TPS51113 ， TPS51163
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SLUS864 - 2009年5月
高电流栅极驱动器同步降压控制器
1
特点
灵活的电源轨： 5 V至12 V
参考文献： 800 mV的± 0.8 ％
电压模式控制
支持预偏置启动
可编程过流保护与
低压侧R
DS （ ON）
电流检测
固定的300千赫（ TPS51113 ）和600 kHz的
（ TPS51163 ）开关频率
UV / OV保护和电源良好指示器
内部软启动
集成高电流驱动技术
VDD
10引脚3 × 3 SON封装
描述
该TPS51113与TPS51163是成本优化，
功能丰富，单通道同步降压
控制器，采用单4.5 V至13.2 V
供给，并且可以将输入的电压低至
1.5 V.
该控制器实现电压模式控制
一个固定的300 kHz的（ TPS51113 ）和600 kHz的
（ TPS51163 ）的开关频率。过电流
（ OC），保护采用低侧R
DS （ ON）
当前
感测，并具有用户可编程的阈值。该
OC阈值由从LDRV_OC电阻设定
连接到GND 。的电阻值，读取时
过电流编程电路适用10
A
of
在校准过程中的LDRV_OC引脚电流
在启动序列的相位。
该TPS51113 / TPS51163
预偏置启动。
还
支持
产量
应用
服务器和桌面计算机子系统
电源（ MCH ， IOCH ， PCI ，终端）
分布式电源
一般的DC- DC转换器
低死区时间的强大的栅极驱动器允许
的较大MOSFET的利用率，实现更高
效率。自适应反交叉传导机制
用于防止电源之间的直通
场效应管。
典型应用电路
V
OUT
VDD
V
IN
C3
D1
1
Q1
L1
+
3
Q2
HDRV
FB
8
C2
R2
R5
C4
11
UDG-08105
TPS51113\TPS51163
BOOT
PGOOD 10
R6
R4
R1
R3
C5
2
SW
VOS
9
C1
R
BIAS
启用
V
OUT
C6
C7
4
LDRV_OC
COMP_EN
7
–
R
OC
5
GND
VDD
6
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
订购
设备
TPS51113DRCR
TPS51163DRCR
TPS51113DRCT
TPS51163DRCT
(1)
TYPE
儿子
儿子
制图
的DRc
的DRc
引脚
10
10
数量
3000
250
环保计划
绿色
（ RoHS和无锑/溴）
绿色
（ RoHS和无锑/溴）
铅/焊球
完
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值
温度
Level-2-260C-1Year
Level-2-260C-1Year
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明，所有的电压是相对于GND ）。
参数
VDD
BOOT
输入电压范围
开机， SW （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒< t<为100 ns）
BOOT （负过冲-5 V在t <为25ns ，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
所有其他引脚
SW
SW （负过冲-5 V在t <为25ns ，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
HDRV
HDRV到SW （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒< t<为100 ns）
输出电压范围
HDRV （负过冲-5 V在t <为25ns ，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
LDRV_OC
LDRV_OC （负过冲-5 V在t <为25ns ，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
PGOOD
所有其他引脚
T
J
工作结温
T
英镑
存储结温
(1)
(2)
价值
-0.3至15
-0.3 30
-5.0至15
-5.0至37
-0.3 3.6
-0.3至22
-5.0至30
-0.3 30
-5.0至15
-5.0至37
-0.3至15
-5.0至15
-0.3至15
-0.3 3.6
-40至125
-55到150
°C
V
V
单位
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
典型值
最大
2500
1500
单位
V
2
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包装耗散额定值
包
气流（ LFM ）
0 （自然对流）
的DRc
200
400
(1)
R
θJA
高-K主板
(1)
（ ° C / W）
47.9
40.5
38.2
额定功率（ W）
T
A
= 25°C
2.08
2.46
2.61
额定功率（ W）
T
A
= 85°C
0.835
0.987
1.04
根据JEDEC的高导热率（高K）董事会评级。关于测试方法的更多信息，请参见TI技术简介
(SZZA017).
推荐工作条件
（除非另有说明，所有电压都是相对于GND ）
民
VDD
BOOT
电源电压
开机， SW （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒< t<为100 ns）
BOOT （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
所有其他引脚
SW
SW （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
HDRV
HDRV到SW （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒< t<为100 ns）
输出电压
HDRV （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
LDRV_OC
LDRV_OC （负过冲-5 V在t < 25纳秒，
125 V × NS /吨， 25纳秒<吨<为100 ns）
PGOOD
所有其他引脚
T
A
工作环境温度
–0.1
–0.1
–3.0
–3.0
–0.1
–0.1
–3.0
–0.1
–3.0
–3.0
–0.1
–3.0
–0.1
–0.1
–40
典型值
最大
13.2
28.0
13.2
35.0
3.0
20.0
28.0
28.0
13.2
35.0
13.2
13.2
13.2
3.0
85
°C
V
V
单位
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电气特性
这些规范适用于-40°C
≤
T
A
≤
至85℃ ，V
VDD
= 12伏直流。 （除非另有说明）
参数
输入电源
V
VDD
I
VDD
VDD UVLO
UVLO
UVLO
HYS
参考
V
REF
参考电压
参考电压
振荡器
f
SW
V
坡道
PWM
D
最大
吨
民
T
NO
T
SSD
T
SS
增益带宽积
AOL
I
IB
EA
SR
V
COMPDIS
I
ILIM
I
HDHI
R
HDLO
I
LDHI
R
LDLO
(1)
最大占空比
最低控制脉冲
输出驱动器死区时间
软启动延迟时间
软启动时间
增益带宽积
(1)
DC增益
(1)
(1)
测试条件
民
4.5
典型值
最大
13.2
30
6
单位
V
mA
mA
V
mV
电源电流
关断电流
VDD UVLO
UVLO阈值迟滞
切换启用
(1)
切换抑制
提高VDD
4.0
4.3
250
0°C
≤
T
A
≤
85°C
–40°C
≤
T
A
≤
85°C
TPS51113测量SW引脚上，
TPS51163牛逼
A
= 25°C
794
792
270
540
800
800
300
600
1.5
TPS51113
TPS51163
72%
69%
4.6
806
808
330
660
mV
mV
开关频率
PWM斜坡幅度
(1)
千赫
V
100
30
4.0
2.0
C
COMP
< 20 pF的
89
–100
(1)
ns
ns
软启动
5.5
3.5
16
7.0
5.0
ms
ms
兆赫
dB
nA
V / μs的
0.8
9.3
启动到HDRV电压为5 V
V
VDD
= 12 V ;我
DRV
= -100毫安
VDD到LDRV电压为5 V
V
VDD
= 12 V
10.0
1.5
1.4
1.5
0.8
10.7
V
A
A
A
误差放大器器
输入偏置电流
误差放大器的输出压摆率
C
COMP
< 20 pF的
COMP_EN禁用引脚电压
过流阈值设定电流
高侧驱动器的上拉电流
(1)
高侧驱动器，下拉电阻
低侧驱动器的上拉电流
(1)
低端驱动器下拉电阻
6
短路保护
栅极驱动器
由设计保证。未经生产测试。
4
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电气特性（续）
这些规范适用于-40°C
≤
T
A
≤
至85℃ ，V
VDD
= 12伏直流。 （除非另有说明）
参数
电源良好
V
PGLR
V
PGLF
V
PGUR
V
PGUF
V
PG
I
PGDLK
V
UVP
V
OVP
V
OVPL
I
OS
低门槛POWERGOOD
低门槛POWERGOOD
上POWERGOOD门槛
上POWERGOOD门槛
PGOOD引脚电压
漏电流
UVP阈值
OVP阈值
OVP锁存器的阈值
VOS输入偏置电流
VOS电压上升
VOS电压下降
VOS电压上升
VOS电压下降
I
PDG
= 4毫安
V
PGOOD
= 5 V
VOS电压下降
VOS电压上升
VOS电压下降
0.576
0.96
0.376
–100
0.600
1.00
0.400
0.728
0.696
0.856
0.824
0.752
0.720
0.880
0.848
0.776
0.744
0.904
0.872
0.4
20
0.624
1.04
0.424
100
V
V
V
V
V
A
V
V
V
nA
测试条件
民
典型值
最大
单位
UV / OV保护
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