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TPIC46L01 ， TPIC46L02 ， TPIC46L03

6通道串行和并行低侧PRE FET驱动器

SLIS055B - 1996年11月 - 修订2001年8月

6通道串行输入/并行中低端

前置FET驱动器

设备可级联

内置55 -V感性负载钳位和

保护钳位外部电源

场效应管

独立的短路负载/短路到电池

故障发生在所有的漏端检测

独立的关断状态负载开路故障

SENSE

过电池欠压锁定保护

和故障报告

下电池欠压锁定保护

对于TPIC46L01和TPIC46L02

异步漏极开路故障标志

器件的输出可以线或与

多个外部设备

故障状态返回通过串行

输出端子

设备内部全局上电复位

高阻抗CMOS兼容输入

与迟滞

TPIC46L01和TPIC46L03禁用

门当输出短路，负载故障

OCCURS

TPIC46L02跃迁门输出到

低占空比的PWM模式当

短路负载发生故障

FLT

VCOMPEN

VCOMP

IN0

IN1

IN2

IN3

IN4

IN5

SDO

SDI

SCLK

DB包装

（ TOP VIEW ）

BAT

GATE0

DRAIN0

GATE1

DRAIN1

DRAIN2

GATE2

GATE3

DRAIN3

DRAIN4

GATE4

DRAIN5

GATE5

GND

描述

该TPIC46L01 ， TPIC46L02和TPIC46L03是低侧预驱动提供串行输入接口和

并行输入接口来控制，如所提供的六个外部场效应晶体管（FET）的功率开关

德州仪器TPIC系列电源阵列。这些设备主要用于低频设计

开关，电感性负载的应用，例如螺线管和继电器。每个通道的故障状态可用

在串行数据格式。每个驱动器通道都有独立的关断状态负载开路检测和状态

短路负载/短路至电池电压检测。电池过压和欠压检测和关闭的

提供的。电池和输出负载故障提供给控制器的实时故障报告。每个通道还

提供了外部FET的感应电压瞬变保护。

这些器件提供了通过串行输入接口或并行接口的输入输出控制通道。

一个命令来使能输出从任一界面使各个通道闸输出到

外部FET 。串行输入接口时，建议的控制装置之间的信号数

和预驱动器必须被最小化，并且操作的速度是不严格的。在应用中

预驱动器必须非常迅速地或异步响应，并行输入接口，值得推荐。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2001年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

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6通道串行和并行低侧PRE FET驱动器

SLIS055B - 1996年11月 - 修订2001年8月

描述（续）

对于串行操作，控制装置必须从高转换的CS为低电平，激活串行输入接口。

当发生这种情况时，SDO启用，故障数据被锁存到串行输入接口，和FLT标志是

刷新。

数据的时钟在SCLK的通过SDI低到高的转换串行寄存器。每个数据字符串必须

由8位数据。在实际应用中有多个器件级联在一起，必须数据的字符串

由8位的每个设备。高数据位开启相应的输出通道和低数据位圈

它关闭。故障的设备数据同步输出SDO为串行输入数据移入器件。故障数据

由故障标志为过电池电压（位8），根据电池电压（位7 ）（未在TPIC46L03 ），并

短路/开路负载标志位（位1-6）的每个的6个输出通道。在故障数据的逻辑高电平位指示

故障和逻辑低电平位表示没有故障出现在该通道。故障寄存器位被置位或清零

异步地反映了硬件的当前状态。故障必须存在，当CS被转换

从高分到低分被捕获并报告在串行故障数据。新故障不能在串行捕获

注册当CS为低电平。 CS必须转变高之后的所有串行数据已移入器件。

CS从低到高的转变传输串行数据的最后6位输出缓冲区，使SDO在

高阻抗状态，并清除并重新启用故障寄存器。该TPIC46L01 / L02 / L03的目的是要

允许多个设备的串行输入接口被级联在一起，简化了串行接口，用于

控制器。串行输入的数据流通过该装置和运出的SDO以下的故障数据

级联配置。

对于并行操作，数据异步直接从并行输入接口（ IN0 - IN5 ）来转移

各自的栅极输出。 SCLK或CS不需要用于并行控制。 A 1的并行输入接通

上，各个频道里一0将其关闭。注意，无论是串行接口或并行接口可以

使一个信道。下并行运行，故障数据仍然必须通过该串行数据接口收集。

该预驱动器监视漏极电压为每个信道，以检测短路负载或负载开路故障条件

在开和关状态分别。这些器件提供了一种使用内部的选择

故障的参考电压或外部提供的VCOMP用于故障检测。内部故障参考

通过连接VCOMPEN到GND和外部基准选择选择通过连接VCOMPEN

到V

。漏极电压是相对于故障的基准电压时，所述信道被接通，以检测

短路负载条件下，当所述信道处于关闭状态，以检测负载开路条件。当一个短路，负载故障

发生使用TPIC46L01或TPIC46L03 ，信道被关断和一个故障信号被发送到FLT以及

作为对串行故障寄存器位。当一个短路负载的故障，同时使用TPIC46L02 ，信道发生

跃迁到低占空比脉冲宽度调制（PWM）信号，只要故障存在。

短路负载条件下，必须存在至少在短路负载尖峰脉冲的时间t

（ STBDG ）

中，为了将

标记为错误。一个故障信号被发送到FLT以及串行故障寄存器位。对故障检测的更多细节

操作见本数据手册中的设备操作部分。

该TPIC46L01和TPIC46L02从过电池电压和欠电压电池提供保护

条件无关的输出信道的状态。该TPIC46L03来自电池提供保护

的输出信道的状态的电压条件下，不论当电池电压大于所述

过压阈值或小于所述欠压阈值（除了TPIC46L03 ，其具有无

欠压阈值）时，所有通道都被禁止和一个故障信号被发送到FLT以及给各

故障寄存器位。输出恢复到正常运行状态，一旦电池电压故障已得到纠正。

当过电池/下电池电压状态时，设备会报告电池故障，但禁用

故障报告的开路和短路负载条件下。故障的开路和短路负载条件下的报告

重新启用电池故障已得到纠正之后。

这些器件提供在所有通道上的感应瞬态保护。漏极电压被钳位，以保护

场效应管。此钳位电压为V的总和定义

并开启了外部FET的电压。预驱动器

还提供了一种栅 - 源电压（V

）钳位，以保护功率FET的栅极 - 源极的

超过其额定电压。

这些器件提供除CS的所有输入下拉电阻。一个上拉电阻，用于CS 。

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6通道串行和并行低侧PRE FET驱动器

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原理图

故障逻辑

UVLO-

OVLO

SDI

SCLK

VCC

串行寄存器

SDO

平行注册

在0

IN 1

IN 2

IN 3

在4

在5

FLT

PREZ

GND

漏极0

排水1

排水2

排水3

漏极4

排水5

机顶盒和负载开路故障

保护

VCOMPEN

OSC

BIAS

门

驱动块

VBG

门0

门1

门2

3号门

4门

5门

VCOMP

VBAT

OVLO

UVLO-

UVLO不TPIC46L03

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终端功能

终奌站

名字

号

I / O

描述

片选。在CS为高电平到低电平的跳变使SDO ，锁存故障数据为串行接口，以及

刷新故障标志。当CS为高电平时，故障寄存器可以改变故障状态。在CS的下降沿，故障

数据被锁存到串行输出寄存器，并使用SDO和SCLK传输。上一个低到高的过渡

CS，串行数据被锁存到输出控制寄存器。

FET漏极输入。 DRAIN0通过DRAIN5既用于负载开路和短路故障检测在漏

的外部FET 。它们也可用于电感性瞬态保护。

DRAIN0

DRAIN1

DRAIN2

DRAIN3

DRAIN4

DRAIN5

FLT

故障标志。 FLT是一个漏极开路输出，提供了实时故障标志短路负载/开路负载/过电池

电压/欠电压电池故障。该装置可被进行或运算以FLT上的其它设备进行中断处理。 FLT

需要一个外部上拉电阻。

栅极驱动输出。 GATE0通过GATE5输出都来自于VBAT电源。内置夹子防止

电压从超过VGS额定值上最FET的这些节点。

GATE0

GATE1

GATE2

GATE3

GATE4

GATE5

GND

IN0

IN1

IN2

IN3

IN4

IN5

SCLK

SDI

SDO

地面和基板

平行栅极驱动器的输入。通过IN5 IN0是门预驱动电路的实时控制。他们是CMOS

与迟滞不兼容。

串行时钟。 SCLK提供时钟的移位寄存器。串行数据移入SDI和串行故障数据时钟输出的

SDO在串行时钟的下降沿。

串行数据输入。输出控制数据移入通过SDI串行寄存器。在SDI A 1命令一

上一个0特定门的输出将其关闭。

串行数据输出。 SDO是该故障的数据传送到控制装置的三态输出。它还通过串行

输入数据，以用于级联操作的下一阶段。 SDO是采取高阻抗状态，当CS为高

状态。

电池供电电压输入

逻辑电源电压

故障参考电压选择。 VCOMPEN选择内部产生故障的参考电压（0）或

在shorted-和负载开路故障检测电路，以用于外部故障参考（1）。

故障的参考电压。 VCOMP提供了外部故障的参考电压为shorted-和负载开路故障

检测电路。

VBAT

VCC

VCOMPEN

VCOMP

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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至7 V

电池电源电压范围，V

BAT

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至60 V

输入电压范围，V

（在任何输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至7 V

输出电压范围，V

（ SDO和FLT ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至7 V

漏极 - 源极输入电压V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至60 V

输出电压V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至15 V

工作温度范围内，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

热阻，结到环境，R

θJA

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 112 ° C / W

工作结温范围，T

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至150℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于GND 。

推荐工作条件

民

逻辑电源电压VCC

电池的供电电压， VBAT

高电平输入电压， VIH

低电平输入电压， VIL

建立时间， SDI前SCLK上升沿高， TSU （见图5）

保持时间后SCLK上升沿SDI高，日（见图5）

外壳温度， TC

4.5

0.85 VCC

125

喃

最大

5.5

VCC

0.15 VCC

单位

°C

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