟
(打开)
传播延迟
(关)
响应时间
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
(注)
I
SINK
I
泄漏
I
关闭
V
OL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
DD
=
3 V , V
O
=
3 V
V
DD
=
0 V , V
O
=
3 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
分钟。
0
6
典型值。
±1
1
1
10
18
5
5
0.15
590
230
170
5
马克斯。
±7
2.1
20
0.35
单位
mV
pA
pA
V
μA
mA
nA
nA
V
ns
ns
ns
注意:此设备随着其操作频率的增加的电流消耗。注意,功率
功耗不应超过允许的功率。
3
2007-10-01
TC75S58AFE/AFC
I
DD
– f
1000
VDD
=
3 V
(μA)
VSS
=
GND
Ta
=
25°C
100
电源电流
I
DD
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
频率f
(千赫)
I
DD
– f
1000
VDD
=
5 V
(μA)
VSS
=
GND
Ta
=
25°C
100
电源电流
I
DD
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
频率f
(千赫)
4
2007-10-01
TC75S58AFE/AFC
V
OL
– I
SINK
3.0
5.0
VDD
=
3 V
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
5
10
VDD
=
5 V
VSS
=
GND
Ta
=
25°C
V
OL
– I
SINK
V
OL
(V)
2.5
VSS
=
GND
Ta
=
25°C
2.0
输出低电压
1.5
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
输出低电压
V
OL
(V)
15
20
25
30
35
40
灌电流
I
SINK
(MA )
灌电流
I
SINK
(MA )
P
D
- TA
300
数据
获得
an
卸载独立的IC 。
会更大。
200
如果IC是
( mW)的
安装在PCB上,其功耗
需要注意的是,取决于
PCB的热特性,该
曲线可以从这些大不相同
如图所示。
功耗
P
D
100
0
40
0
40
80
120
环境温度
Ta
(°C)
5
2007-10-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TC75S58AFE_07
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