TPD4S014
www.ti.com
SLVSAU0A
–
2011年5月
–
经修订的2011年6月
完整保护解决方案，用于USB充电端口指示，包括ESD
保护所有线路和过电压保护VBUS上
检查样品：
TPD4S014
1
特点
输入电压保护在VBUS高达28V
低罗恩的nFET开关
支持
>2A
充电电流
过压和欠压锁定
特点
低电容TVS ESD钳位的USB2.0
高速数据传输速率
内部16ms的启动延时
集成的输入使能和状态输出
信号
热关机功能
ESD性能的D + / D- / ID / V
公共汽车
引脚
- ± 15千伏
接触放电（ IEC 61000-4-2 ）
- ± 15千伏
气隙放电（ IEC 61000-4-2 ）
节省空间的QFN封装（2毫米× 2毫米）
应用
手机
电子书
便携式媒体播放器
数码相机
DSQ包装
（TOP SIDE /透视VIEW ）
V
CC
V
CC
EN
确认
1
10
V
公共汽车
V
公共汽车
GND
D+
ID
5
6
D-
描述
该TPD4S014是USB充电器端口保护的单芯片解决方案。该器件还提供低电容TVS
型ESD钳位器的D +，D-和标准容量为ID引脚。在VBUS引脚，该器件可
办理过电压保护高达28V 。过压锁定功能，确保如果出现故障
条件在VBUS线， TPD4S014是能够隔离VBUS线并保护内部电路
损害。类似地，欠压锁定特征确保有从内部VCC没有功率消耗
飞机外部VBUS端的情况下有短至GND 。有VBUS十字架后16ms的导通延迟
欠压锁定阈值，为了让闭合开关前的电压稳定。此功能
作为一种抗尖峰脉冲，并防止不必要的开关，如果有连接在任何振铃就行了。
订购信息
T
A
–40°C
至85℃
PACKAGE(1)(2)
QFN
–
DSQ （ 0.4毫米间距）
磁带和卷轴
订购型号
TPD4S014DSQR
顶部端标记
中兴通讯
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2011年，德州仪器
TPD4S014
SLVSAU0A
–
2011年5月
–
经修订的2011年6月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电路原理图
V
公共汽车
V
CC
国内
带隙
参考
OVLO
UVLO
控制逻辑
+
电荷泵
确认
EN
GND
D+
D-
ID
设备操作
OTP
X
X
L
L
X
H
UVLO
H
X
L
L
X
X
OVLO
X
H
L
L
X
X
EN
X
X
H
L
X
X
SW
关闭
关闭
关闭
ON
关闭
关闭
确认
H
H
L
L
H
H
= OTP过温度保护电路活跃
UVLO =欠压锁定电路活跃
OVLO =过压闭锁电路活跃
SW =负荷开关
CP =电荷泵
X =无关
H =真
L =假
2
版权
2011年，德州仪器
TPD4S014
www.ti.com
SLVSAU0A
–
2011年5月
–
经修订的2011年6月
引脚功能
针
名字
D–
D+
ID
确认
EN
VBUS
VCC
GND
中央
PAD
号
6
7
5
4
3
9, 10
1, 2
8
中央
PAD
TYPE
I / O
I / O
I / O
O
I
USB输入
动力
地
散热器
USB数据 -
USB数据+
USB ID信号
漏极开路适配器电压指示输出。 ACOK被拉低后的VIN电压是稳定的
之间UVLO和OVLO为16毫秒（典型值） 。从ACOK连接一个上拉电阻的逻辑I / O
电压为主机系统的。
启用低电平有效的输入。驱动EN低，使开关。驱动EN为高电平，禁止开关。
USB连接器的VBUS
描述
电源输出连接到PCB内部电路板平面
连接至PCB的接地层
电断开。用作散热器。通过大PCB焊盘连接到GND平面
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
民
最大电压V
公共汽车
连续电流通过NFET
通过D +，D- ，ID VBUS ESD钳位最大电流
连续电流通过逻辑输出
最高结温
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
人体模型
(1)
(2)
D +，D- ，ID VBUS引脚
D +，D- ，ID VBUS引脚
EN ， ACK ， VCC引脚
–50
–40
–0.5
最大
30
2.6
-50
50
150
±15
±15
±2
单位
V
A
mA
mA
°C
kV
kV
kV
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPD4S014
DSQ （ 10 ）引脚
70.3
46.3
33.8
2.9
33.5
16.3
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
版权
2011年，德州仪器
3
TPD4S014
SLVSAU0A
–
2011年5月
–
经修订的2011年6月
www.ti.com
电气特性，EN ACK时， D +，D- ，身份证销
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
IH
V
IL
I
L
V
OL
V
D
ΔC
IO
C
IO
C
IO -ID
V
RS
V
BR
V
BR VBUS
R
DYN
高电平输入电压EN
低电平输入电压EN
输入漏电流EN ， D +，D- ，身份证
低电平输出电压ACK
二极管的正向电压D + ， D-， ID引脚;低钳位二极管
在D +之间的差动电容， D-线路
电容到GND为D + ， D-线路
电容至GND的ID线
D + ， D-和ID引脚的反向对峙电压
击穿电压D +，D-的ID标签
VBUS上击穿电压
动态电阻D + ， D-， ID夹
I
br
= 1毫安
I
br
= 1毫安
I
I
= 1安培
6
28
1
测试条件
负载电流= 50
A
负载电流= 50
A
V
I
= 3.3 V
I
OL
= 2毫安
I
O
= 8毫安
0.03
1.6
19
5
民
1
0.5
1.0
0.1
0.95
典型最大单位
V
V
A
V
V
pF
pF
pF
V
V
V
Ω
电气特性OVP电路
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
输入欠压锁定
V
UVLO +
V
UVLO-
V
HYS- UVLO
R
DS-
VBUSSWITCH
测试条件
民
TYP MAX
单位
欠压锁定，输入功率
检测阈值上升
欠压锁定，输入功率
检测阈值下降
迟滞的UVLO
VBUS增加从0V至5V ，输出引脚无负载
VBUS下降，从5V至0V ，就OUT空载
针
Δ
V的
UVLO +
和V
UVLO-
2.65
2.25
150
2.8
2.44
360
3
2.7
550
V
V
mV
输入输出特性
VBUS开关电阻
开启时间
打开-O FF时间
输入过压保护
门槛
输入过压保护
门槛降
滞后的OVP
最大过压延迟
从输入恢复时间
过压条件
VBUS
从V测时间
公共汽车
8 V
≥
6伏，1微秒的下降时间
8
V
公共汽车
= 5 V，I
OUT
= 500毫安
R
L
= 36
,
C
L
= 10 uF的
R
L
= 36
,
C
L
= 10 uF的
16
151
17.4
200
18
8
m
ms
s
t
ON
t
关闭
输入过压保护（ OVP ）
V
OVP +
V
OVP-
V
HYS- OVP
t
D（ OVP ）
t
REC
VBUS
VBUS
VBUS
V
公共汽车
从5 V增加至7 V ，空载
V
公共汽车
减少从7V至5V ，空载
V
公共汽车
从7 V降低到5 V ，空载
5.55
5.75
25
6.15
5.98
100
6.45
6.24
275
11
9
V
V
mV
s
ms
电源电流消耗
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
I
VBUS
I
VBUS_OFF
VBUS工作电流
消费
VBUS工作电流
消费
热关断
热关断迟滞
测试条件
在V空载
CC
针，V
公共汽车
= 5 V ， EN = 0 V
在V空载
CC
针，V
公共汽车
= 5 V ， EN = 5 V
典型值
147.6
111.8
最大
160
120
单位
A
A
热关机功能
T
SHDN
T
SHDN - HYS
144
23
°C
°C
4
版权
2011年，德州仪器
TPD4S014
www.ti.com
SLVSAU0A
–
2011年5月
–
经修订的2011年6月
一般操作
该TPD4S014提供USB充电器接口的单芯片保护解决方案。在VBUS线是宽容
高达28 V的低R
DS （ ON）
nFET的开关用于在发生故障状态断开下游电路。
上电时，当VBUS电压上升时，开关将关闭16毫秒的输入跨越后
欠压阈值，从而使得功率提供给下游电路。该TPD4S014也有一个
确认信号输出，它会释放提醒已经发生了故障的系统。该TPD4S014提供4通道ESD
夹具的D +，D- ，ID和VBUS引脚提供IEC61000-4-2 4级ESD保护。这消除了
需要在应用程序外部的TVS钳位电路。
该TPD4S014有一个内部振荡器和电荷泵，用于控制内部的nFET开关的导通。
内部振荡器控制定时器，使导通的电荷泵和设置的状态
漏极开路输出ACK 。如果V
公共汽车
＆ LT ;
V
UVLO
或者，如果V
公共汽车
＆ GT ;
V
OVLO
，内部振荡器仍处于关闭状态，从而禁止
电荷泵。电荷泵在启动时，一个内部16ms的延迟后，打开内部的nFET开关，
断言ACK 。在任何时候，若V
公共汽车
低于V
UVLO
或高于V
OVLO
的ACK被释放， nFET的开关
被禁用。
当输入电压上升高于V
OVP
或低于V
UVLO
时，内部V
公共汽车
开关关断时，
除去功率给应用程序。在ACK信号被断言检测到故障条件时。如果故障是
过压事件时， V
公共汽车
FET开关低于V输入电压恢复后打开8ms的
OVP
–
V
HYS- OVP
和
仍高于VUVLO 。如果故障是一个欠压时，开关上的电压打开后16毫秒
上述V回报
UVLO +
（类似于启动） 。当开关导通时，该ACK被再次置位。
16ms的抗尖峰脉冲时间在对顺序依次被引入，以确保输入电源有
打开开关之前稳定下来。噪声对VBUS线路上使用，可以打开开关时，故障状态
仍然是活动的。为了避免这种情况， OVP抗干扰性允许在VBUS线噪声被拒绝。这样的小故障
保护电路也被引入，在关断顺序，以防止该开关从关闭供
电压瞬变。该故障保护电路集成毛刺随着时间的推移，让OVP电路
触发速度更快更大的电压偏移超过OVP阈值和较慢的缩短游览。该
保护电路具有8的最大延迟
s.
当装置接通时，通过该装置流动的电流将导致器件的升温。在加热罐
导致器件的永久性损坏。为了防止这种情况，一个过温保护已被设计成
该设备。每当结点温度超过145
°C,
该开关将关闭，由此限制
温度。该ACK信号将被置为一个过温度事件。一旦该装置冷却到
低于120
°C
ACK信号将被拉高，而开关将导通，如果EN为活性和VBUS
电压欠压锁定和过压保护阈值内。而在该装置中的过温保护不会
踢，除非模具温度达到145
°C,
它通常建议小心保持
低于125的结温
°C.
上面125的装置的操作
°C
对于延长的时间段可能会影响
部件的长期可靠性。
该装置的结温可以使用以下公式来计算：
T
j
=
T
a
+
P
D
q
JA
T
j
T
a
θ
JA
P
D
=
=
=
=
结温
环境温度
热阻
耗散功率器件
(1)
P
D
=
I
2
R
on
I
R
ON
=
=
电流通过设备
马克斯对设备的耐
(2)
版权
2011年，德州仪器
5
TPD4S014
www.ti.com
SLVSAU0B
–
2011年5月
–
经修订的2011年10月
完整保护解决方案，用于USB充电器端口
包括ESD保护所有行
过电压保护VBUS上
检查样品：
TPD4S014
1
特点
输入电压保护在VBUS高达28V
低罗恩的nFET开关
支持
>2A
充电电流
过压和欠压锁定
特点
低电容TVS ESD钳位的USB2.0
高速数据传输速率
内部16ms的启动延时
集成的输入使能和状态输出
信号
热关机功能
ESD性能的D + / D- / ID / V
公共汽车
引脚
- ± 15千伏
接触放电（ IEC 61000-4-2 ）
- ± 15千伏
气隙放电（ IEC 61000-4-2 ）
节省空间的QFN封装（2毫米× 2毫米）
应用
手机
电子书
便携式媒体播放器
数码相机
DSQ包装
（TOP SIDE /透视VIEW ）
V
公共汽车
OUT
V
公共汽车
OUT
EN
确认
ID
1
10
V
公共汽车
V
公共汽车
GND
D+
5
6
D-
描述
该TPD4S014是USB充电器端口保护的单芯片解决方案。该器件还提供低电容TVS
型ESD钳位器的D +，D-和标准容量为ID引脚。在VBUS引脚，该器件可
办理过电压保护高达28V 。过压锁定功能，确保如果出现故障
条件在VBUS线， TPD4S014是能够隔离VBUS线并保护内部电路
损害。类似地，欠压锁定特征确保有从内部VCC没有功率消耗
飞机外部VBUS端的情况下有短至GND 。有VBUS十字架后16ms的导通延迟
欠压锁定阈值，为了让闭合开关前的电压稳定。此功能
作为一种抗尖峰脉冲，并防止不必要的开关，如果有连接在任何振铃就行了。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2011年，德州仪器
TPD4S014
SLVSAU0B
–
2011年5月
–
经修订的2011年10月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电路原理图
V
公共汽车
V
公共汽车
OUT
国内
带隙
参考
OVLO
UVLO
控制逻辑
+
电荷泵
确认
EN
GND
D+
D-
ID
设备操作
OTP
X
X
L
L
H
UVLO
H
X
L
L
X
OVLO
X
H
L
L
X
EN
X
X
H
L
X
SW
关闭
关闭
关闭
ON
关闭
确认
H
H
L
L
H
= OTP过温度保护电路活跃
UVLO =欠压锁定电路活跃
OVLO =过压闭锁电路活跃
SW =负荷开关
CP =电荷泵
X =无关
H =真
L =假
2
版权
2011年，德州仪器
TPD4S014
www.ti.com
SLVSAU0B
–
2011年5月
–
经修订的2011年10月
引脚功能
针
名字
D–
D+
ID
确认
EN
VBUS
VBUS_O
UT
GND
中央
PAD
号
6
7
5
4
3
9, 10
1, 2
8
中央
PAD
TYPE
I / O
I / O
I / O
O
I
USB输入
动力
USB数据 -
USB数据+
USB ID信号
漏极开路适配器电压指示输出。 ACOK被拉低后的VIN电压是稳定的
之间UVLO和OVLO为16毫秒（典型值） 。从ACOK连接一个上拉电阻的逻辑I / O
电压为主机系统的。
启用低电平有效的输入。驱动EN低，使开关。驱动EN为高电平，禁止开关。
USB连接器的VBUS
描述
电源输出连接到PCB内部电路板平面
地
散热器
连接至PCB的接地层
电断开。用作散热器。通过大PCB焊盘连接到GND平面
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
民
最大电压V
公共汽车
连续电流通过NFET
通过D +，D- ，ID VBUS ESD钳位最大电流
连续电流通过逻辑输出
最高结温
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
人体模型
(1)
(2)
D +，D- ，ID VBUS引脚
D +，D- ，ID VBUS引脚
EN， ACK时， VBUSOUT销
–50
–40
–0.5
最大
30
2.6
-50
50
150
±15
±15
±2
单位
V
A
mA
mA
°C
kV
kV
kV
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPD4S014
DSQ （ 10 ）引脚
70.3
46.3
33.8
2.9
33.5
16.3
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
版权
2011年，德州仪器
3
TPD4S014
SLVSAU0B
–
2011年5月
–
经修订的2011年10月
www.ti.com
电气特性，EN ACK时， D +，D- ，身份证销
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
IH
V
IL
I
L
V
OL
V
D
ΔC
IO
C
IO
C
IO -ID
V
RS
V
BR
V
BR VBUS
R
DYN
高电平输入电压EN
低电平输入电压EN
输入漏电流EN ， D +，D- ，身份证
低电平输出电压ACK
二极管的正向电压D + ， D-， ID引脚;低钳位二极管
在D +之间的差动电容， D-线路
电容到GND为D + ， D-线路
电容至GND的ID线
D + ， D-和ID引脚的反向对峙电压
击穿电压D +，D-的ID标签
VBUS上击穿电压
动态电阻D + ， D-， ID夹
I
br
= 1毫安
I
br
= 1毫安
I
I
= 1安培
6
28
1
测试条件
负载电流= 50
A
负载电流= 50
A
V
I
= 3.3 V
I
OL
= 2毫安
I
O
= 8毫安
0.03
1.6
19
5
民
1
0.5
1.0
0.1
0.95
典型最大单位
V
V
A
V
V
pF
pF
pF
V
V
V
Ω
电气特性OVP电路
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
输入欠压锁定
V
UVLO +
V
UVLO-
V
HYS- UVLO
R
DS-
VBUSSWITCH
测试条件
民
TYP MAX
单位
欠压锁定，输入功率
检测阈值上升
欠压锁定，输入功率
检测阈值下降
迟滞的UVLO
VBUS增加从0V至5V ，输出引脚无负载
VBUS下降，从5V至0V ，就OUT空载
针
Δ
V的
UVLO +
和V
UVLO-
2.65
2.25
150
2.8
2.44
360
3
2.7
550
V
V
mV
输入输出特性
VBUS开关电阻
开启时间
打开-O FF时间
输入过压保护
门槛
输入过压保护
门槛降
滞后的OVP
最大过压延迟
从输入恢复时间
过压条件
VBUS
从V测时间
公共汽车
8 V
≥
6伏，1微秒的下降时间
8
V
公共汽车
= 5 V，I
OUT
= 500毫安
R
L
= 36
,
C
L
= 10 uF的
R
L
= 36
,
C
L
= 10 uF的
16
151
17.4
200
18
8
m
ms
s
t
ON
t
关闭
输入过压保护（ OVP ）
V
OVP +
V
OVP-
V
HYS- OVP
t
D（ OVP ）
t
REC
VBUS
VBUS
VBUS
V
公共汽车
从5 V增加至7 V ，空载
V
公共汽车
减少从7V至5V ，空载
V
公共汽车
从7 V降低到5 V ，空载
5.55
5.75
25
6.15
5.98
100
6.45
6.24
275
11
9
V
V
mV
s
ms
电源电流消耗
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
I
VBUS
I
VBUS_OFF
VBUS工作电流
消费
VBUS工作电流
消费
热关断
热关断迟滞
测试条件
VBUS_OUT针，V在无负载
公共汽车
= 5 V ， EN = 0
V
VBUS_OUT针，V在无负载
公共汽车
= 5 V ， EN = 5
V
144
23
典型值
147.6
111.8
最大
160
120
单位
A
A
热关机功能
T
SHDN
T
SHDN - HYS
°C
°C
4
版权
2011年，德州仪器
TPD4S014
www.ti.com
SLVSAU0B
–
2011年5月
–
经修订的2011年10月
一般操作
该TPD4S014提供USB充电器接口的单芯片保护解决方案。在VBUS线是宽容
高达28 V的低R
DS （ ON）
nFET的开关用于在发生故障状态断开下游电路。
上电时，当VBUS电压上升时，开关将关闭16毫秒的输入跨越后
欠压阈值，从而使得功率提供给下游电路。该TPD4S014也有一个
确认信号输出，它会释放提醒已经发生了故障的系统。该TPD4S014提供4通道ESD
夹具的D +，D- ，ID和VBUS引脚提供IEC61000-4-2 4级ESD保护。这消除了
需要在应用程序外部的TVS钳位电路。
该TPD4S014有一个内部振荡器和电荷泵，用于控制内部的nFET开关的导通。
内部振荡器控制定时器，使导通的电荷泵和设置的状态
漏极开路输出ACK 。如果V
公共汽车
＆ LT ;
V
UVLO
或者，如果V
公共汽车
＆ GT ;
V
OVLO
，内部振荡器仍处于关闭状态，从而禁止
电荷泵。电荷泵在启动时，一个内部16ms的延迟后，打开内部的nFET开关，
断言ACK 。在任何时候，若V
公共汽车
低于V
UVLO
或高于V
OVLO
的ACK被释放， nFET的开关
被禁用。
当输入电压上升高于V
OVP
或低于V
UVLO
时，内部V
公共汽车
开关关断时，
除去功率给应用程序。在ACK信号被断言检测到故障条件时。如果故障是
过压事件时， V
公共汽车
FET开关低于V输入电压恢复后打开8ms的
OVP
–
V
HYS- OVP
和
仍高于VUVLO 。如果故障是一个欠压时，开关上的电压打开后16毫秒
上述V回报
UVLO +
（类似于启动） 。当开关导通时，该ACK被再次置位。
16ms的抗尖峰脉冲时间在对顺序依次被引入，以确保输入电源有
打开开关之前稳定下来。噪声对VBUS线路上使用，可以打开开关时，故障状态
仍然是活动的。为了避免这种情况， OVP抗干扰性允许在VBUS线噪声被拒绝。这样的小故障
保护电路也被引入，在关断顺序，以防止该开关从关闭供
电压瞬变。该故障保护电路集成毛刺随着时间的推移，让OVP电路
触发速度更快更大的电压偏移超过OVP阈值和较慢的缩短游览。该
保护电路具有8的最大延迟
s.
当装置接通时，通过该装置流动的电流将导致器件的升温。在加热罐
导致器件的永久性损坏。为了防止这种情况，一个过温保护已被设计成
该设备。每当结点温度超过145
°C,
该开关将关闭，由此限制
温度。该ACK信号将被置为一个过温度事件。一旦该装置冷却到
低于120
°C
ACK信号将被拉高，而开关将导通，如果EN为活性和VBUS
电压欠压锁定和过压保护阈值内。而在该装置中的过温保护不会
踢，除非模具温度达到145
°C,
它通常建议小心保持
低于125的结温
°C.
上面125的装置的操作
°C
对于延长的时间段可能会影响
部件的长期可靠性。
该装置的结温可以使用以下公式来计算：
T
j
=
T
a
+
P
D
q
JA
T
j
T
a
θ
JA
P
D
=
=
=
=
结温
环境温度
热阻
耗散功率器件
(1)
P
D
=
I
2
R
on
I
R
ON
=
=
电流通过设备
马克斯对设备的耐
(2)
版权
2011年，德州仪器
5
QQ：2880707522 复制
